System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法技术_技高网

一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法技术

技术编号:40345608 阅读:17 留言:0更新日期:2024-02-09 14:31
本发明专利技术涉及一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法,选用硅质(掺杂P、N型)靶材,以物理沉积的方法(磁控溅射),将与与基片相匹配的靶材上的P或N型硅质分子轰击溅射在常规的太阳能晶硅片表面,根据太阳能电池制作所需的P型或N型多次交叉溅镀,以达到多结的目的。再进行硅片四周刻蚀清除短路,进而进行导电金属栅网印刷收集电流,以达到提高光电转换率的效果。本工艺的特点是:电池直流电流不变,电池开路电压提高,制作每层薄膜完整可进行交叉溅镀达到多结的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基太阳能电池,尤其涉及一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法


技术介绍

1、硅基太阳能电池单结光电转换率理论上达到28%,而目前国内实验室为26%左右,量化生产在22%-25%之间,其光电转换功能发挥迈进极限,因此提出一种多结高效硅基太阳能电池的制作方法,用以提升太阳能电池的光电转换效率就显得十分有必要了。


技术实现思路

1、(一)要解决的技术问题

2、为了解决现有技术的上述问题,本专利技术提供一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法,旨在利用磁控溅射镀膜技术,使太阳的自然光谱能够多次、充分利用,以达到提高硅基太阳能电池的光电转换效率的目的。

3、(二)技术方案

4、为了达到上述目的,本专利技术采用的主要技术方案包括:

5、一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法,包括以下步骤:

6、x1、取常规达标硅基太阳能硅片作为基材;

7、x2、采用硅基合金作为镀膜用的靶材;

8、x3、进行磁控溅射镀膜:采用中频或射频,在真空中依次进行磁控溅射镀膜,硅合金在硅基太阳能硅片上进行n、p型转换镀膜,使得硅基太阳能硅片表面交替形成n型镀膜和p型镀膜,形成多结层次;

9、x4、镀膜完成后,对硅基太阳能硅片的四周边缘进行离子刻蚀防止短路;

10、x5、进行丝网印刷制电路。

11、(三)有益效果

12、本专利技术的有益效果是:在实际实施过程中,通过镀膜填补硅基太阳能硅片的晶界,使得电子可通过镀膜跨越晶界无障碍的按照预设导电栅汇集,减少电子的流动消耗,达到提升光电转化率的目的;本工艺采用磁控溅射的方法使电池表面形成多结电池后,电流不变,电压提高,可大幅提高硅基太阳能电池的光电转换效率;在量产的情况下,单结可达25%,双结36%;同时可减少太阳能电池方阵的使用面积和安装成本,有效的降低太阳能电池使用期的费用成本。

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【技术保护点】

1.一种多结、高效硅基太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

【技术特征摘要】

1.一种多结、高效硅基太阳能电池的制...

【专利技术属性】
技术研发人员:戴文伟林霞胡满根
申请(专利权)人:将乐三晶新材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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