【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体，尤其涉及一种高功率ic引线框架结构。
技术介绍
1、随着微电子技术的发展，半导体集成电路已在通信、交通、能源、军事、国防等诸多重要领域得到广泛应用。集成电路塑封中使用的引线框架是集成电路封装的一种主要结构材料，它在电路中主要起承载ic芯片的作用，同时起连接芯片与外部线路板电信号的作用，以及安装固定的机械作用等。集成电路引线框架一般采用铜材或铁镍合金，考虑到电气、散热与塑封匹配以及成本等方面的因素，目前主要使用铜材。目前高功率ic芯片应用越来越多，因为高功率ic芯片，由于功耗较大，产生的热量就越大，其所采用的引线框架对散热要求是非常重要的，否则在工作状态会由于热量不能及时散去而烧坏芯片，散热性一般可由两方面解决，一是增加引线框架基材的厚度，二是选用较大散热系数的金属材料做引线框架；目前的引线框架，其引脚排与基岛为一体式的结构，因引线框架在生产过程中均是依次排布在一块板体上整板生产，为了适用高功率ic芯片，如增加引线框架的基岛厚度，由于目前国内外的制造工艺问题，会导致整板的板厚度均增加，即引脚排、基岛均增加，那么势必会大量浪费材料，如选用较大散热系数的金属材料做引线框架，成本会增大，经济效益价值低，还有引脚排和基岛一体化整板正常，会存在基岛与引脚排之间的间距大小不可调，例如有些高功率ic芯片的大小厚度不一，那么基岛与引脚排之间的高度差或间距差均需调整，或引脚排与集成线路板的焊框焊接时的间距大小差很大，那么要增长引脚排的引脚长度或缩小引脚排与基岛之间的间距差，这样，此引线框架不但通用性差，而且调间距的时候又得重新设计
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种成本可控、通用性好及散热效果好的高功率ic引线框架结构。
2、本技术的目的是通过如下技术方案来完成的，这种高功率ic引线框架结构包括基岛和引线排，所述引线排设有两排并分别位于所述基岛的前后两侧，所述引线排与所述基岛的侧边之间留有可调间隙，且所述引线排所在引线框架上的位置高于所述基岛所在引线框架上的位置，所述基岛的左右两侧上方分别固定安装有连接架，在所述连接架处的所述基岛侧边延伸有起到引线框架与集成线路板之间卡接作用的阶梯卡槽；所述基岛的顶面与两排所述引线排的顶面及两所述连接架的顶面之间构成一个放置腔，所述基岛的上端面上放置有ic体并位于所述放置腔内；所述基岛的厚度大于所述引线排的厚度并小于所述引线排的引线脚的高度，所述引线排、所述基岛和所述连接架之间通过塑胶体包覆呈一体式，且所述引线排的引线脚伸出于所述塑胶体外，并沿所述塑胶体的侧面折弯成型为l型的引线脚。
3、本技术的有益效果为：与现有技术相比，将引线排与基岛分体式设计，并且两者之间留有可调间隙，使得ic引线框架结构可根据集成线路板的焊框间距大小来调整引线排与基岛之间的间距大小，通用性更好，成本大大降低；同时，由于引线排与基岛分体式设计，可使得基岛的厚度大于引线排的厚度，这样能大大提升对大功率ic体的散热，而防止大功率ic体烧坏。
4、作为优选，所述基岛的顶面为平面状，所述基岛的底面延伸有限位板体，且所述限位板体与所述基岛一体压铸成型；所述限位板体的前后两端和所述限位板体的四端角均开设有限位槽，所述限位板体的左右两端均与所述阶梯卡槽的端面平齐；通过设置限位板体，使得基岛的厚度进一步增加，能进一步提升对大功率ic体的散热，同时还起到了塑胶体与基岛的连接可靠性更好，不容易发生基岛脱落引线框架。
5、作为优选，所述塑胶体与所述限位槽镶嵌，且所述塑胶体的底面与所述限位板体的下表面平齐，所述限位板体的长宽均大于所述ic体的长宽；塑胶体的底面与限位板体的下表面平齐能使得限位板体裸露在外，这样散热性能大大增强，同时，限位板体的长宽均大于ic体的长宽，高功率ic体的发热能迅速通过基岛传递至限位板体上，来实现快速散热。
6、作为优选，所述连接架的两端均设有限位凸条，所述限位凸条沿引线框架斜向上折弯并朝引线框架向外，且所述限位凸条的一端面与所述塑胶体的一端面平齐，所述限位凸条与所述连接架之间设有便于限位凸条折弯的凹槽；通过斜向上折弯的限位凸条，使得连接架与塑胶体之间塑封之后的可靠性更好，并通过设置凹槽，不但便于限位凸条的折弯成型，还有利于限位凸条在折弯过程中在夹具上的定位。
7、作为优选，所述连接架上设有开口槽，所述开口槽朝向于所述阶梯卡槽，且所述开口槽与所述阶梯卡槽呈平齐状；所述连接架上设有两个呈对称分布的焊接通孔，且所述焊接通孔靠近于所述开口槽；设置开口槽不但便于整个引线框架结构与集成线路板之间的卡接，而且还使得连接架与引线排之间的布局更为紧凑。
