【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种永磁体和设备。
技术介绍
1、作为永磁体的一种，已知的是诸如钐-钴磁体之类的稀土钴永磁体。关于稀土钴永磁体，已经从多个方面进行了含fe、cu、zr等的稀土永磁体的研究，例如为了改善它们的磁性能。
2、例如，日本未审专利申请公开号2017-168827公开了一种永磁体，该永磁体分别包含特定量的稀土元素fe、cu、co、zr、ti和hf，并且具有含有晶粒和晶粒之间的晶界的结构，该晶粒包含具有th2zn17型晶相的主相，其中，晶粒的平均晶体粒度为50至100μm。
3、国际专利公开号wo2015/140829公开了一种特定永磁体，该永磁体分别含特定量的稀土元素fe、cu、co、zr、ti和hf，并且具有含有th2zn17型晶相的晶胞相和具有比晶胞相的cu浓度高的富cu相，其中晶胞相的平均直径为220nm以下。
4、进一步地，日本未审专利申请公开号2020-188140公开了一种稀土钴永磁体，该永磁体分别包含特定量的稀土元素r、fe、cu、co和zr，并且具有含th2zn17型晶相和具有围绕晶胞相的rco5型结构的晶相的细胞壁，其中胞壁中的稀土元素的浓度比晶胞相中的稀土元素的浓度高至少25at％。
技术实现思路
1、本公开的目的是提供一种具有优异的磁性能、特别是优异的矫顽力和优异的矩形比的永磁体，并提供包括这种永磁体的设备。
2、根据本公开的永磁体包括烧结体，该烧结体具有以下组成：r：23wt％至27wt％(r为至少包括sm的稀
3、上述永磁体还可以包含zr：1.7％至2.5wt％。
4、在上述任何一种永磁体中，晶粒可以具有th2zn17型结构的相和rco5型结构的相。
5、在上述任何一种永磁体中，晶粒的平均晶体粒度(a.g.)可以为100μm以上。
6、在上述任何一种永磁体中，晶粒的晶体粒度的变异系数(c.v.)可以为0.60以下。
7、在上述任何一种永磁体中，晶界相的厚度t可以为5nm至200nm。
8、在上述任何一种永磁体中，当对永磁体施加反向磁场时，在至少一些晶粒的内部可以出现反向磁畴，并且反向磁畴可以在晶粒的整个内部扩展。
9、根据本公开的设备包括上述永磁体中的任何一种。
10、根据本公开，提供了一种具有优异的磁性能、特别是优异的矫顽力和优异的矩形度的永磁体，以及包括该永磁体的设备。
11、通过下文给出的详细描述和附图，将会更加充分地理解本公开的以上和其他目的、特征和优点，所述详细描述和附图仅以说明方式给出，因此不应被认为是对本公开的限制。
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1.一种永磁体，所述永磁体包括烧结体，所述烧结体具有以下组成：
2.根据权利要求1所述的永磁体，所述永磁体还包括Zr：1.7wt％至2.5wt％。
3.根据权利要求1所述的永磁体，其中，所述晶粒具有Th2Zn17型结构的相和RCo5型结构的相。
4.根据权利要求1所述的永磁体，其中，所述晶粒的平均晶体粒度A.G.为100μm以上。
5.根据权利要求4所述的永磁体，其中，所述晶粒的晶体粒度的变异系数C.V.为0.60以下。
6.根据权利要求1所述的永磁体，其中，所述晶界相的厚度t为5nm至200nm。
7.根据权利要求1所述的永磁体，其中，当对所述永磁体施加反向磁场时，在至少一些所述晶粒的内部出现反向磁畴，并且所述反向磁畴在所述晶粒的整个内部扩散。
8.一种设备，所述设备包括根据权利要求1至7中任一项所述的永磁体。
【技术特征摘要】
1.一种永磁体，所述永磁体包括烧结体，所述烧结体具有以下组成：
2.根据权利要求1所述的永磁体，所述永磁体还包括zr：1.7wt％至2.5wt％。
3.根据权利要求1所述的永磁体，其中，所述晶粒具有th2zn17型结构的相和rco5型结构的相。
4.根据权利要求1所述的永磁体，其中，所述晶粒的平均晶体粒度a.g.为100μm以上。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：竹泽昌晃，町田浩明，藤原照彦，幕田裕和，
申请(专利权)人：国立大学法人九州工业大学，
类型：发明
国别省市：
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