【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其涉及气体混合结构、匀气装置及预清洗设备。
技术介绍
1、晶圆在进行薄膜沉积前，需要先经过预清洗工艺，也就是利用等离子体与反应气体混合后对晶圆表面的污染物进行刻蚀，从而确保薄膜沉积的质量。而预清洗工艺中，就需要用到匀气装置来确保气体能够均匀流向晶圆。
2、公开号为cn104810238a中国专利技术专利公开了一种匀气结构及等离子体系统，所述匀气结构包括匀气板与进气板；所述匀气板上设置通孔；所述进气板覆盖在所述匀气板的通孔上，所述进气板上设置喷气孔。所述等离子体系统包括腔体、介质窗、喷嘴与所述的匀气结构；所述介质窗置于所述腔体的开口上；所述介质窗的中部设置安装孔，所述喷嘴插入所述安装孔中，介质窗上设置有射频线圈和射频电源；所述匀气板置于所述喷嘴的下方，并安装于所述介质窗上；气体从所述喷嘴中流入，经由所述通孔与所述喷气孔位置对应的重叠部分，通入所述腔体内。
3、但是气体在通过喷嘴进入匀气结构内后，再通过射频线圈和射频电源解离形成等离子体，然后再通过匀气板和进气板均匀进去腔室内，而由于射频线圈的位置影响，距离射频线圈较远位置的气体并不能有效解离，因此气体与等离子体并不能形成有效混合，则当气体和等离子体的混合气体均匀穿过匀气盘时，气体内含有的等离子体并不均匀，导致对晶圆的刻蚀均匀性变差。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种气体混合结构、匀气装置及预清洗设备，解决了现有技术中由于气体与等离子体并不能混合均匀，导致穿过匀气盘后的气
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种气体混合结构，用于将多种介质在进入匀气装置前混合均匀，其包括：
4、进气接头，所述进气接头具有混合流道及与所述匀气装置连通的出气口，所述进气接头用于与第一注气设备及第二注气设备连通，所述第一注气设备用于沿第一方向向所述混合流道内通入等离子体，所述第二注气设备用于沿第二方向向所述混合流道内通入反应气体，所述第一方向与所述第二方向相交，所述混合流道内的连通面积沿所述第一方向减小以使得所述等离子体和所述反应气体在进入所述混合流道内后形成涡旋而混合均匀。
5、可选地，所述混合流道的内壁倾斜设置。
6、可选地，所述混合流道的内壁倾斜角度介于15°至25°之间。
7、可选地，所述进气接头的一端设置用于与所述第一注气设备连通的第一进气口，另一端设置所述出气口，所述混合流道沿所述第一方向的中间位置设置用于与所述第二注气设备连通的第二进气口
8、可选地，所述第二进气口与所述混合流道的连接处设置圆弧过渡面。
9、可选地，所述气体混合结构还包括：
10、连接管，一端与所述出气口连通，另一端与所述匀气装置连通。
11、可选地，所述气体混合结构还包括：
12、调节部，可拆卸连接于所述混合流道内以调节所述混合流道的连通面积。
13、第二方面，本专利技术提供一种匀气装置，其包括：
14、匀气盖，具有通气孔；
15、匀气盘，设置于所述匀气盖并与所述匀气盖围合形成有与所述通气孔连通的匀气腔；以及
16、如第一方面中任一项所述气体混合结构，所述出气口与所述通气孔连通。
17、可选地，所述匀气装置还包括：
18、第一加热件，设置于所述匀气盖。
19、第三方面，本专利技术提供一种预清洗设备，其包括：
20、如第二方面中任一项所述的匀气装置；以及
21、底壳，设置于所述匀气盖并与所述匀气盘围合形成清洗腔，所述清洗腔用于放置产品。
22、本专利技术的有益效果：
23、第一方面，通过将混合流道的连通面积设置为沿第一方向减少，当等离子体和反应气体分别从第一方向和第二方向注入到混合流道内后，会与混合流道的内壁接触，使得等离子体和反应气体的流速发生改变，在流体粘性和惯性的作用下，就会在混合流道内形成涡旋。而且随着连通面积的减小，等离子体和反应气体的流速也会增大，进而增大了流体的惯性作用，而将等离子体和反应气体分别沿相交的两个方向注入混合流道内，使得二者在涡旋的作用下实现混合均匀，再通过出气口以较高的流速进入匀气装置内。以此该气体混合结构就能够使得等离子体和反应气体在流入匀气装置之前就形成混合均匀的混合流体，使得等离子体在反应气体内均匀分布。
24、第二方面，通过气体混合结构将等离子体和反应气体在进入匀气腔前就混合均匀形成混合流体，进入匀气腔内的混合流体再通过匀气盘而均匀流出，确保均匀流出的反应气体中等离子体的分布均匀。
25、第三方面，该预清洗设备在对产品刻蚀过程中，匀气装置能够在等离子体和反应气体均匀混合后形成混合流体，确保进入清洗腔内的等离子体分布均匀，再将混合流体均匀流入清洗腔内与晶圆接触以进行刻蚀，从而有效提高了刻蚀均匀性，改善刻蚀质量。
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1.气体混合结构，其特征在于，所述气体混合结构用于将多种介质在进入匀气装置前混合均匀，包括：
2.根据权利要求1所述的气体混合结构，其特征在于，所述混合流道(11)的内壁倾斜设置。
3.根据权利要求2所述的气体混合结构，其特征在于，所述混合流道(11)的内壁倾斜角度介于15°至25°之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的气体混合结构，其特征在于，所述进气接头(1)的一端设置用于与第一注气设备连通的第一进气口(13)，另一端设置所述出气口(12)，所述混合流道(11)沿所述第一方向(X)的中间位置设置用于与第二注气设备连通的第二进气口(14)。
5.根据权利要求4所述的气体混合结构，其特征在于，所述第二进气口(14)与所述混合流道(11)的连接处设置圆弧过渡面(144)。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的气体混合结构，其特征在于，所述气体混合结构还包括：
7.根据权利要求1至3中任一项所述的气体混合结构，其特征在于，所述气体混合结构还包括：
8.匀气装置，其特征在于，包括：
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10.预清洗设备，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.气体混合结构，其特征在于，所述气体混合结构用于将多种介质在进入匀气装置前混合均匀，包括：
2.根据权利要求1所述的气体混合结构，其特征在于，所述混合流道(11)的内壁倾斜设置。
3.根据权利要求2所述的气体混合结构，其特征在于，所述混合流道(11)的内壁倾斜角度介于15°至25°之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的气体混合结构，其特征在于，所述进气接头(1)的一端设置用于与第一注气设备连通的第一进气口(13)，另一端设置所述出气口(12)，所述混合流道(11)沿所述第一方向(x)的中间位置设置用于与第...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，沈文杰，潘文博，鲍伟铖，张凌峰，汪婷，朱凌锋，
申请(专利权)人：浙江求是创芯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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