System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种电平转换电路制造技术_技高网

一种电平转换电路制造技术

技术编号:40306089 阅读:12 留言:0更新日期:2024-02-07 20:51
本发明专利技术实施例涉及电路设计技术领域,公开了一种电平转换电路,包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、交叉耦合单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和第四开关单元,本发明专利技术实施例提供的电平转换电路通过增加两个电流镜,可大幅缩短电平转换过程中竞争状态的时间,加快电平转换电路的输出电压上升或下降的速度,进而提升电平转换电路的可工作频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及电路设计,特别涉及一种电平转换电路


技术介绍

1、电平转换(level shift)电路,是一种可应用于两种电压规格不同的设备或芯片之间的通信的电路,电平转换电路通常可以实现同电压相互传输,或者,低电压向高电压传输,或者,高电压向低电压传输。

2、图1为传统的电平转换电路,且以vh电压高(例如3.3v)而vl电压低(例如0.8v)为例,此电路中采用了原生mos管(nativemos管)管来防止低压mos管m1和低压mos管m2过压。

3、对于图1这类传统的电平转换电路,申请人发现以上相关技术中至少存在如下问题:原生mos管兼具低驱动能力和大面积两大特点,这会导致vout输出高电平的速度远慢于输出低电平的速度,使得电平转换时间很长,从而导致电平转换电路可支持的工作频率较低,一般在100mhz以下。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种电平转换电路,能够解决电平转换速度慢的问题。

2、本专利技术实施例的目的是通过如下技术方案实现的:

3、为解决上述技术问题,本专利技术实施例中提供了一种电平转换电路,包括:输入端分别与电源电压连接的第一电流镜单元、第二电流镜单元和交叉耦合单元;以及,第一开关单元,其输入端用于接入所述电平转换电路的输入电压,其输出端与所述交叉耦合单元连接;第二开关单元,其输入端用于接入所述输入电压的反向电压,其输出端与所述交叉耦合单元连接,且有,其输出端为所述电平转换电路的输出节点、用于输出所述电平转换电路的输出电压;第三开关单元,分别与所述第一电流镜单元的输出端和所述第一开关单元的控制端连接;第四开关单元,分别于所述第二电流镜单元的输出端和所述第二开关单元的输入端连接。

4、在一些实施例中,所述交叉耦合电路包括:第一开关管,其源极用于输入所述电源电压,其漏极与所述第一开关单元的输出端连接;第二开关管,其漏极用于输入所述电源电压且与所述第一开关管的源极连接,其源极分别与所述第二开关单元的输出端和所述第一开关管的栅极连接,其栅极分别与所述第一开关单元的输出端和所述第一开关管的漏极连接;所述第一开关管和所述第二开关管的导通时间不交叠,且所述输入电压为高电平时所述第一开关管导通且所述第二开关管关闭,所述输入电压为低电平时所述第一开关管关闭且所述第二开关管导通。

5、在一些实施例中,所述第一电流镜单元包括:第三开关管,其源极用于输入所述电源电压,其漏极与所述第三开关单元的输出端连接,其栅极还与其漏极连接;第四开关管,其漏极用于输入所述电源电压且与所述第三开关管的源极连接,其源极分别与所述交叉耦合单元和所述第一开关单元的输出端连接,其栅极与所述第三开关管的栅极连接。

6、在一些实施例中,所述第二电流镜单元包括:第五开关管,其源极用于输入所述电源电压,其漏极分别与所述交叉耦合单元和所述第二开关单元的输出端连接;第六开关管,其漏极用于输入所述电源电压且与所述第五开关管的源极连接,其源极与所述第四开关单元的输出端连接,其栅极与所述第五开关的栅极连接,且其栅极还与其漏极连接。

7、在一些实施例中,所述第一开关管、所述第二开关管、所述第三开关管、所述第四开关管、所述第五开关管和所述第六开关管为pmos管。

8、在一些实施例中,所述第一开关单元包括:第一晶体管,其栅极与所述第三开关电源的输入端连接,其源极用于接入所述输入电压,其漏极分别与所述耦合交叉单元和所述第一电流镜单元连接,且有,其源极为所述第一开关单元的输入端,其漏极为所述第一开关单元的输出端,其栅极为所述第一开关单元的控制端。

9、在一些实施例中,所述第二开关单元包括:第二晶体管,其栅极与所述第一开关单元的输入端连接,其源极用于接入所述输入电压的反向电压,其漏极分别与所述耦合交叉单元和所述第二电流镜单元连接,且有,其源极为所述第二开关单元的输入端,其漏极为所述第二开关单元的输出端。

10、在一些实施例中,所述第三开关单元包括:第三晶体管,其漏极与所述第一电流镜单元连接,其源极与所述第一开关单元的控制端连接,其源极为所述第三开关单元的输入端且还用于在所述输入电压由高电平变为低电平时输出低电平脉冲。

11、在一些实施例中,所述第四开关单元包括:第四晶体管,其漏极与所述第二电流镜单元连接,其栅极与所述第二开关单元的输入端连接,其源极为所述第四开关电源的输入端且还用于在所述输入电压由低电平变为高电平时输出低电平脉冲。

12、在一些实施例中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管为nmos管。

13、与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:区别于现有技术的情况,本专利技术实施例中提供了一种电平转换电路,包括第一电流镜单元、第二电流镜单元、交叉耦合单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和第四开关单元,本专利技术实施例提供的电平转换电路通过增加两个电流镜,可大幅缩短电平转换过程中竞争状态的时间,加快电平转换电路的输出电压上升或下降的速度,进而提升电平转换电路的可工作频率。

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【技术保护点】

1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的电平转换电路,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的电平转换电路,其特征在于,

6.根据权利要求1-5任一项所述的电平转换电路,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的电平转换电路,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的电平转换电路,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的电平转换电路,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的电平转换电路,其特征在于,

【技术特征摘要】

1.一种电平转换电路,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电平转换电路,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的电平转换电路,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的电平转换电路,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的电平转换电路,其特征在于,

6....

【专利技术属性】
技术研发人员:殷强
申请(专利权)人:深圳市中科蓝讯科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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