System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备制造技术_技高网

一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备制造技术

技术编号:40343766 阅读:8 留言:0更新日期:2024-02-09 14:30
本发明专利技术提供了一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备,喷淋板内部设有通电以加热的加热丝,喷淋板外接射频信号以构成RF电极,喷淋板上设有采样电路以采集喷淋板在工艺过程中表面产生的直流偏压,喷淋板上还设有滤波电路,用于滤除通入加热丝的电信号对射频信号以及直流偏压的工频耦合干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺设备领域,尤其涉及一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备


技术介绍

1、喷淋板是薄膜沉积设备中的一个重要部件,要用于将外部的反应气体喷洒在晶圆上,以使晶圆表面发生薄膜沉积。在喷淋板内部,加热丝等元件对反应气体进行加热,使反应气体达到一定的温度,进而促进沉积反应的发生。此外,喷淋板上通常还设有rf射频电极,rf电极在喷淋板中通过产生高频电场来工作。当反应气体通过喷淋板时,rf电极会对其施加一个高频电场,这会导致气体分子振动并产生热量。这种振动使得气体分子之间的碰撞更加频繁,从而增加了热量的传递。同时,rf电极还可以控制反应气体在喷淋板中的流动状态,通过产生电场力,rf电极可以引导反应气体按照特定的路径流动,从而确保反应气体能够均匀地喷洒在晶圆表面。

2、现有技术中,为了减少薄膜沉积设备中的颗粒沉积并提高产能,常采用电加热的喷淋头作为rf电极,由于rf电极需要与地绝缘,使得喷淋头通常处于电悬浮状态工作。与此同时,喷淋头内部布有工频加热丝用于其自身加热。通常,加热丝的外面加装有金属的铠装,该些铠装与喷淋头直接接触,这样的结构会带来喷淋头表面会有工频信号耦合,且此种耦合可能是强耦合,产生干扰而影响到薄膜沉积的质量和稳定性。

3、此外,由于喷淋板表面还设有直流偏压采样电路,用于直接采集等离子沉积过程中喷淋头表面存在的直流电压,工频耦合会进一步使得设备的直流偏压采样电路不能正常工作。

4、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本领域亟需一种电加热的喷淋板与半导体工艺设备,通过增设针对性的处理电路,消除喷淋板中加热丝、射频电极及直流电压之间的相互干扰,从而提升设备运行的性能和稳定性,提高薄膜沉积的控制精度和质量。


技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览,并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。

2、为了克服现有技术存在的上述缺陷,本专利技术提供了一种电加热的喷淋板,该喷淋板内部设有通电以加热的加热丝,该喷淋板外接射频信号以构成rf电极,该喷淋板上设有采样电路以采集该喷淋板在工艺过程中表面产生的直流偏压,该喷淋板上还设有滤波电路,用于滤除通入该加热丝的电信号对该射频信号以及该直流偏压的工频耦合干扰。

3、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该滤波电路接地以导出该通入该加热丝的电信号。

4、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该滤波电路包括多个电容电感的串并联组合,其中电容、电感的参数取值由该通入该加热丝的电信号的频率、该射频信号的频率以及该直流偏压确定,该通入该加热丝的电信号的频率为50hz。

5、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该滤波电路中包括串联在该喷淋板与地之间的滤波电感组件。

6、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该滤波电感组件的电感值不小于40μh,用于滤除频率在mhz数量级的高频射频信号。

7、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该滤波电路中还包括串联在该喷淋板与地之间的隔离电容组件。

8、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该隔离电容组件的电容值不低于100μf,用于隔离该直流偏压。

9、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该滤波电路中还包括串联在该喷淋板与地之间的lc并联谐振滤波组件。

10、在一实施例中,优选地,本专利技术提供的电加热的喷淋板中,该lc并联谐振滤波组件的截止频率在300~500khz的范围内,以滤除该频率范围内的低频射频信号。

11、本专利技术的另一方面还提供了一种半导体工艺设备,用于半导体加工的薄膜沉积工艺,包含如上文中任一项所描述的电加热的喷淋板。

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【技术保护点】

1.一种电加热的喷淋板,所述喷淋板内部设有通电以加热的加热丝,所述喷淋板外接射频信号以构成RF电极,所述喷淋板上设有采样电路以采集所述喷淋板在工艺过程中表面产生的直流偏压,所述喷淋板上还设有滤波电路,用于滤除通入所述加热丝的电信号对所述射频信号以及所述直流偏压的工频耦合干扰。

2.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路接地以导出所述通入所述加热丝的电信号。

3.如权利要求2所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路包括多个电容电感的串并联组合,其中电容、电感的参数取值由所述通入所述加热丝的电信号的频率、所述射频信号的频率以及所述直流偏压确定,所述通入所述加热丝的电信号的频率为50Hz。

4.如权利要求3所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路中包括串联在所述喷淋板与地之间的滤波电感组件。

5.如权利要求4所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电感组件的电感值不小于40μH,用于滤除频率在MHz数量级的高频射频信号。

6.如权利要求4所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路中还包括串联在所述喷淋板与地之间的隔离电容组件。</p>

7.如权利要求6所述的喷淋板,其特征在于,所述隔离电容组件的电容值不低于100μF,用于隔离所述直流偏压。

8.如权利要求4所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路中还包括串联在所述喷淋板与地之间的LC并联谐振滤波组件。

9.如权利要求8所述的喷淋板,其特征在于,所述LC并联谐振滤波组件的截止频率在300~500kHz的范围内,以滤除该频率范围内的低频射频信号。

10.一种半导体工艺设备,用于半导体加工的薄膜沉积工艺,其特征在于,包含如权利要求1~9中任一项所述的电加热的喷淋板。

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【技术特征摘要】

1.一种电加热的喷淋板,所述喷淋板内部设有通电以加热的加热丝,所述喷淋板外接射频信号以构成rf电极,所述喷淋板上设有采样电路以采集所述喷淋板在工艺过程中表面产生的直流偏压,所述喷淋板上还设有滤波电路,用于滤除通入所述加热丝的电信号对所述射频信号以及所述直流偏压的工频耦合干扰。

2.如权利要求1所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路接地以导出所述通入所述加热丝的电信号。

3.如权利要求2所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路包括多个电容电感的串并联组合,其中电容、电感的参数取值由所述通入所述加热丝的电信号的频率、所述射频信号的频率以及所述直流偏压确定,所述通入所述加热丝的电信号的频率为50hz。

4.如权利要求3所述的喷淋板,其特征在于,所述滤波电路中包括串联在所述喷淋板与地之间的滤波电感组件。

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:申思
申请(专利权)人:拓荆科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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