单片机IO口的扩展电路制造技术

技术编号:4030469 阅读:684 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种能够在成本较低的前提下来解决IO口短缺问题的单片机IO口的扩展电路,它包括第一、二、三、四、五电阻和第一、二三极管;第一、二电阻的一端均与单片机的IO口连接,第一电阻的另一端和第三电阻的一端均与第一三极管的基极连接,第一三极管的发射极和第三电阻的另一端均与第五电阻的一端连接,该第五电阻的一端还与单片机的工作电源连接,第一三极管的集电极作为第一信号输出端;第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第二三极管的基极连接,第二三极管的发射极和第四电阻的另一端均与接地端连接,第二三极管的集电极与第五电阻的另一端连接,第二三极管的集电极作为第二信号输出端。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及单片机
,具体讲是一种单片机 ο 口的扩展电路。
技术介绍
目前的单片机,其IO 口一般与被控对象连接,由于IO 口个数往往是固定的,所以 当被控对象较多时,就会造成IO 口短缺的问题,解决此问题的方法往往是更换IO 口个数更 多的单片机,这样虽然解决了问题,但是成本大大增加。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是,提供一种能够在成本较低的前提下来解决IO 口短缺问题的单片机IO 口的扩展电路。本技术的技术方案是,本技术单片机IO 口的扩展电路,它包括第一、二、 三、四、五电阻和第一、二三极管,第一、二三极管分别为PNP型三极管和NPN型三极管;第 一、二电阻的一端均与单片机的IO 口连接,第一电阻的另一端和第三电阻的一端均与第 一三极管的基极连接,第一三极管的发射极和第三电阻的另一端均与第五电阻的一端连 接,该第五电阻的一端还与单片机的工作电源连接,第一三极管的集电极作为第一信号输 出端;第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第二三极管的基极连接,第二三极管的发 射极和第四电阻的另一端均与接地端连接,第二三极管的集电极与第五电阻的另一端连 接,第二三极管的集电极作为第二信号输出端;所述单片机为能够通过其内置程序对单片 机的其中一个IO 口单独进行输入/输出状态指定的单片机,且输入电平为CMOS输入电平, 输出形式为CMOS三态。第一、二电阻的阻值相等,为1ΚΩ ;第三、四电阻的阻值相等,为200 Ω ;第五电阻 的阻值为5. IKΩ ;单片机的工作电源的输入电压为5V。采用上述结构后,本技术与现有技术相比,具有以下优点本技术的工作原理是,当单片机的IO 口的状态改变时,即当单片机的IO 口输 出0或1或单片机的IO置为输入口时,将得到第一三极管的基极点的电压和第二三极管的 基极点的电压,第一三极管的基极点的电压与第一三极管的发射极的电压相比较,将决定 第一三极管是否导通,第一三极管导通,则第一信号输出端输出1,不导通,第一信号输出端 输出0 ;第二三极管的基极点的电压与第二三极管的发射极的电压相比较,将决定第二三 极管是否导通,第二三极管导通,则第二信号输出端输出0,不导通,第二信号输出端输出 1。简单的说,单片机的IO 口的状态改变决定了第一三极管和第二三极管的导通与 否,这样,单片机的IO 口通过本技术,就能得到两个信号输出端,从而解决了 IO 口短缺 的问题,而且采用的元器件数量少,连接关系简单,成本低,所以本技术具有能够在成 本较低的前提下来解决IO 口短缺问题的优点。附图说明附图是本技术单片机IO 口的扩展电路的电路原理图。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明。本技术单片机IO 口的扩展电路,它包括第一、二、三、四、五电阻(Rl、R2、R3、 R4、R5)和第一、二三极管(Q1、Q2),第一、二三极管分别为PNP型三极管和NPN型三极管 ’第 一、二电阻的一端均与单片机的IO 口(P1.0)连接,第一电阻的另一端和第三电阻的一端均 与第一三极管的基极连接,第一三极管的发射极和第三电阻的另一端均与第五电阻的一端 连接,该第五电阻的一端还与单片机的工作电源连接,第一三极管的集电极作为第一信号 输出端(Uol);第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第二三极管的基极连接,第二三 极管的发射极和第四电阻的另一端均与接地端连接,第二三极管的集电极与第五电阻的另 一端连接,第二三极管的集电极作为第二信号输出端(Uo2);所述单片机为能够通过其内 置程序对单片机的其中一个IO 口单独进行输入/输出状态指定的单片机,且输入电平为 CMOS输入电平,输出形式为CMOS三态。