【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种显示技术，尤其涉及led芯片的固晶。
技术介绍
1、随着显示技术的进步，市场对lcd(liquid crystal display，液晶显示器)的低对比度、低色域、低响应速度等缺点，以及oled(organic light emittingdisplay，有机发光显示器)的烧屏、颗粒感重、偏色、光舒适度差等缺点越发地不满。micro led显示技术作为下一代显示技术，具有高对比度、高色域、高响应速度、超高分辨率和寿命长等优点，其兼有lcd及oled的优点的同时又没有其缺点。micro led还具有可柔性显示及低能耗的优点，被誉为一种终极显示技术。
2、制作micro led显示器需要将百万颗的微米级led转移至背板上，然后进行固晶。现有最常见的固晶方法是将led芯片封装到一个led封装体上，然后将led封装体焊接在电路基板上，这种方式不但步骤复杂，且制成的显示器厚度比较厚且散热不佳。
3、为此，在中国专利cn113594339a中，公开了一种显示面板的制备方法，将led芯片转移到基板的焊盘上，然后施加交变磁场，使得连接电极与相应的所述焊盘熔融焊接，利用交变磁场在连接电极和相应的焊盘中产生涡流效应，使得连接电极和相应的焊盘发热熔融，实现熔融焊接，进而实现led芯片和基板的快速连接。然而，这种led固晶方式一般是批量固晶，很难确保所有的led芯片处于完全相同均匀的交变磁场中，难以确保整个基板上所有led芯片的熔融受热均匀性，也很难控制led芯片的连接电极和焊盘的熔融温度，固晶效果控制差。再者
4、故，急需一种控制可靠、效率高的led芯片的固晶方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种led芯片，以及对该led芯片进行固晶的固晶方法，该固晶方法控制可靠，效率高。
2、为了实现上述目的，本专利技术公开了一种led芯片，所述led芯片形成电极的第一面分别形成有p电极、n电极以及连通电极，所述连通电极将所述p电极和n电极连接在一起，且所述连通电极的熔点高于所述n电极和p电极的熔点。
3、较佳地，所述连通电极的面积、宽度小于所述p电极、n电极的面积、宽度。
4、较佳地，所述连通电极呈长条形，所述p电极和n电极沿第一方向间隔设置，所述连通电极沿第一方向排布的长度方向大于所述连通电极沿第二方向延伸的宽度方向，所述连通电极的宽度小于所述p电极和n电极在第二方向上的宽度，所述第一方向与第二方向垂直。使得连通电极在加热到熔点后可以及时断开。
5、较佳地，所述连通电极的两端分别延伸至所述p电极和n电极处，并被所述p电极和n电极覆盖，防止固晶时，p电极或n电极熔化后与连通电极意外断开，影响led芯片的固晶效果。
6、较佳地，所述led芯片还包括外延层，所述外延层包括p型层、发光层和n型层，所述p电极与p型层连通，所述n电极与n型层连通。
7、可选地，所述led芯片还包括位于所述外延层外的反射层和设于所述led芯片的第二面的衬底，所述衬底和所述外延层之间设置有缓冲层和本征层，所述led芯片的第一面和第二面相背设置。
8、本专利技术还公开了一种led芯片的固晶方法，包括：步骤1，提供若干如上所述的led芯片；提供电路基板，所述电路基板上具有若干组焊盘，每组焊盘具有第一焊盘和第二焊盘；步骤2，将若干led芯片转移到所述电路基板上，并使所述led芯片的p电极、n电极分别与所述电路基板上的第一焊盘和第二焊盘相对贴合；步骤3，对所述第一焊盘和第二焊盘分别接正负电，以使所述n电极和p电极通过所述连通电极短路，所述n电极、p电极随之短路发热，到达熔点后，所述n电极熔融到所述第一焊盘上并与所述第一焊盘形成第一电极，所述p电极熔融到所述第二焊盘上并与所述第二焊盘形成第二电极，直至所述连通电极到达熔点并熔断。
9、较佳地，所述连通电极的熔点高于所述第一焊盘和所述第二焊盘的熔点，以使所述n电极、p电极、第一焊盘和第二焊盘均通过所述连接电极短路发热后熔融，从而使所述第一焊盘与所述n电极融合在一起形成第一电极，所述第二焊盘与所述p电极融合在一起形成第二电极。
10、较佳地，所述连通电极的熔点低于所述第一焊盘和所述第二焊盘的熔点。
11、较佳地，所述连通电极的熔点等于所述第一焊盘和所述第二焊盘的熔点，所述步骤3中，所述连通电极到达熔点并熔断时，所述第一焊盘熔融，所述第二焊盘熔融。
12、较佳地，对所述第一焊盘和第二焊盘分别接正负电具体为：给所述第一焊盘和第二焊盘持续通电预设时间。
13、较佳地，对所述第一焊盘和第二焊盘分别接正负电具体为：给所述第一焊盘和第二焊盘持续通电后检测所述连通电极的通断，在所述电路基板上安装的若干所述led芯片的连通电极熔断比例大于预设值且通电时间持续预设时间以上时停止对所述第一焊盘和第二焊盘供电。
14、更佳地，检测所述连通电极的通断具体包括：检测所述第一焊盘和第二焊盘之间的供电电流大小，在所述供电端电流小于预设值时判断对应所述连通电极熔断。
15、更佳地，检测所述连通电极的通断具体包括：检测所述led芯片是否点亮，在所述led芯片点亮时判断所述led芯片的连通电极熔断。
