【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体模块，更具体地，涉及一种具有双面散热结构的半导体模块。
技术介绍
1、随着近来在各种领域中对半导体需求的增加，除了半导体的主要功能之外，已经进行了各种研究和开发以提高特定条件下的半导体功能。
2、通常，半导体模块可以在一个封装中包括至少一个半导体器件。特别地，包括物理特性可能由于高耐压和高电流而产生的热量的增加而改变的半导体器件的半导体模块可以包括散热装置以进行散热。包括散热装置的半导体模块可以分为具有单面散热结构的半导体模块和具有双面散热结构的半导体模块。
3、特别地，已知具有双面散热结构的半导体模块在散热效果方面是有利的，因为其可以将热量散发到每个半导体器件的上部和下部两者。
4、这种具有双面散热结构的半导体模块针对每个半导体器件单独使用间隔物以用于以下目的：补偿半导体器件和双面散热基板之间的厚度偏差，形成用于注射模制材料的空间，以及半导体器件和散热基板之间的电连接。
5、然而，在使用间隔物的情况下，在将半导体器件接合到间隔物时，可能发生失准，并且由于每个间隔物的高度偏差，可能发生间隔物和双面散热基板之间的不良粘合。此外，由于需要半导体器件和间隔物之间的接合工艺以及间隔物和双面散热基板之间的接合工艺，所以存在产量降低的问题。
技术实现思路
1、本公开的一个方面旨在提供一种半导体模块及其制造方法，在该半导体模块中将半导体器件模块化为层叠类型。
2、本公开的另一方面旨在提供一种半导体模块及其制造方法，该
3、本公开的又一方面旨在提供一种半导体模块及其制造方法，该半导体模块能够使用导电夹将半导体器件的电极电连接到其上安装有半导体器件的电路板。
4、根据本公开的一个方面，提供一种半导体模块，该半导体模块包括：电路板，所述电路板具有第一表面和第二表面；第一半导体器件，所述第一半导体器件安装在所述电路板的所述第一表面上；第二半导体器件，所述第二半导体器件安装在所述电路板的所述第二表面上；第一散热基板，该第一散热基板放置在所述第一半导体器件的顶部上，其中，所述第一散热基板联接到第一半导体器件的其上形成有第二电极的第二表面；以及第二散热基板，该第二散热基板放置在所述第二半导体器件的顶部上，其中，所述第二散热基板联接到第二半导体器件的其上形成有第二电极的第二表面。
5、根据本公开的另一方面，提供一种用于制造半导体模块的方法，该方法包括：放置具有第一表面和第二表面的电路板；将第一半导体器件安装在电路板的第一表面上；将第二半导体器件安装在电路板的第二表面上；将第一散热基板放置在所述第一半导体器件的顶部上，其中，所述第一散热基板联接到第一半导体器件的其上形成有第二电极的第二表面；以及将第二散热基板放置在所述第二半导体器件的顶部上，其中，所述第二散热基板联接到第二半导体器件的其上形成有第二电极的第二表面。
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1.一种半导体模块，所述半导体模块包括：
2.根据权利要求1所述的半导体模块，所述半导体模块还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体模块还包括至少一个或更多个所述第一半导体器件和至少一个或更多个所述第二半导体器件。
4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自包括至少一个或更多个凸块，并且
5.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，所述第一半导体器件包括设置在所述第一半导体器件的第一表面和所述电路板的所述第一表面之间以将所述第一半导体器件的第一电极电连接到所述电路板的第一凸块，并且
6.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，所述导电夹至少部分地覆盖所述第一半导体器件的顶部或所述第二半导体器件的顶部。
7.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，所述第一半导体器件或所述第二半导体器件的电极通过所述导电夹电连接至所述电路板，并且
8.根据权利要求5所述的半导体模块，其中，所述第一散热基板、所述导电夹、所述第一半导体器件以及所述第一凸块的集合与
9.根据权利要求2所述的半导体模块，所述半导体模块还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体模块，其中，所述导电夹包括具有倾斜表面的连接部分，并且
...【技术特征摘要】
1.一种半导体模块，所述半导体模块包括：
2.根据权利要求1所述的半导体模块，所述半导体模块还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述半导体模块还包括至少一个或更多个所述第一半导体器件和至少一个或更多个所述第二半导体器件。
4.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件各自包括至少一个或更多个凸块，并且
5.根据权利要求2所述的半导体模块，其中，所述第一半导体器件包括设置在所述第一半导体器件的第一表面和所述电路板的所述第一表面之间以将所述第一半导体器件的第一电极电连接到所述电路板的第一凸块，并且
6.根据权利要求2所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金泰龙，金德秀，
申请(专利权)人：LX半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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