本技术单片机IO 口的扩展电路用于扩展具有 上述特点的单片机,这类单片机为市售常用。本例中,第一、二电阻的阻值相等,为1ΚΩ ;第三、四电阻的阻值相等,为200 Ω ;第 五电阻的阻值为5. IKΩ ;单片机的工作电源的输入电压为5V。在数字电路中,高电位一般定义为1,低电位一般定义为0,本例中也是这样。当单片机Ρ1.0输出为0时,Ubl点的电压为(1000/1200) *5V = 4. 16V,Ql三极管 发射极电压是5V,PNP型三极管Ql的发射极与基极压差为0. 84V大于三极管的导通条件 (0. 6-0. 7V),Ql导通Uol输出为1 ;此时Ub2点输出为0,三极管Q2截止,Uo2输出为1。当单片机Pl. 0输出为1时,Ubl点的电压5V,Ql三极管的发射极电压是5V,PNP 型三极管Ql的发射极与基极压差为0V,不满足三极管的导通条件(0. 6-0. 7V),Ql截止Uol 输出为0 ;此时Ub2点输出为(200/1200) *5V = 0. 83V,大于三极管的导通条件(0. 6-0. 7V), 三极管Q2导通,故Uo2输出为0。当单片机Pl. 0置为输入口时,单片机的Pl. 0处于高阻状态,相当于开路,Ubl点 的电压为(2200/2400) *5V = 4. 58V,Ql三极管的发射极电压是5V,PNP型三极管Ql的发 射极与基极压差为0. 42V小于三极管的导通条件(0. 6-0. 7V),Ql截止Uol输出为0 ;此时 Ub2点输出为0. 41V,三极管Q2截止,故Uo2输出为1。经过上述信号转换,单片机Pl. 0被扩展成Uol和Uo2,即一个单片机的IO 口被扩 展成了两个信号输出端,并且输出信号Uol、Uo2有三种组合方式,分别是1、1 ;0,0 ;0、1。权利要求一种单片机IO口的扩展电路,其特征在于,它包括第一、二、三、四、五电阻和第一、二三极管,第一、二三极管分别为PNP型三极管和NPN型三极管;第一、二电阻的一端均与单片机的IO口连接,第一电阻的另一端和第三电阻的一端均与第一三极管的基极连接,第一三极管的发射极和第三电阻的另一端均与第五电阻的一端连接,该第五电阻的一端还与单片机的工作电源连接,第一三极管的集电极作为第一信号输出端;第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第二三极管的基极连接,第二三极管的发射极和第四电阻的另一端均与接地端连接,第二三极管的集电极与第五电阻的另一端连接,第二三极管的集电极作为第二信号输出端;所述单片机为能够通过其内置程序对单片机的其中一个IO口单独进行输入/输出状态指定的单片机,且输入电平为CMOS输入电平,输出形式为CMOS三态。2.根据权利要求1所述的单片机IO口的扩展电路,其特征在于,第一、二电阻的阻值相 等,为1ΚΩ ;第三、四电阻的阻值相等,为200 Ω ;第五电阻的阻值为5. IK Ω ;单片机的工作 电源的输入电压为5V。专利摘要本技术公开了一种能够在成本较低的前提下来解决IO口短缺问题的单片机IO口的扩展电路,它包括第一、二、三、四、五电阻和第一、二三极管;第一、二电阻的一端均与单片机的IO口连接,第一电阻的另一端和第三电阻的一端均与第一三极管的基极连接,第一三极管的发射极和第三电阻的另一端均与第五电阻的一端连接,该第五电阻的一端还与单片机的工作电源连接,第一三极管的集电极作为第一信号输出端;第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第二三极管的基极连接,第二三极管的发射极和第四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单片机IO口的扩展电路,其特征在于,它包括第一、二、三、四、五电阻和第一、二三极管,第一、二三极管分别为PNP型三极管和NPN型三极管;第一、二电阻的一端均与单片机的IO口连接,第一电阻的另一端和第三电阻的一端均与第一三极管的基极连接,第一三极管的发射极和第三电阻的另一端均与第五电阻的一端连接,该第五电阻的一端还与单片机的工作电源连接,第一三极管的集电极作为第一信号输出端;第二电阻的另一端和第四电阻的一端均与第二三极管的基极连接,第二三极管的发射极和第四电阻的另一端均与接地端连接,第二三极管的集电极与第五电阻的另一端连接,第二三极管的集电极作为第二信号输出端;所述单片机为能够通过其内置程序对单片机的其中一个IO口单独进行输入/输出状态指定的单片机,且输入电平为CMOS输入电平,输出形式为CMOS三态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵新荣
申请(专利权)人:宁波海诚电器有限公司
类型:实用新型
国别省市:97[中国|宁波]

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