【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具备树脂组合物层的树脂片材。进一步地，本专利技术涉及使用树脂片材制造的半导体芯片封装和其制造方法、电路基板和其制造方法、以及具备该半导体芯片封装或电路基板的半导体装置。
技术介绍
1、晶片级封装等的半导体芯片封装的制造方法通常包括在晶片等的基材上，利用树脂组合物的固化物形成固化物层的工序。固化物层例如能够作为绝缘层或密封层发挥功能。这种固化物层有时通过用包含环氧树脂和无机填充材料的树脂组合物形成树脂组合物层、使该树脂组合物层固化而形成。另外，树脂组合物层有时通过将具备该树脂组合物层的树脂片材与基材进行层压，而设置在基材上(参考专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2017-197656号公报。
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、使用了树脂片材的半导体芯片封装的制造方法有时包括：与基材的形状相适应而切割树脂组合物层、将具备切割后的树脂组合物层的树脂片材和基材进行层压，和将树脂组合物层进行固化。
3、树脂组合物层的切割通常使用刀刃进行。例如，将形成为所期望的形状的冲切刀刃(抜き刃)在树脂组合物层的厚度方向上按压，以将树脂组合物层冲裁成该冲切刀刃的形状的方式进行切割。根据该切割方法，能够容易地将树脂组合物层切割成与基材相符的形状。例如，使用圆形的晶片作为基材来制造晶片级封装的情况下，能够容易地将树脂组合物层切割成圆形。
4、可是，使用以往的树脂片材的情况下，有
5、可是，包含环氧树脂和无机填充材料的树脂组合物层较多地包含溶剂的情况下，在具备与树脂组合物层接合的膜层的树脂片材中，有时在剥离膜层时产生缺点(不良状况)。具体地，如下所述。为了保存时和搬运时的树脂组合物层的保护和处理性的提高，树脂片材有时具备与树脂组合物层接合的膜层。该膜层一般而言在半导体芯片封装中不需要，因此在半导体芯片封装的制造过程中被剥离。然而，增多树脂组合物层中的溶剂的量的情况下，存在树脂组合物层与膜层的密合强度变大的倾向。密合强度变得过大的情况下，有时不能顺畅地进行膜层的剥离，产生树脂组合物层的一部分与膜层一起被剥下的缺点。
6、这样，在切割树脂组合物层时抑制缺口的性质、与抑制树脂组合物层和膜层的密合强度而顺畅地进行膜层的剥离的性质存在权衡的关系。在以下的说明中，有时将在切割树脂组合物层时抑制该树脂组合物层的缺口的性质称为“切割性”。另外，有时将抑制树脂组合物层和膜层的密合强度而能够顺畅地进行膜层的剥离的性质称为“剥离性”。
7、本专利技术是鉴于前述的课题而创造的专利技术，其目的在于提供具备切割性和剥离性这两者均优异的树脂组合物层的树脂片材；使用了该树脂片材的半导体芯片封装的制造方法；具备将切割性和剥离性这两者均优异的树脂组合物层固化而得的固化物层的半导体芯片封装；使用了该树脂片材的电路基板的制造方法；具备将切割性和剥离性这两者均优异的树脂组合物层固化而得的固化物层的电路基板；以及具备该半导体芯片封装或电路基板的半导体装置。
8、用于解决课题的方案
9、本专利技术人为了解决前述课题而进行了努力研究。作为其结果，第一，本专利技术人得到下述见解：包括包含环氧树脂和无机填充材料的树脂组合物层的基于特定条件下加热的质量减少率p(a)、以及将树脂组合物层在其他的特定条件下加热后测得的伸长率p(b)和拉伸弹性模量p(c)的第一特定参数处于特定的范围时，能够解决前述的课题。另外，第二，本专利技术人得到下述见解：包括包含环氧树脂和无机填充材料的树脂组合物层的基于特定条件下加热的质量减少率p(a)、以及将树脂组合物层在其他的特定条件下加热后测得的维氏硬度p(d)的第二特定参数处于特定的范围时，能够解决前述的课题。而且，本专利技术人基于这些见解，完成了本专利技术。
10、即，本专利技术包含下述的内容。
11、[1]一种树脂片材，其具备树脂组合物层，其中，
12、树脂组合物层包含(a)环氧树脂和(b)无机填充材料，
13、树脂组合物层满足下述式(1)，
14、0.09≤p(a)×p(b)/p(c)≤0.3 (1)
15、(在式(1)中，
16、p(a)表示树脂组合物层的基于在190℃下加热30分钟的质量减少率(％)，
17、p(b)表示将树脂组合物层在130℃下加热30分钟后在测定温度25℃下测得的伸长率(％)，p(c)表示将树脂组合物层在130℃下加热30分钟后在测定温度25℃下测得的拉伸弹性模量(gpa))。
18、[2]一种树脂片材，其是具备树脂组合物层的树脂片材，其中，
19、树脂组合物层包含(a)环氧树脂和(b)无机填充材料，
