【技术实现步骤摘要】
本技术实施例是涉及集成电路，且特别是涉及一种晶体管及半导体装置。
技术介绍
1、现代集成芯片包括形成于半导体衬底(例如，硅)上的数百万或数十亿个半导体装置。依据集成芯片(integrated chip，ic)的应用而定，ic可使用许多不同类型的半导体装置。
技术实现思路
1、在本技术的实施例中，一种晶体管，包括浅沟渠隔离(sti)结构、源极区及漏极区、掺杂区、栅极电极、第一掺杂衬垫以及第二掺杂衬垫。所述浅沟渠隔离(sti)结构，在侧向上环绕在衬底之中的区域。所述源极区及漏极区，位于所述区域内，所述源极区与所述漏极区彼此间隔开且沿着一线设置。所述掺杂区，设置于所述区域内的所述在线且位于所述源极区与所述漏极区之间。所述栅极电极，包括设置于所述掺杂区上方的栅极本体以及自所述栅极本体的外边缘向下延伸以在侧向上位于所述掺杂区的侧面的第一栅极突出部及第二栅极突出部，所述第一栅极突出部与所述第二栅极突出部所具有的最近的邻近内侧壁实质上与所述线平行地延伸。所述第一掺杂衬垫，沿着所述浅沟渠隔离结构的内侧壁及底表面设置，其中所述第一掺杂衬垫将所述第一栅极突出部及所述第二栅极突出部与所述掺杂区隔开。所述第二掺杂衬垫，沿着所述浅沟渠隔离结构的外侧壁及所述底表面设置
2、在本技术的实施例中，一种半导体装置，所述半导体装置包括衬底以及设置于所述衬底内的掺杂区。栅极电极设置于所述掺杂区之上，且源极区及漏极区设置于所述掺杂区内。浅沟渠隔离(sti)结构设置于所述衬底内且在侧向上环绕所述源极区及所述漏极
3、为让本技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种晶体管，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于所述第一掺杂衬垫具有第一厚度，而所述第二掺杂衬垫具有与所述第一掺杂衬垫的所述第一厚度不同的第二厚度。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于所述第一栅极突出部的底表面及所述第二栅极突出部的底表面延伸至所述掺杂区的底表面。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于还包括栅极介电质，其中所述栅极介电质将所述栅极本体与所述掺杂区隔开且将所述第一栅极突出部及所述第二栅极突出部与所述第一掺杂衬垫隔开，其中所述栅极介电质的底表面与所述第一栅极突出部的底表面、所述第二栅极突出部的底表面及所述掺杂区的底表面实质上齐平。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于还包括沿着所述第一栅极突出部的外边缘及所述第二栅极突出部的外边缘设置的侧壁间隔件，其中所述侧壁间隔件延伸至所述浅沟渠隔离结构中且将所述第一栅极突出部的所述外边缘及所述第二栅极突出部的所述外边缘与所述浅沟渠隔离结构隔开，其中所述第一掺杂衬垫与所述第二掺杂衬垫在所述侧壁间隔件的正下方的所述浅沟渠隔离结构的所述底表面
6.一种半导体装置，其特征在于包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于所述第二掺杂衬垫厚于所述第一掺杂衬垫。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于所述第一掺杂衬垫与所述第二掺杂衬垫在所述浅沟渠隔离结构下面邻接，且其中所述第二掺杂衬垫延伸超过在所述浅沟渠隔离结构之下的所述第一掺杂衬垫。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于还包括位于所述掺杂区下方的埋入式沟道区，其中所述第一掺杂衬垫自所述掺杂区延伸至所述埋入式沟道区中，其中所述源极区、所述漏极区及所述掺杂区以第一掺杂类型掺杂；以及所述埋入式沟道区、所述第一掺杂衬垫及所述第二掺杂衬垫以第二掺杂类型掺杂，其中所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不同。
10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于所述第一掺杂衬垫在第一方向上位于所述栅极电极的正下方，且所述第一掺杂衬垫在第二方向上自所述栅极电极在侧向上偏置开，其中所述第一方向垂直于所述第二方向。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于包括：
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于所述第一掺杂衬垫具有第一厚度，而所述第二掺杂衬垫具有与所述第一掺杂衬垫的所述第一厚度不同的第二厚度。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于所述第一栅极突出部的底表面及所述第二栅极突出部的底表面延伸至所述掺杂区的底表面。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于还包括栅极介电质，其中所述栅极介电质将所述栅极本体与所述掺杂区隔开且将所述第一栅极突出部及所述第二栅极突出部与所述第一掺杂衬垫隔开，其中所述栅极介电质的底表面与所述第一栅极突出部的底表面、所述第二栅极突出部的底表面及所述掺杂区的底表面实质上齐平。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于还包括沿着所述第一栅极突出部的外边缘及所述第二栅极突出部的外边缘设置的侧壁间隔件，其中所述侧壁间隔件延伸至所述浅沟渠隔离结构中且将所述第一栅极突出部的所述外边缘及所述第二栅极突出部的所述外边缘与所述浅沟渠隔离结构隔开，其中所述第一掺杂衬垫与所述第二掺杂衬垫在所述侧壁间隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：余治宽，洪昇晖，洪丰基，许文义，刘人诚，杨敦年，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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