8、作为优选，所述放置腔的高度大于或等于所述ic体的厚度；因塑胶体在塑封过程中会采用上下模的方式进行合压，通过上述结构的设置能使得上下模在合压过程中的压力会集中在放置腔上，而接触不到ic体，从而起到保护ic体的作用。
9、作为优选，所述塑胶体的左右两侧分别设有卡口，所述卡口与所述阶梯卡槽平齐；设置卡口便于整个引线框架结构与集成线路板之间的卡接。
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1.一种高功率IC引线框架结构，包括基岛(1)和引线排(2)，其特征在于：所述引线排(2)设有两排并分别位于所述基岛(1)的前后两侧，所述引线排(2)与所述基岛(1)的侧边之间留有可调间隙(3)，且所述引线排(2)所在引线框架上的位置高于所述基岛(1)所在引线框架上的位置，所述基岛(1)的左右两侧上方分别固定安装有连接架(4)，在所述连接架(4)处的所述基岛(1)侧边延伸有起到引线框架与集成线路板之间卡接作用的阶梯卡槽(11)；所述基岛(1)的顶面与两排所述引线排(2)的顶面及两所述连接架(4)的顶面之间构成一个放置腔(5)，所述基岛(1)的上端面上放置有IC体(6)并位于所述放置腔(5)内；所述基岛(1)的厚度大于所述引线排(2)的厚度并小于所述引线排(2)的引线脚的高度，所述引线排(2)、所述基岛(1)和所述连接架(4)之间通过塑胶体(7)包覆呈一体式，且所述引线排(2)的引线脚(21)伸出于所述塑胶体(7)外，并沿所述塑胶体(7)的侧面折弯成型为L型的引线脚(21)。
2.根据权利要求1所述的高功率IC引线框架结构，其特征在于：所述基岛(1)的顶面为平面状，所述
3.根据权利要求2所述的高功率IC引线框架结构，其特征在于：所述塑胶体(7)与所述限位槽(13)镶嵌，且所述塑胶体(7)的底面与所述限位板体(12)的下表面平齐，所述限位板体(12)的长宽均大于所述IC体(6)的长宽。
4.根据权利要求1所述的高功率IC引线框架结构，其特征在于：所述连接架(4)的两端均设有限位凸条(41)，所述限位凸条(41)沿引线框架斜向上折弯并朝引线框架向外，且所述限位凸条(41)的一端面与所述塑胶体(7)的一端面平齐，所述限位凸条(41)与所述连接架(4)之间设有便于限位凸条折弯的凹槽(42)。
5.根据权利要求1所述的高功率IC引线框架结构，其特征在于：所述连接架(4)上设有开口槽(43)，所述开口槽(43)朝向于所述阶梯卡槽(11)，且所述开口槽(43)与所述阶梯卡槽(11)呈平齐状；所述连接架(4)上设有两个呈对称分布的焊接通孔(44)，且所述焊接通孔(44)靠近于所述开口槽(43)。
6.根据权利要求1所述的高功率IC引线框架结构，其特征在于：所述放置腔(5)的高度大于或等于所述IC体(6)的厚度。
7.根据权利要求1所述的高功率IC引线框架结构，其特征在于：所述塑胶体(7)的左右两侧分别设有卡口(71)，所述卡口(71)与所述阶梯卡槽(11)平齐。
...【技术特征摘要】
1.一种高功率ic引线框架结构，包括基岛(1)和引线排(2)，其特征在于：所述引线排(2)设有两排并分别位于所述基岛(1)的前后两侧，所述引线排(2)与所述基岛(1)的侧边之间留有可调间隙(3)，且所述引线排(2)所在引线框架上的位置高于所述基岛(1)所在引线框架上的位置，所述基岛(1)的左右两侧上方分别固定安装有连接架(4)，在所述连接架(4)处的所述基岛(1)侧边延伸有起到引线框架与集成线路板之间卡接作用的阶梯卡槽(11)；所述基岛(1)的顶面与两排所述引线排(2)的顶面及两所述连接架(4)的顶面之间构成一个放置腔(5)，所述基岛(1)的上端面上放置有ic体(6)并位于所述放置腔(5)内；所述基岛(1)的厚度大于所述引线排(2)的厚度并小于所述引线排(2)的引线脚的高度，所述引线排(2)、所述基岛(1)和所述连接架(4)之间通过塑胶体(7)包覆呈一体式，且所述引线排(2)的引线脚(21)伸出于所述塑胶体(7)外，并沿所述塑胶体(7)的侧面折弯成型为l型的引线脚(21)。
2.根据权利要求1所述的高功率ic引线框架结构，其特征在于：所述基岛(1)的顶面为平面状，所述基岛(1)的底面延伸有限位板体(12)，且所述限位板体(12)与所述基岛(1)一体压铸成型；所述限位板体(12)的前后两端和所述限位板体(12)的四端角均开设有限位槽(13)，所述限位板体(12)的左右两...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯军民，何应华，周光明，刘国滔，王李发，章云伟，
申请(专利权)人：宁波德洲精密电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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