【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶硅检测液的，具体涉及一种用于检测硅片损伤层的检测液及其应用。
技术介绍
1、硅单晶是重要的半导体材料，利用硅单晶的性质，可以做成各种大功率晶体管、整流器、集成电路和太阳能电池等，从硅单晶晶棒到半导体器件或太阳能电池片需要经过切片，研磨、刻蚀、抛光等工序，机加工工序会导致硅片表面产生一定厚度的机械损伤层，后续酸碱处理、物理化学抛光等工序在处理硅片表面平整度的同时需完全去除机械损伤层，若不完全去除损伤层，由于损伤层内有大量的不饱和键，容易吸附金属微粒，导致半导体器件的性能受到影响；因此需要得知硅片表面损伤层的厚度，以避免后续工序无法完全去除损伤层，避免影响最终产品的质量。
2、现有技术中，如申请号为201210231731.8的中国专利技术专利公开了一种碱性有机腐蚀溶液和利用碱性有机腐蚀溶液去除硅片表面纳米级损伤层的方法，具体公开包括一种碱性有机腐蚀溶液，包括四烷基氢氧化铵和去离子水，其中四烷基氢氧化铵的重量百分比为1%至25%，该有机腐蚀溶液成功去除多晶硅片表面的损伤层后；上述现有技术中虽然能够去除损伤层，但是仅针对多晶硅硅片，故需探究一种针对单晶硅片能够去除损伤层的检测液。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种新的用于检测硅片损伤层的检测液。
2、还有必要提供一种用于检测硅片损伤层的检测液的应用。
3、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：
4、一种用于检测硅片损伤层的检测液，用于腐蚀单晶硅片，包括铬
5、优选地，所述铬酸溶液的浓度为5%-50%，所述氢氟酸溶液的浓度为40%-49%。
6、优选地，所述铬酸溶液的浓度为5%-10%，所述铬酸与氢氟酸的体积比4~10:1。
7、优选地，所述铬酸溶液的浓度为12%-15%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~1.5:1。
8、优选地，所述铬酸溶液的浓度为20%-30%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~2:1。
9、优选地，所述单晶硅片的电阻率为：0.005ω.cm-0.02ω.cm。
10、优选地，所述单晶硅片的电阻率为：1ω.cm-4ω.cm。
11、优选地，所述单晶硅片的电阻率为：60ω.cm-90ω.cm。
12、一种用于检测硅片损伤层的检测液的应用，利用如上所述的用于腐蚀硅片损伤层的检测液检测单晶硅片的损伤层厚度。
13、与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于：
14、本专利技术提供的一种用于检测硅片损伤层的检测液，将体积比为1~10：1的铬酸溶液、氢氟酸铬酸溶液互配成检测液，单晶硅片的损伤层在检测液中会引起应力场，进行各向异性的腐蚀，使得损伤层的腐蚀速率加快，与完整晶格产生极大的速率差，故在腐蚀后的腐蚀硅片表面上完整晶格会表现为凸起来的“山丘”，损伤处则会被腐蚀为凹下去的“坑”，因此上述检测液既能腐蚀损伤层，也能够通过测量山顶与坑底的高度差，计算出损伤层的厚度，计算结果准确，为后面酸碱及物理化学抛光工艺的制定提供依据，以能够在后续酸碱处理、物理化学抛光等工序中，在处理硅片表面平整度时将机械损伤层完全去除。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于检测硅片损伤层的检测液，用于腐蚀单晶硅片，其特征在于：包括铬酸溶液、氢氟酸铬酸溶液，所述铬酸溶液与氢氟酸溶液的体积比为1~10：1。
2.如权利要求1所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-50%，所述氢氟酸溶液的浓度为40%-49%。
3.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-10%，所述铬酸与氢氟酸的体积比5~4:2~1。
4.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为12%-15%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~1.5:1。
5.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为20%-30%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~2:1。
6.如权利要求3所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述单晶硅片的电阻率为：0.005Ω.cm-0.02Ω.cm。
7.如权利要求4所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述单晶硅片的电阻率为：1Ω.cm-4
8.如权利要求5所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述单晶硅片的电阻率为：60Ω.cm-90Ω.cm。
9.一种用于检测硅片损伤层的检测液的应用，其特征在于：利用如权利要求1-8任意一项所述的用于检测硅片损伤层的检测液检测单晶硅片的损伤层厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种用于检测硅片损伤层的检测液，用于腐蚀单晶硅片，其特征在于：包括铬酸溶液、氢氟酸铬酸溶液，所述铬酸溶液与氢氟酸溶液的体积比为1~10：1。
2.如权利要求1所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-50%，所述氢氟酸溶液的浓度为40%-49%。
3.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为5%-10%，所述铬酸与氢氟酸的体积比5~4:2~1。
4.如权利要求2所述的用于检测硅片损伤层的检测液，其特征在于：所述铬酸溶液的浓度为12%-15%，所述铬酸与氢氟酸的体积比1~1.5:1。
5.如权利要求2所述的用于检测硅片损...
【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，丁亚国，吴悦，
申请(专利权)人：宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。