【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光传感器。
技术介绍
1、光传感器普遍应用于智能型手机、笔记型电脑或平板电脑等电子装置。除此之外，光传感器也应用于医疗诊断工具。举例来说，配置以接收x光的x光光传感器可将通过人体组织的x光转换为可视化影像。如何提出一种可以增进可见光被光传感器中的光感测元件接收的效率以大幅提升影像的品质问题的光传感器，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的一目的在于提出一种可有解决上述问题的光传感器。
2、为了达到上述目的，依据本专利技术的一实施方式，一种光传感器包含基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管、光感测元件、共通电极线以及光转换材料层。栅极线位于基板上方。数据线位于基板上方。薄膜晶体管的栅极电连接栅极线。薄膜晶体管的漏极电连接数据线。光感测元件的下电极电连接薄膜晶体管的源极。共通电极线位于基板上方，并电连接光感测元件的上电极。光转换材料层位于薄膜晶体管以及光感测元件上方。光转换材料层包含光转换材料以及透明导电材料。透明导电材料包裹光转换材料。
3、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含阻障层位于光转换材料层与光感测元件之间。
4、在本专利技术的一或多个实施方式中，光转换材料层具有厚度在20μm与1000μm之间的范围内。
5、在本专利技术的一或多个实施方式中，光转换材料具有平均直径在10μm与100μm之间的范围内。
6、在本专利技术的一或多个实施方式中，透明
7、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含金属层位于薄膜晶体管以及光感测元件上方。
8、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含金属层位于光感测元件正上方。
9、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含反射层位于光转换材料层上方。
10、在本专利技术的一或多个实施方式中，反射层的材料包含二氧化钛。
11、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含第一保护层位于光转换材料层上方。
12、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含粘着层位于反射层与第一保护层之间。
13、在本专利技术的一或多个实施方式中，第一保护层的材料包含聚对二甲苯。
14、在本专利技术的一或多个实施方式中，光传感器进一步包含第二保护层位于光转换材料层上方。
15、在本专利技术的一或多个实施方式中，金属层位于第一保护层与第二保护层之间。
16、在本专利技术的一或多个实施方式中，第二保护层的材料包含聚对二甲苯。
17、综上所述，在本专利技术的光传感器中，由于光传感器包含具有光转换材料的光转换材料层，使得入射至光传感器的x射线可以转换为在300纳米与800纳米之间的波长范围内的可见光。在本专利技术的光传感器中，由于透明导电材料包裹光转换材料，故可以避免在制作工艺中增加额外光掩模致使制作工艺的成本增加。在本专利技术的光传感器中，由于透明导电材料为透明，故可以避免影响可见光的穿透。通过本专利技术的光传感器，可见光可以更有效率的被光感测元件接收以提升影像品质。
18、以上所述仅用以阐述本专利技术所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本专利技术的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种光传感器，包含：
2.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含阻障层位于该光转换材料层与该光感测元件之间。
3.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料层具有厚度在20μm与1000μm之间的范围内。
4.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料具有平均直径在10μm与100μm之间的范围内。
5.如权利要求1所述的光传感器，其中该透明导电材料具有厚度在0.01μm与5μm之间的范围内。
6.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含反射层位于该光转换材料层上方。
7.如权利要求6所述的光传感器，其中该反射层的材料包含二氧化钛。
8.如权利要求6所述的光传感器，其中该反射层的材料包含金属。
9.如权利要求6所述的光传感器，进一步包含第一保护层位于该光转换材料层上方。
10.如权利要求9所述的光传感器，其中该第一保护层的材料包含聚对二甲苯。
11.如权利要求9所述的光传感器，进一步包含粘着层位于该反射层与该第一保护层之间。
12.如权利要求1
13.如权利要求12所述的光传感器，其中该第一保护层以及该第二保护层的材料包含聚对二甲苯。
14.如权利要求12所述的光传感器，进一步包含金属层位于该第一保护层与该第二保护层之间。
15.如权利要求14所述的光传感器，其中该金属层位于该薄膜晶体管以及该光感测元件上方。
16.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含金属层位于该光感测元件正上方。
...【技术特征摘要】
1.一种光传感器，包含：
2.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含阻障层位于该光转换材料层与该光感测元件之间。
3.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料层具有厚度在20μm与1000μm之间的范围内。
4.如权利要求1所述的光传感器，其中该光转换材料具有平均直径在10μm与100μm之间的范围内。
5.如权利要求1所述的光传感器，其中该透明导电材料具有厚度在0.01μm与5μm之间的范围内。
6.如权利要求1所述的光传感器，进一步包含反射层位于该光转换材料层上方。
7.如权利要求6所述的光传感器，其中该反射层的材料包含二氧化钛。
8.如权利要求6所述的光传感器，其中该反射层的材料包含金属。
9.如权利要求6所述的光传感...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈德铭，李建志，陈宗汉，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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