【技术实现步骤摘要】
本公开涉及制造半导体装置的方法，更具体地，涉及制造包括位线结构的半导体装置的方法。
技术介绍
1、根据半导体装置的缩小，用于实现半导体装置的各个微电路图案的尺寸正在进一步减小。此外，单个微电路图案的减小会增大将位线连接到有源区域的直接接触件的图案化工艺中的制造工艺的难度。
技术实现思路
1、本公开及其专利技术构思提供了能够降低直接接触件图案化工艺的难度的制造半导体装置的方法。
2、根据专利技术构思的一些方面，提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基底上在沿第一水平方向延伸的多个字线沟槽中形成多条字线；去除基底的位于多条字线中的一对字线之间的部分以形成直接接触孔；在直接接触孔的内壁上形成包括第一衬垫、牺牲层和第二衬垫的牺牲衬垫结构；在直接接触孔中在牺牲衬垫结构上形成初步直接接触件；去除牺牲层同时留下第一衬垫和第二衬垫，以在第一衬垫和第二衬垫之间形成空气空间；在初步直接接触件上形成覆盖空气空间的上表面的位线堆叠体；对位线堆叠体进行图案化以形成在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸的多条位线；以及去除直接接触孔中的第二衬垫和初步直接接触件的侧部部分，以形成直接接触件。
3、根据专利技术构思的一些方面，提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基底的界面区域中形成界面结构；在基底的单元区域上形成在第一水平方向上延伸的多条字线；去除基底的位于多条字线中的一对字线之间的部分以形成直接接触孔；在直接接触孔的内壁上形成包括第一衬垫、牺牲层和
4、根据专利技术构思的一些方面，提供了一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：在基底的界面区域中形成界面结构；在基底的单元区域上形成在第一水平方向上延伸的多个字线沟槽；在多个字线沟槽中形成多条字线；去除基底的位于多条字线中的一对字线之间的部分以形成直接接触孔；在直接接触孔的内壁上形成包括第一衬垫、牺牲层和第二衬垫的牺牲衬垫结构；在直接接触孔中在牺牲衬垫结构上形成初步直接接触件；对初步直接接触件的上侧和牺牲衬垫结构的上侧进行平坦化使得牺牲层的上表面被暴露；去除牺牲层以在初步直接接触件周围形成空气空间；在单元区域和界面区域上形成接触初步直接接触件并覆盖空气空间的位线堆叠体，位线堆叠体包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，第一导电层覆盖空气空间的入口；以及对位线堆叠体进行图案化以形成在第二水平方向上延伸的多条位线，并且去除初步直接接触件的侧部部分以形成直接接触件。
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1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成位线堆叠体的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多条位线的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成位线时，在对第三导电层进行图案化之后，不形成附加间隔件并且对第二导电层进行图案化。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条位线的形成和直接接触件的形成使用相同的蚀刻条件在同一腔室中执行。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成直接接触件时，通过位于直接接触孔中的空气空间引入蚀刻气体使得初步直接接触件被横向蚀刻。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述多条位线之后执行直接接触件的形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成直接接触件时，第一衬垫的一部分保留在直接接触孔的内壁上，并且第一衬垫的一部分与直接接触件的底部部分分开。
10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在直接接触孔
11.根据权利要求1所述的方法，其中，直接接触件具有竖直侧壁轮廓。
12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，其中，在形成直接接触件时，通过直接接触孔中的空气空间引入蚀刻气体使得初步直接接触件被横向蚀刻。
15.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述多条位线的步骤包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在形成直接接触件时，通过位于直接接触孔中的空气空间引入蚀刻气体使得初步直接接触件被横向蚀刻。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，在形成直接接触件时，第一衬垫的一部分保留在直接接触孔的内壁上，第一衬垫的一部分与直接接触件的底部部分分开，并且直接接触件具有竖直侧壁轮廓。
19.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
20.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成位线堆叠体的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多条位线的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成位线时，在对第三导电层进行图案化之后，不形成附加间隔件并且对第二导电层进行图案化。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多条位线的形成和直接接触件的形成使用相同的蚀刻条件在同一腔室中执行。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成直接接触件时，通过位于直接接触孔中的空气空间引入蚀刻气体使得初步直接接触件被横向蚀刻。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述多条位线之后执行直接接触件的形成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成直接接触件时，第一衬垫的一部分保留在直接接触孔的内壁上，并且第一衬垫的一部分与直接接触件的底部部分分开。
10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在直接接触孔的内壁上形成直...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋昊柱，金恩靓，南奇亨，朴宰亨，李闰宰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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