【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、由于诸如小型化、多功能性和/或低制造成本的特征，半导体装置在电子工业中是重要元件。半导体装置可分为用于存储逻辑数据的半导体存储器装置、用于处理逻辑数据的半导体逻辑装置和包括储存元件和逻辑元件的混合半导体装置。随着电子工业的高度发展，对半导体装置特性的要求越来越高。例如，对半导体装置的高可靠性、高速度和/或多功能性的需求正在增加。为了满足这些所需的特性，半导体装置中的结构变得越来越复杂，并且半导体装置变得越来越高度集成。
技术实现思路
1、一个或多个示例实施例提供了一种具有改进的电特性的半导体装置。根据示例实施例的各方面，一种半导体装置包括：衬底；静态随机存取存储器(sram单元)，其包括衬底上的通过栅极晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管，其中，通过栅极晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管中的每一个包括：有源鳍，其在第一方向上延伸并且相对于器件隔离层向上突出；沟道层，其设置在有源鳍上并且彼此间隔开；
2、栅电极，其与有源鳍交叉，在第二方向上延伸，并且包围沟道层，栅电极包括设置在沟道层之间以及有源鳍与沟道层中的最下面的沟道层之间的内部；栅极电介质层，其设置在沟道层与栅电极之间；源极/漏极区，其在栅电极的两侧上设置在有源鳍上，并且连接至沟道层；以及内间隔件，其设置在栅电极的内部与源极/漏极区之间，其中，通过栅极晶体管的内间隔件包括第一内间隔件，其中，下拉晶体管的内间隔件包括第二内间隔件，其中，设置在不同的高度水平上的第一内间隔件的至少一部分在第
3、根据示例实施例的各方面，一种半导体装置包括：衬底；sram单元，其包括衬底上的通过栅极晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管，其中，sram单元包括在第一方向上延伸的有源鳍，其中，通过栅极晶体管和下拉晶体管在第一方向上邻近于彼此设置在有源鳍上，其中，通过栅极晶体管包括设置在有源鳍上的第一沟道层、与有源鳍交叉并且包围第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的两侧上设置在有源鳍上的第一源极/漏极区，其中，通过栅极晶体管还包括第一内间隔件，其接触第一沟道层的对应下表面、接触第一源极/漏极区，并且其中第一内间隔件设置在第一栅电极的两侧上，其中，下拉晶体管包括设置在有源鳍上的第二沟道层、与有源鳍交叉并且包围第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的两侧上设置在有源鳍上的第二源极/漏极区，其中，下拉晶体管还包括第二内间隔件，其接触第二沟道层的对应下表面、接触第二源极/漏极区，并且其中第二内间隔件设置在第二栅电极的两侧上，并且其中，第一内间隔件中的至少一个和第二内间隔件中的至少一个设置在相同高度水平上，并且在第一方向上具有不同厚度。
4、根据示例实施例的各方面，一种半导体装置包括：衬底；sram单元，其包括衬底上的通过栅极晶体管、下拉晶体管和上拉晶体管，其中，sram单元包括在第一方向上延伸的有源鳍，其中，通过栅极晶体管和下拉晶体管在有源鳍上在第一方向上邻近于彼此设置，其中，通过栅极晶体管包括有源鳍上的第一沟道层、与有源鳍交叉并且包围第一沟道层的第一栅电极、第一沟道层与第一栅电极之间的第一栅极电介质层、以及在第一栅电极的两侧上设置在有源鳍上的第一源极/漏极区，其中，下拉晶体管包括有源鳍上的第二沟道层、与有源鳍交叉并且包围第二沟道层的第二栅电极、第二沟道层与第二栅电极之间的第二栅极电介质层、以及在第二栅电极的两侧上设置在有源鳍上的第二源极/漏极区，其中，第一栅电极包括第一内间隔件之间的第一内部，其中，第二栅电极包括第二内间隔件之间的第二内部，并且其中，第一内部中的至少一个和第二内部中的至少一个设置在彼此相同的高度水平上，并且在第一方向上具有不同的栅极长度。
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1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区包括共享的源极/漏极区，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述共享的源极/漏极区接触所述第一内间隔件和所述第二内间隔件。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过栅极晶体管的栅电极包括具有第一内部的第一栅电极，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件包括在所述第一方向上具有第一厚度的第一层、在所述第一方向上具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二层、和在所述第一方向上具有小于所述第二厚度的第三厚度的第三层，并且
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一厚度大于所述第四厚度，
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一厚度小于所述第四厚度，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述内间隔件具有朝着所述栅电极的所述内部弯曲并且凸出的侧表面。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极还包括所述沟道层中的最上面的沟道层上的上部。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区包括共享的源极/漏极区，
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述共享的源极/漏极区接触所述第一内间隔件和所述第二内间隔件。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通过栅极晶体管的栅电极包括具有第一内部的第一栅电极，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一内间隔件包括在所述第一方向上具有第一厚度的第一层、在所述第一方向上具有小于所述第一厚度的第二厚度的第二层、和在所述第一方向上具有小于所述第二厚度的第三厚度的第三层，并且
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一厚度大于所述第四厚度，
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第一厚度小于所述第四厚度，
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述内间隔件具有朝着所述栅电极的所述内部弯曲并且凸出的侧表面。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极还包括所述沟道层中的最上面的沟道层上的上部。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源极/漏极区的下端位于低于所述内间隔件当中的最下面的内间隔件的水平上。
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：李承勋，尹锡玄，李教旭，李慧珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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