【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容的实施方式大体涉及用于处理基板的方法和设备，且更特别地，涉及用于整合的低电阻率中间端工序(meol)金属化的方法和设备。
技术介绍
1、传统的meol金属化处理通常包括在基板上形成一个或更多个金属膜堆叠，该金属膜堆叠可包括从基板上的场区凹陷的特征(例如，过孔、沟槽等)。例如，在一些情况下，可使用例如物理气相沉积(pvd)在基板上的特征内沉积金属衬垫层或金属种晶层。此后，可将基板从pvd处理腔室(反应器)传送到另一处理腔室(反应器)，从而可使用例如化学气相沉积(cvd)及/或原子层沉积(ald)来沉积后续的金属层。然而，在从pvd处理腔室传送到cvd及/或ald处理腔室期间，有时会在金属衬垫层或金属种晶层上产生氧化。据此，有时会执行一个或更多个氧化处理以去除氧化(例如，以改善间隙填充性能并减小制造的基板的堆叠电阻率)。可理解，必须执行一个或更多个氧化处理会增加制造成本并减少生产量。
技术实现思路
1、本文提供用于处理基板(例如，金属填充)的方法及设备。例如，用于处理基板的方法包括：在基板上的层中界定的特征内沉积硅化物层；使用物理气相沉积经由沉积钼(mo)或钨(w)中的至少一者，在该特征内的该硅化物层的顶部形成金属衬垫层或金属种晶层中的一者；及使用化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者，在该金属衬垫层或该金属种晶层中的至少一者的顶部沉积mo，而无真空破坏。
2、根据至少一些实施方式，非瞬态计算机可读取存储介质具有储存于其上的指令，在由处理器执行时，执行用于处理基板的
3、根据至少一些实施方式，用于处理基板的方法包括：在基板上执行预清洁处理，该基板包括层，该层具有在该层中界定的特征；使用物理气相沉积经由沉积钼(mo)或钨(w)中的至少一者，在该特征内形成金属衬垫层或金属种晶层中的一者；在该金属衬垫层或该金属种晶层中的该一者的顶部沉积成核层；及使用化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者，在该金属衬垫层或该金属种晶层中的该一者的顶部沉积mo，以进行选择性地填充该特征或保形地填充该特征中的一者，而无真空破坏。
4、以下描述本公开内容的其他及进一步的实施方式。
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1.一种用于处理基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述特征为沟槽、过孔、或双镶嵌结构中的一者，且其中所述Mo沉积于所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部，以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在执行化学气相沉积或原子层沉积中的所述至少一者以沉积Mo以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者之前，进一步包括：在所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部沉积成核层。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：执行物理气相沉积以在沉积于所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部的所述Mo的顶部沉积额外的Mo，以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者，而无真空破坏，其中沉积所述额外的Mo至约2000A的厚度。
5.如权利要求1至4的任一项所述的方法，进一步包括：在所述额外的Mo上执行化学机械抛光。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者之前，在所述基板上执行预清洁
7.如权利要求1所述的方法，其中所述硅化物层包括以下至少一者：硅烷(SiH4)和钴(Co)、SiH4和Mo、SiH4和钌(Ru)、或SiH4和W，而无真空破坏。
8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：执行物理气相沉积以在所述硅化物层的顶部在所述特征内沉积金属盖层，所述金属盖层包括Co、Mo、Ru、或W中的至少一者，其中所述金属盖层具有约30A至约100A的厚度。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：执行原子层沉积或化学气相沉积中的至少一者，以在所述特征内在所述金属盖层的顶部沉积Mo，而无真空破坏。
10.如权利要求1至4或6至9的任一项所述的方法，其中在所述特征内在所述金属盖层上沉积所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者。
11.如权利要求1至4或6至9的任一项所述的方法，其中在未首先通过将Mo或W中的至少一者暴露于氢来执行氧化还原的情况下，执行使用化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者沉积Mo。
12.一种非瞬态计算机可读取存储介质，具有储存于其上的指令，在由处理器执行时，执行用于处理基板的方法，所述方法包括：
