【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种基板处理方法和基板处理系统。
技术介绍
1、在专利文献1中公开有一种半导体晶圆的制造方法，该半导体晶圆的制造方法包括对将半导体硅锭切片所得到的晶圆的至少表面进行平坦化的工序、以及通过旋转蚀刻对晶圆的平坦化后的表面进行蚀刻的工序。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开平11-135464号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本公开所涉及的技术适当地控制蚀刻处理后的基板表面形状。
3、用于解决问题的方案
4、本公开的一个方式是对基板进行处理的基板处理方法，所述基板处理方法包括：将所述基板的一个面薄化；以及一边使薄化后的所述基板旋转并且使蚀刻液供给部在所述一个面的上方以跨越所述基板的旋转中心的上方的方式往复运动，一边对所述一个面供给至少包含氢氟酸和硝酸的蚀刻液，来对该一个面进行蚀刻，其中，所述一个面的蚀刻包括：将隔着所述旋转中心设定于所述往复运动的两端部的折返地点之间的距离即扫描宽度、以及使所述蚀刻液供给部往复运动的扫描速度决定为使第一时间比第二时间短的条件，所述第一时间是在该蚀刻液供给部通过所述旋转中心后直到在所述往复运动的端部折返并再次通过所述旋转中心为止的时间，所述第二时间是直到供给到所述旋转中心的所述蚀刻液由于伴随所述基板的旋转产生的离心力而被排出到所述基板的外周部为止的时间；以及以所决定的所述扫描宽度和所述扫描速度对所述一个面进行蚀刻。
5、专利技
6、根据本公开，能够适当地控制蚀刻处理后的基板表面形状。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理方法，对基板进行处理，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，包括：
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，包括：
9.一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，
11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其中，
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
13.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
14.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
15.根据权利要求9
16.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
17.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
18.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
19.根据权利要求9至11中的任一项所述的基板处理系统，其中，
20.一种可读取计算机存储介质，保存有在控制基板处理系统的控制部的计算机上运行以由该基板处理系统执行对基板进行处理的基板处理方法的程序，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种基板处理方法，对基板进行处理，所述基板处理方法包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，包括：
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其中，
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，包括：
9.一种基板处理系统，对基板进行处理，所述基板处理系统具有：
10.根据权利要求9所述的基板处理系统，其中，
11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：乌野崇，大川理，冈村尚幸，松木胜文，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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