【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、薄膜材料在当今半导体产业中成为越来越重要的材料，其满足了电子元器件向小型化、低功耗、高性能方向发展的要求。近年来一种被称为绝缘体上的复合薄膜越来越引起工业界的重视，其包含最上层的有源层、中间的绝缘介质层和半导体衬底。其中，有源层可以为半导体薄膜(例如si，ge，gaas，sic)，压电薄膜(铌酸锂和钽酸锂)或者铁电薄膜。
2、在复合薄膜生产的过程中，需要对衬底与薄膜基体键合后的键合体退火处理，以在衬底的表面制备有源层。
3、然而，在对键合体退火处理时，键合体容易出现破碎的问题。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，用以解决现有技术中键合体退火时容易出现破碎的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种复合薄膜制备方法，包括：
3、对薄膜基体进行离子注入，制得功能注入片，功能注入片包括依次层叠设置的薄膜层、注入层和余料层；
4、对功能注入片进行第一次退火处理，并将功能注入片冷却至室温；
5、将薄膜层的一侧与衬底键合，制得键合体；
6、对键合体进行第二次退火处理，以使注入层断裂，薄膜层转移至衬底上，形成复合薄膜；
7、其中，第二次退火处理的温度低于第一次退火的温度。
8、在一种可行的实现方式中，第一次退火处理的温度范围为200℃-300℃。
9、在一种可行的实现方式中，第一次
10、在一种可行的实现方式中，第二次退火处理的温度范围为150℃-200℃。
11、在一种可行的实现方式中，第二次退火处理的时间范围为1h-5h。
12、在一种可行的实现方式中，复合薄膜制备方法还包括：在第二次退火处理完成后，对复合薄膜进行第三次退火处理。
13、在一种可行的实现方式中，第三次退火处理的温度范围为300℃-600℃。
14、在一种可行的实现方式中，第三次退火处理的时间范围为1h-24h。
15、在一种可行的实现方式中，薄膜基体的材质为铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、砷化镓、陶瓷、四硼酸锂、砷化镓、磷酸钛氧钾或磷酸钛氧铷晶体中的至少一者；
16、和/或，衬底的材质为硅、蓝宝石、石英、碳化硅、氮化硅或石英玻璃中的至少一者。
17、第二方面，本申请实施例还提供了一种复合薄膜，根据上述任一复合薄膜制备方法制备而成。
18、本申请实施例提供了一种复合薄膜制备方法，对功能注入片进行第一次退火处理，待功能注入片与衬底键合后再进行第二次退火处理使注入层断裂，薄膜层转移至衬底上，形成复合薄膜。在第一次退火处理时可使功能注入片的注入层内的离子产生气泡，从而使第二次退火处理时，可以相对较低的温度使注入层断裂，完成键合体的分离工作，避免现有技术中因高温以及退火处理时间较长导致的键合体破裂问题的发生。
19、本申请实施例还提供了一种复合薄膜，包括上述方案中任一技术方案中的复合薄膜制备方法制备而成，因而具有上述任一技术方案的复合薄膜制备方法的全部有益效果，在此不再赘述。
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1.一种复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的温度范围为200℃-300℃。
3.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的时间范围为1h-10h。
4.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度范围为150℃-200℃。
5.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的时间范围为1h-5h。
6.根据权利要求1-5任一所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述复合薄膜制备方法还包括：在所述第二次退火处理完成后，对所述复合薄膜进行第三次退火处理。
7.根据权利要求6所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第三次退火处理的温度范围为300℃-600℃。
8.根据权利要求6所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第三次退火处理的时间范围为1h-24h。
9.根据权利要求1-5任一所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述薄膜基体的材质为
10.一种复合薄膜，其特征在于，根据权利要求1-9任一所述的复合薄膜制备方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种复合薄膜制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的温度范围为200℃-300℃。
3.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第一次退火处理的时间范围为1h-10h。
4.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的温度范围为150℃-200℃。
5.根据权利要求1所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述第二次退火处理的时间范围为1h-5h。
6.根据权利要求1-5任一所述的复合薄膜制备方法，其特征在于，所述复合薄膜制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂银，胡文，张秀全，杨超，刘亚明，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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