在ＣＭＯＳ图像传感器中实现ＴＤＩ的电路及方法技术

在ＣＭＯＳ图像传感器中实现ＴＤＩ的电路及方法，涉及模拟集成电路设计领域，包括像素阵列、ＭＯＳ管、采样电容、运放、列总线和多个积分器并联组成积分器阵列，积分器包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和积分电容；像素阵列通过列总线分别和采样电容一端、ＭＯＳ管源极相连；ＭＯＳ管栅极接偏置电压；ＭＯＳ管漏极接地；采样电容另一端分别和运放负极性端、第一开关一端相连；运放正极性端接参考电压；第一开关另一端分别和第二开关一端、第四开关一端相连；第二开关另一端分别和第三开关一端、第五开关一端相连；第三开关另一端和运放输出端相连；第四开关另一端和积分电容一端相连；积分电容另一端和第五开关另一端相连。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在ＣＭＯＳ图像传感器中实现ＴＤＩ的电路，其特征在于，所述电路包括：像素阵列、ＭＯＳ管、采样电容、运放、列总线和多个积分器并联组成的积分器阵列，每个积分器包括：第一开关、第二开关、第三开关、第四开关、第五开关和积分电容；所述像素阵列通过所述列总线分别和所述采样电容的一端、所述ＭＯＳ管的源极相连；所述ＭＯＳ管的栅极接偏置电压；所述ＭＯＳ管的漏极接地；所述采样电容的另一端分别和所述运放的负极性端、所述第一开关的一端相连；所述运放的正极性端接参考电压；所述第一开关的另一端分别和所述第二开关的一端、所述第四开关的一端相连；所述第二开关的另一端分别和所述第三开关的一端、所述第五开关的一端相连；所述第三开关的另一端和所述运放的输出端相连；所述第四开关的另一端和所述积分电容的一端相连；所述积分电容的另一端和所述第五开关的另一端相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高静，徐江涛，史再峰，叶颖聪，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]