【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说，本公开涉及在体育场结构的水平区域内包含接触结构的微电子装置及相关电子系统及方法。
技术介绍
1、微电子工业的持续目标是增加例如非易失性存储器装置(例如，nand快闪存储器装置)的存储器装置的存储器密度(例如，每存储器裸片的存储器胞元的数目)。增加非易失性存储器装置中的存储器密度的一种方式是利用竖直存储器阵列(也称为“三维(3d)存储器阵列”)架构。常规竖直存储器阵列包含延伸穿过包含导电材料及绝缘材料的层级的一或多个层面(例如，堆叠结构)中的开口的竖直存储器串。每一竖直存储器串可包含串联耦合到竖直堆叠的存储器胞元的串联组合的至少一个选择装置。相较于具有晶体管的常规平面(例如，二维)布置的结构，此配置通过在裸片上向上(例如，竖直)建构阵列而允许将较大数量的切换装置(例如，晶体管)定位于单位裸片面积(即，所消耗的有源表面的长度及宽度)中。
2、竖直存储器阵列架构大体上包含层面控制逻辑装置(例如，串驱动器)的层级的导电结构之间的电连接，使得竖直存储器阵列的存储器胞元可经唯一选择用于写入、读取或擦除操作。形成此电连接的一种方法包含在存储器装置的层面的层级的边缘(例如，水平端)处形成所谓的“阶梯”(或“楼梯”)结构。阶梯结构包含界定层级的导电材料的接触区的个别“梯级”，导电接触结构可定位于所述“梯级”上以提供对导电材料的电接入。又可采用额外导电结构(例如，额外导电接触结构、导电路由结构)来将导电接触结构耦合到控制逻辑装置。然而，额外导电结构可占用存储器装置内的
技术实现思路
1、在一些实施例中，一种微电子装置包括堆叠结构、接触结构及额外接触结构。所述堆叠结构包括布置成层级的导电材料及绝缘材料的竖直交替序列。所述堆叠结构分成各自包括体育场结构的块，所述体育场结构包含包括所述层级的水平端的梯级。所述接触结构在所述体育场结构的水平区域内且竖直延伸穿过所述堆叠结构。所述额外接触结构在所述体育场结构的至少一些所述梯级上且耦合到所述接触结构。
2、在额外实施例中，一种存储器装置包括堆叠结构、第一接触结构、第二接触结构、路由结构及存储器胞元串。所述堆叠结构包括布置成层级的导电材料及绝缘材料的竖直交替序列。所述堆叠结构具有通过电介质狭槽结构彼此分离的块。所述块中的每一者包括体育场结构，所述体育场结构个别地包括相对阶梯结构，所述阶梯结构各自具有包括所述堆叠结构的所述层级的边缘的梯级。所述第一接触结构在至少一些所述体育场结构的所述相对阶梯结构的水平边界内。所述第一接触结构竖直延伸穿过所述堆叠结构而到所述堆叠结构下方的导电结构。所述第二接触结构在所述至少一些所述体育场结构中的每一者的所述相对阶梯结构中的至少一者的所述梯级上。所述路由结构水平延伸于所述第一接触结构与所述第二接触结构之间且将所述第一接触结构耦合到所述第二接触结构。所述存储器胞元串竖直延伸穿过所述堆叠结构且耦合到所述第二接触结构。
3、在另外实施例中，一种电子系统包括输入装置、输出装置、可操作地连接到所述输入装置及所述输出装置的处理器装置，及可操作地连接到所述处理器装置的存储器装置。所述存储器装置包括堆叠结构、第一接触结构、第二接触结构、第三接触结构及控制逻辑电路系统。所述堆叠结构包括布置成层级的导电材料及绝缘材料的竖直交替序列。所述堆叠结构包括具有梯级的体育场结构，所述梯级包括所述层级的所述导电材料的部分。所述第一接触结构竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述体育场结构的水平区域内。所述第二接触结构竖直延伸穿过所述堆叠结构且在所述体育场结构的所述水平区域内。所述第三接触结构在所述体育场结构的所述梯级上。所述第三接触结构与所述第一接触结构电连通且与所述第二接触结构电隔离。所述控制逻辑电路系统下伏于所述堆叠结构且与所述第一接触结构电连通。
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1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述堆叠结构且耦合到所述堆叠结构的所述层级的所述导电材料的存储器胞元串。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述体育场结构的所述水平区域内且竖直延伸穿过所述堆叠结构的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述块中的每一者进一步包括与所述体育场结构水平相邻且具有小于约1微米的水平宽度的顶区。
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述顶区的所述水平宽度小于或等于约100纳米。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中：
7.根据权利要求6所述的微电子装置，其进一步包括至少部分定位于所述体育场结构的所述至少一些所述梯级的所述水平区域内的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
8.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述接触结构中的多于一者至少部分定位于所述体育场结构的所述至少一些所述梯级
