【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种介电陶瓷组合物的制造方法以及一种使用该方法制造的介电陶瓷组合物。
技术介绍
1、诸如电容器、电感器、压电元件、变阻器、热敏电阻等的使用陶瓷材料的电子组件包括由陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体内部的内电极以及设置在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。近年来，随着这样的电子组件的应用领域扩大，除了电子组件的小型化、超薄化和超高容量之外，对电子组件的高可靠性的需求也增加。
2、这样的电子组件使用各种介电材料作为主要原料，在各种介电材料之中，具有钙钛矿结构的介电陶瓷组合物用于各种领域中。介电陶瓷组合物可以通过固相反应法、草酸盐法、水热合成法等来制造，在这些方法之中，固相反应法已经有效地用于制造应用为相对厚的片的介电组合物，但是可能存在这样的问题：在使用珠磨机等的分散工艺中发生大量聚集，并且根据添加剂的类型而发生分散度的差异，并且晶粒生长不平衡。
3、为了解决固相反应法的问题，已经提出了可以在金属的水溶液中分散陶瓷粉末并使其浆化、用于调节ph的液体沉淀法、或者可以在添加了水溶性盐的有机酸水溶液中分散陶瓷粉末并使其浆化、喷雾干燥法等，但是存在添加剂组分不均匀沉淀、阴离子组分残留为杂质、添加剂组分容易与介电粉末分离等限制。
技术实现思路
1、本公开的一个方面在于提供一种能够使子组分均匀分散的介电陶瓷组合物的制造方法和介电陶瓷组合物。
2、本公开的另一方面在于提供一种介电陶瓷组合物的制造方法和介电陶瓷组合物，该介电陶瓷组合物通过提高分散稳
3、本公开的另一方面在于提供一种介电陶瓷组合物的制造方法和介电陶瓷组合物，该介电陶瓷组合物通过使子组分的固溶度均匀而具有优异的电特性(诸如介电常数和高温耐压等)。
4、根据本公开的实施例，可以提供一种介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法包括将反应性官能团附着到钙钛矿结构的基体材料粉末颗粒的表面的步骤。
5、根据本公开的另一实施例，一种介电陶瓷组合物可以包括钙钛矿结构的基体材料粉末颗粒和扩散型添加剂。在所述介电陶瓷组合物中，所述扩散型添加剂的浓度峰值层存在于距所述基体材料粉末颗粒的所述表面0.8nm至8.5nm的深度处。
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1.一种介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述基体材料粉末颗粒包括(Ba1-xCax)m(Ti1-yZry)O3、PbTiO3和SrTiO3中的一种或更多种，0≤x≤1，0.995≤m≤1.010，0≤y≤1。
3.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述基体材料粉末颗粒的平均粒径在50nm至1000nm范围内。
4.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述反应性官能团是选自于由环氧基、氨基、羟基、羧基、(甲基)丙烯酰基和(甲基)丙烯酰氧基组成的组中的一种或更多种。
5.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，将反应性官能团附着到所述基体材料粉末颗粒的表面的步骤包括如下步骤：
6.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法还包括如下步骤：在将所述反应性官能团附着到钙钛矿结构的所述基体材料粉末颗粒的表面之后，将附着有所述反应性官能团的所述基体材料粉末颗粒干燥，
7.根据权利要求1所述的
8.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂与所述基体材料粉末颗粒形成固溶体。
9.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，在400℃至900℃的温度范围内执行热处理。
10.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法还包括在执行热处理的步骤之后对基体材料粉末颗粒进行干式研磨的步骤。
11.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂包括：
12.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，在距所述基体材料粉末颗粒的表面0.8nm至8.5nm的深度范围内，与所述扩散型添加剂相对于所述基体材料粉末颗粒的最大质量比相比，所述扩散型添加剂相对于所述基体材料粉末颗粒的质量浓度为50％或更大。
13.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂的层形成至距所述基体材料粉末颗粒的所述表面0.8nm至8.5nm的深度。
14.一种介电陶瓷组合物，包括：
15.根据权利要求14所述的介电陶瓷组合物，其中，所述扩散型添加剂包括第一子组分，所述第一子组分包括选自于由Y、Dy、Ho、Er、Gd、Ce、Nd、Sm、Tb、Tm、La、Yb、它们的氧化物和它们的碳酸盐组成的组中的一种或更多种。
16.根据权利要求14所述的介电陶瓷组合物，其中，所述扩散型添加剂包括第二子组分，所述第二子组分包括选自于由Mg、Li、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Sr、Zr、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Ta、W、Pb、Bi、V、Nb、B、它们的氧化物和它们的碳酸盐组成的组中的一种或更多种。
17.根据权利要求14所述的介电陶瓷组合物，其中，所述介电陶瓷组合物的平均粒径D50在100nm至500nm的范围内。
...【技术特征摘要】
1.一种介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法包括：
2.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述基体材料粉末颗粒包括(ba1-xcax)m(ti1-yzry)o3、pbtio3和srtio3中的一种或更多种，0≤x≤1，0.995≤m≤1.010，0≤y≤1。
3.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述基体材料粉末颗粒的平均粒径在50nm至1000nm范围内。
4.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述反应性官能团是选自于由环氧基、氨基、羟基、羧基、(甲基)丙烯酰基和(甲基)丙烯酰氧基组成的组中的一种或更多种。
5.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，将反应性官能团附着到所述基体材料粉末颗粒的表面的步骤包括如下步骤：
6.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，所述制造方法还包括如下步骤：在将所述反应性官能团附着到钙钛矿结构的所述基体材料粉末颗粒的表面之后，将附着有所述反应性官能团的所述基体材料粉末颗粒干燥，
7.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，将附着有所述反应性官能团的所述基体材料粉末颗粒和扩散型添加剂混合的步骤包括将扩散型添加剂分散到基体材料粉末颗粒中的步骤，并且
8.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，所述扩散型添加剂与所述基体材料粉末颗粒形成固溶体。
9.根据权利要求1所述的介电陶瓷组合物的制造方法，其中，在400℃至900℃的温度范围内执行热处理。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李敞健，丁海硕，朴伦秀，郑东俊，朴然庭，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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