16、较佳地，所述led芯片的固晶方法还包括步骤4：等待所述电路基板和led芯片降温，并在降温后移去所述电路基板上焊接失败的led芯片。
17、较佳地，所述连通电极随后到达熔点熔断后，所述连通电极的部分被所述第一电极融合，所述连通电极的部分被所述第二电极融合。
18、较佳地，所述步骤3中，对所述第一焊盘和第二焊盘分别接预设电压大小的正负电并持续预设时间。
19、与现有技术相比，本专利技术在传统led芯片的n电极、p电极之间连接一个熔点高于n电极、p电极的连通电极，以在led芯片转移到电路基板上后，直接给电路基板通电使得n电极和p电极通过连接电极短路以在高电流情况下短路熔融到相应焊盘上，完成led芯片的固晶，无需专门的焊头、焊料，只需对电路基板通电即可，不但操作简单、效率高，且可保证短路加热部分限制在led芯片的n电极、p电极、第一焊盘和第二焊盘处，不会损坏电路基板背面或者其他部位的导电线路，固晶效果好，且可通过通电的电压大小和时间准确控制每一个led芯片的加热效率，焊接连接的均匀度高。
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1.一种LED芯片，其特征在于：所述LED芯片形成电极的第一面分别形成有P电极、N电极以及连通电极，所述连通电极将所述P电极和N电极连接在一起，且所述连通电极的熔点高于所述N电极和P电极的熔点。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述连通电极的面积、宽度小于所述P电极、N电极的面积、宽度。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述连通电极呈长条形，所述P电极和N电极沿第一方向间隔设置，所述连通电极沿第一方向排布的长度方向大于所述连通电极沿第二方向延伸的宽度方向，所述连通电极的宽度小于所述P电极和N电极在第二方向上的宽度，所述第一方向与第二方向垂直。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述连通电极的两端分别延伸至所述P电极和N电极处，并被所述P电极和N电极覆盖。
5.一种LED芯片的固晶方法，其特征在于：包括：
6.如权利要求5所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于：所述连通电极的熔点高于、低于或等于所述第一焊盘和所述第二焊盘的熔点；
7.如权利要求5所述的LED芯片的固晶方法
8.如权利要求7所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于：检测所述连通电极的通断具体包括：检测所述第一焊盘和第二焊盘之间的供电电流大小，在所述供电端电流小于预设值时判断对应所述连通电极熔断；或者，
9.如权利要求5所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于：还包括步骤4：等待所述电路基板和LED芯片降温，并在降温后移去所述电路基板上焊接失败的LED芯片。
10.如权利要求5所述的LED芯片的固晶方法，其特征在于：所述连通电极随后到达熔点熔断后，所述连通电极的部分被所述第一电极融合，所述连通电极的部分被所述第二电极融合。
...【技术特征摘要】
1.一种led芯片，其特征在于：所述led芯片形成电极的第一面分别形成有p电极、n电极以及连通电极，所述连通电极将所述p电极和n电极连接在一起，且所述连通电极的熔点高于所述n电极和p电极的熔点。
2.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述连通电极的面积、宽度小于所述p电极、n电极的面积、宽度。
3.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述连通电极呈长条形，所述p电极和n电极沿第一方向间隔设置，所述连通电极沿第一方向排布的长度方向大于所述连通电极沿第二方向延伸的宽度方向，所述连通电极的宽度小于所述p电极和n电极在第二方向上的宽度，所述第一方向与第二方向垂直。
4.如权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述连通电极的两端分别延伸至所述p电极和n电极处，并被所述p电极和n电极覆盖。
5.一种led芯片的固晶方法，其特征在于：包括：
6.如权利要求5所述的led芯片的固晶方法，其特征在于：所述连通电极的熔点高于、低于或等于所述第一焊盘和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢敬权，李泽祺，殷淑仪，
申请(专利权)人：东莞市中晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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