【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种将晶圆搬送至研磨台的晶圆搬送装置。
技术介绍
1、在半导体元件的制造过程中，是对于硅晶圆等的晶圆形成电子电路。对于此半导体材料的晶圆，不仅施行研磨晶圆的正面的研磨加工，并从防止伴随处理的崩裂的观点而言，施行研磨晶圆的外缘的研磨加工(参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2009-297842号公报
技术实现思路
1、专利技术所欲解决的课题
2、另外，在研磨晶圆的外缘之际，在通过搬送装置将晶圆搬送至研磨台之后，晶圆会被吸附固定于研磨台上。然后，研磨台上的晶圆被按压于旋转的研磨鼓，并通过研磨鼓研磨晶圆的外缘。在此，在研磨台的中心与晶圆的中心产生偏差的情况下，难以将研磨鼓均匀地接触晶圆的外缘，而有导致晶圆的研磨质量下降的疑虑。因此，要求提高将晶圆搬送至研磨台时的精度，以使研磨台的中心与晶圆的中心互相靠近。
3、本专利技术目的在于的提高晶圆相对于研磨台的搬送精度。
4、解决课题的技术方案
5、一实施方式的晶圆搬送装置是将晶圆搬送至研磨所述晶圆的外缘的研磨台，并具有：第一滑件，其安装于在第一方向延伸的第一导轨，并通过第一致动器在所述第一方向被驱动；第二滑件，其安装于设在所述第一滑件的第二导轨，并通过第二致动器在与所述第一方向交叉的第二方向被驱动；搬送手，其安装于所述第二滑件，并握持被搬送至所述研磨台的所述晶圆；控制系统，其通过控制所述第一致动器，而使所述
6、专利技术效果
7、根据本专利技术的一实施例，控制系统在偏心量高于临界值的情况下，基于偏心量控制第二致动器并使搬送手在第二方向移动，且基于偏心量修正晶圆搬送时的目标距离。由此，可提高晶圆的搬送精度。
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1.一种晶圆搬送装置，将晶圆搬送至研磨所述晶圆的外缘的研磨台，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的晶圆搬送装置，其特征在于，所述测量机器测量设定于所述晶圆的外缘上的多个测量点的位置作为所述外缘数据。
3.根据权利要求2所述的晶圆搬送装置，其特征在于，所述测量机器在所述研磨台旋转的状态下测量所述测量点的位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆搬送装置，其特征在于，所述测量机器能移动至容纳于箱子的存储位置和从所述箱子出来并测量所述外缘数据的测量位置。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆搬送装置，将晶圆搬送至研磨所述晶圆的外缘的研磨台，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的晶圆搬送装置，其特征在于，所述测量机器测量设定于所述晶圆的外缘上的多个测量点的位置作为所述外缘数据。
3.根据权利要求2所...
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