13.如权利要求12所述的非瞬态计算机可读取存储介质，其中所述特征为沟槽、过孔、或双镶嵌结构中的一者，且其中所述Mo沉积于所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部，以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者。
14.如权利要求13所述的非瞬态计算机可读取存储介质，其中在执行化学气相沉积或原子层沉积中的所述至少一者以沉积Mo以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者之前，进一步包括：在所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部沉积成核层。
15.如权利要求14所述的非瞬态计算机可读取存储介质，进一步包括：执行物理气相沉积以在沉积于所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部的所述Mo的顶部沉积额外的Mo，以进行选择性地填充或保形地中的一者，而无真空破坏，其中将所述额外的Mo沉积至约2000A的厚度。
16.如权利要求15所述的非瞬态计算机可读取存储介质，进一步包括：在所述额外的Mo上执行化学机械抛光。
17.如权利要求12至16的任一项所述的非瞬态计算机可读取存储介质，进一步包括：在形成所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者之前，在所述基板上执行预清洁处理，其中所述预清洁处理使用氢等离子体或氟等离子体中的至少一者，且其中使用电容耦合等离子体源、电感耦合等离子体源、或远程等离子体源中的一者来形成氢等离子体或氟等离子体中的所述一者。
18.如权利要求12所述的非瞬态计算机可读取存储介质，其中所述硅化物层包括以下至少一者：硅烷(SiH4)和钴(Co)、SiH4和Mo、SiH4和钌(Ru)、或SiH4和W，而无真空破坏。
19.如权利要求12至16或18的任一项所述的非瞬态计算机可读取存储介质，进一步包括：执行物理气相沉积以在所述硅化物层的顶部在所述特征内沉积金属盖层，所述金属盖层包括Co、Mo、Ru、或W中的至少一者，其中所述金属盖层具有约30A至约100A的厚度。
20.一种用于处理基板的方法，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理基板的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述特征为沟槽、过孔、或双镶嵌结构中的一者，且其中所述mo沉积于所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部，以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在执行化学气相沉积或原子层沉积中的所述至少一者以沉积mo以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者之前，进一步包括：在所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部沉积成核层。
4.如权利要求3所述的方法，进一步包括：执行物理气相沉积以在沉积于所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者的顶部的所述mo的顶部沉积额外的mo，以进行选择性地填充所述特征或保形地填充所述特征中的一者，而无真空破坏，其中沉积所述额外的mo至约2000a的厚度。
5.如权利要求1至4的任一项所述的方法，进一步包括：在所述额外的mo上执行化学机械抛光。
6.如权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者之前，在所述基板上执行预清洁处理，其中所述预清洁处理使用氢等离子体或氟等离子体中的至少一者，且其中使用电容耦合等离子体源、电感耦合等离子体源、或远程等离子体源中的一者来形成氢等离子体或氟等离子体中的所述一者。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述硅化物层包括以下至少一者：硅烷(sih4)和钴(co)、sih4和mo、sih4和钌(ru)、或sih4和w，而无真空破坏。
8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：执行物理气相沉积以在所述硅化物层的顶部在所述特征内沉积金属盖层，所述金属盖层包括co、mo、ru、或w中的至少一者，其中所述金属盖层具有约30a至约100a的厚度。
9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：执行原子层沉积或化学气相沉积中的至少一者，以在所述特征内在所述金属盖层的顶部沉积mo，而无真空破坏。
10.如权利要求1至4或6至9的任一项所述的方法，其中在所述特征内在所述金属盖层上沉积所述金属衬垫层或所述金属种晶层中的所述一者。
11.如权利要求1至4或6至9的任一项所述的方法，其中在未首先通过将mo或w中的至少一者暴露于氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：安娜马莱·雷克什马南，杰奎琳·S·阮奇，王飞虎，杨逸雄，李靖珠，斯里尼瓦·甘迪科塔，金相鑫，陈哲擘，沈刚，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：
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