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外接触结构中的每一者具有耦合到其的所述接触结构中的一者。
10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外接触结构中的每一者具有耦合到其的所述接触结构中的至少两者。
11.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括：
12.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一行所述接触结构及至少一行所述额外接触结构各自在第一水平方向上延伸，且所述至少一行所述接触结构在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上从所述至少一行所述额外接触结构偏移。
13.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一行所述接触结构及至少一行所述额外接触结构各自在第一水平方向上延伸，且所述至少一行所述接触结构在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上与所述至少一行所述额外接触结构基本上对准。
14.一种存储器装置，其包括：
15.根据权利要求14所述的存储器装置，其进一步包括在所述至少一些所述体育场结构的所述相对阶梯结构的所述水平边界内的第三接触结构，所述第三接触结构竖直延伸穿过所述堆叠结构且与所述第二接触结构电隔离。
16.根据权利要求14及15中任一权利要求所述的存储器装置，其中所述导电结构耦合到在其之下的控制逻辑电路系统。
17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中所述控制逻辑电路系统包括互补-金属-氧化物-半导体(CMOS)电路系统。
18.根据权利要求14及15中任一权利要求所述的存储器装置，其中所述块中的每一者进一步包括在第一方向上水平插入于其所述体育场结构之间的顶区，所述顶区中的每一者在所述第一方向上具有小于或等于约100纳米的水平宽度。
19.一种电子装置，其包括：
20.根据权利要求19所述的电子装置，其进一步包括上覆于所述第一接触结构及所述第三接触结构的路由结构，所述路由结构中的每一者延伸于所述第一接触结构中的一者与所述第三接触结构中的一者之间且电连接所述第一接触结构中的所述一者及所述第三接触结构中的所述一者。
21.根据权利要求19及20中任一权利要求所述的电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述堆叠结构且耦合到所述堆叠结构的所述层级的所述导电材料的存储器胞元串。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种微电子装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述堆叠结构且耦合到所述堆叠结构的所述层级的所述导电材料的存储器胞元串。
3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括在所述体育场结构的所述水平区域内且竖直延伸穿过所述堆叠结构的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述堆叠结构的所述块中的每一者进一步包括与所述体育场结构水平相邻且具有小于约1微米的水平宽度的顶区。
5.根据权利要求4所述的微电子装置，其中所述顶区的所述水平宽度小于或等于约100纳米。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中：
7.根据权利要求6所述的微电子装置，其进一步包括至少部分定位于所述体育场结构的所述至少一些所述梯级的所述水平区域内的另外接触结构，所述另外接触结构与所述额外接触结构电隔离。
8.根据权利要求6所述的微电子装置，其中所述接触结构中的多于一者至少部分定位于所述体育场结构的所述至少一些所述梯级中的每一者的水平区域内。
9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外接触结构中的每一者具有耦合到其的所述接触结构中的一者。
10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述额外接触结构中的每一者具有耦合到其的所述接触结构中的至少两者。
11.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括：
12.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的微电子装置，其中至少一行所述接触结构及至少一行所述额外接触结构各自在第一水平方向上延伸，且所述至少一行所述接触结...
【专利技术属性】
技术研发人员：I·V·恰雷，罗双强，徐丽芳，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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