【技术实现步骤摘要】
本申请涉及吸波材料制造，具体而言，涉及一种吸波材料的制备方法。
技术介绍
1、随着现在电子行业技术的快速发展，高智能电子设备在民用、航天航空和军事等领域广泛应用。高智能电子设备虽然给人们的生活带来了便利，但也产生了大量的电磁辐射，电磁辐射不仅干扰电子设备的正常运行以及影响设备的可靠性，还会造成人体的健康。
2、因此，如何解决电磁辐射和电磁干扰等电磁污染已成为高智能电子设备在应用过程中亟待解决的关键技术，吸波材料(例如磁介质吸波材料)是当前解决电磁污染最有效的方法之一，但是，目前市售的吸波材料存在有效吸收带宽低以及反射损耗较高等问题，导致吸波材料的推广和应用受到影响。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种吸波材料的制备方法，能够制备得到一种具有有效吸收带宽大以及低反射损耗的吸波材料。
2、本申请的实施例是这样实现的：
3、本申请实施例提供一种吸波材料的制备方法，包括以下步骤：
4、提供第一基带和第二基带；将多个第一基带和多个第二基带周期性交替叠加设置，然后对叠加后的中间体依次进行真空压合、加热固化以及剪裁；其中，第一基带的中心频率和第二基带的中心频率不同；剪裁的方向与任意第一基带和任意第二基带的表面相交。
5、上述技术方案中，将中心频率不同的第一基带和第二基带进行周期性交替叠加，然后对叠加后的中间体依次进行真空压合、加热固化以及按照特定方向对加热固化后的中间体进行剪切，能够制备得到一种具有有效吸收带宽大以及低反射损耗的
6、在一些可选的实施方案中，第一基带和第二基带的中心频率的差值为5～10ghz。
7、上述技术方案中，将第一基带和第二基带的中心频率的差值限定在特定范围内，能够使得制备得到的吸波材料具有更大的有效吸收带宽以及更低的反射损耗。
8、在一些可选的实施方案中，第一基带的中心频率为13～16ghz。
9、上述技术方案中，将第一基带的中心频率限定在特定范围内，以使得第一基带具有较为适宜的中心频率，有助于增加吸波材料的有效吸收带宽并降低其反射损耗。
10、在一些可选的实施方案中，第二基带的中心频率为9～12ghz。
11、上述技术方案中，当第一基带的中心频率处于适宜的范围内时，进一步地将第二基带的中心频率也限定在特定范围内，以使得第一基带和第二基带能够更好地配合，从而更有助于增加吸波材料的有效吸收带宽并降低其反射损耗。
12、在一些可选的实施方案中，第一基带与第二基带的厚度差值为0～0.3mm。
13、上述技术方案中，将第一基带与第二基带的厚度差值限定在特定范围内，有助于在后续压合的过程中将第一基带和第二基带之间的空气排出，以实现层与层之间的紧密贴合，进而制备得到较为致密的吸波材料；此外，具有适宜厚度差异的第一基带和第二基带交替叠加以后，也能使得制备得到的吸波材料具有较为优异的理化性能。
14、在一些可选的实施方案中，第一基带或/和第二基带的厚度为0.1～0.5mm。
15、上述技术方案中，将第一基带、第二基带的自身厚度限定在特定范围内，以使得各自均具有较为适宜的厚度，方便后续进行交替叠加工艺，同时，适宜的自身厚度也有助于排出第一基带和第二基带之间的空气。
16、在一些可选的实施方案中，真空压合的过程中，真空度为-60～-65cm hg。
17、上述技术方案中，将真空压合过程中的真空度限定在特定范围内，以使得压合过程在适宜的真空度下进行，从而能够制备得到致密性较好的吸波材料。
18、在一些可选的实施方案中，真空压合的过程中，处理压强为20～40t，处理时长为5～30min。
19、上述技术方案中，将真空压合过程中的处理压强限定在特定范围内，能够在不损伤基带的情况下较好地去除第一基带与第二基带之间的空气；将真空压合过程中的处理时长限定在特定范围内，即提供适宜的保压时间，能够使得第一基带和第二基带贴合较为紧密。通过同时限定压合过程中的处理压强和处理时长，能够制备得到致密性较好的吸波材料。
20、在一些可选的实施方案中，加热固化的过程在加压条件下进行。
21、上述技术方案中，在加压条件下进行加热固化，能够提高制备得到的吸波材料的致密性，此外，加压还能在一定程度上降低固化所需的温度。
22、在一些可选的实施方案中，剪裁的方向与周期性交替叠加的方向相同。
23、上述技术方案中，按照特定方向进行裁剪，能够使得制备得到的吸波材料具有整体构型较为规整的优势，从而便于在后续应用过程中与器件进行贴合。
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1.一种吸波材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带和所述第二基带的中心频率的差值为5～10GHz。
3.根据权利要求2所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带的中心频率为13～16GHz。
4.根据权利要求3所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第二基带的中心频率为9～12GHz。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带与所述第二基带的厚度差值为0～0.3mm。
6.根据权利要求5所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带或/和所述第二基带的厚度为0.1～0.5mm。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述真空压合的过程中，真空度为-60～-65cm Hg。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述真空压合的过程中，处理压强为20～40T，处理时长为5～30min。
9.根据权利要求1
10.根据权利要求1～4中任一项所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述剪裁的方向与所述周期性交替叠加的方向相同。
...【技术特征摘要】
1.一种吸波材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带和所述第二基带的中心频率的差值为5～10ghz。
3.根据权利要求2所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带的中心频率为13～16ghz。
4.根据权利要求3所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第二基带的中心频率为9～12ghz。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的吸波材料的制备方法，其特征在于，所述第一基带与所述第二基带的厚度差值为0～0.3mm。
6.根据权利要求5所述的吸波材料的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈飞，周创，潘潘，刘明强，
申请(专利权)人：重庆市鸿富诚电子新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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