20、树脂组合物层满足下述式(2)，
21、0.015≤p(a)/p(d)≤0.04 (2)
22、(在式(2)中，
23、p(a)表示树脂组合物层的基于在190℃下加热30分钟的质量减少率(％)，
24、p(d)表示将树脂组合物层在130℃下加热30分钟后在测定温度25℃下测得的维氏硬度(hv))。
25、[3]根据[1]或[2]所述的树脂片材，其中，树脂组合物层包含(c)弹性体。
26、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的树脂片材，其中，树脂组合物层包含(d)固化剂。
27、[5]根据[4]所述的树脂片材，其中，(d)固化剂包含马来酰亚胺系树脂。
28、[6]根据[4]或[5]所述的树脂片材，其中，(d)固化剂包含碳二亚胺系树脂。
29、[7]根据[1]～[6]中任一项所述的树脂片材，其中，树脂组合物层的厚度为1μm以上且150μm以下。
30、[8]根据[1]～[7]中任一项所述的树脂片材，其中，具备与树脂组合物层相接的膜层。
31、[9]一种半导体芯片封装的制造方法，其中，包括：
32、切割[1]～[8]中任一项所述的树脂片材的树脂组合物层的工序(i)、
33、将具备切割后的树脂组合物层的树脂片材与基材进行层压的工序(ii)、和
34、将树脂组合物层固化的工序(iii)。
35、[10]根据[9]所述的半导体芯片封装的制造方法，其中，基材包含晶片。
36、[11]根据[9]或[10]所述的半导体芯片封装的制造方法，其中，工序(i)包括在树脂组合物层的厚度方向按压刀刃而切割树脂组合物层。
37、[12]一种半导本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种树脂片材，其是具备树脂组合物层的树脂片材，其中，
2.一种树脂片材，其是具备树脂组合物层的树脂片材，其中，
3.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，树脂组合物层包含(C)弹性体。
4.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，树脂组合物层包含(D)固化剂。
5.根据权利要求4所述的树脂片材，其中，(D)固化剂包含马来酰亚胺系树脂。
6.根据权利要求4所述的树脂片材，其中，(D)固化剂包含碳二亚胺系树脂。
7.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，树脂组合物层的厚度为1μm以上且150μm以下。
8.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，具备与树脂组合物层相接的膜层。
9.一种半导体芯片封装的制造方法，其中，包括：
10.根据权利要求9所述的半导体芯片封装的制造方法，其中，基材包含晶片。
11.根据权利要求9或10所述的半导体芯片封装的制造方法，其中，工序(I)包括在树脂组合物层的厚度方向按压刀刃来切割树脂组合物层。
12.一种半导体芯片
13.一种半导体芯片封装，其中，
14.一种半导体装置，其中，具备权利要求12或13所述的半导体芯片封装。
15.一种电路基板的制造方法，其中，具备：
16.一种电路基板，其中，
17.一种电路基板，其中，
18.一种半导体装置，其中，具备权利要求16或17所述的电路基板。
...【技术特征摘要】
1.一种树脂片材，其是具备树脂组合物层的树脂片材，其中，
2.一种树脂片材，其是具备树脂组合物层的树脂片材，其中，
3.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，树脂组合物层包含(c)弹性体。
4.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，树脂组合物层包含(d)固化剂。
5.根据权利要求4所述的树脂片材，其中，(d)固化剂包含马来酰亚胺系树脂。
6.根据权利要求4所述的树脂片材，其中，(d)固化剂包含碳二亚胺系树脂。
7.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，树脂组合物层的厚度为1μm以上且150μm以下。
8.根据权利要求1或2所述的树脂片材，其中，具备与树脂组合物层相接的膜层。
...【专利技术属性】
技术研发人员：奥山英惠，阪内启之，池平秀，
申请(专利权)人：味之素株式会社，
类型：发明
国别省市：
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