【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，具体是一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法。
技术介绍
1、随着gaas器件的发展，砷化镓材料的性能正受到广泛关注，半导体材料行业中，要做出合格的砷化镓晶圆，必须对砷化镓晶棒两端取片进行hall测试得出电阻率、电子迁移率、载流子浓度数据，主要是位错密度测试，最后根据检测得出的数据判断是否满足客户需求。
2、目前人们测定晶体的位错密度有两种方法：1、化学机械抛光片腐蚀；2、化学抛光液抛光腐蚀。由于砷化镓多晶取的晶片表面比较粗糙，不能通过直接用取的片放入镍锅内烧的这种方式用显微镜观察晶体的晶胞方向以及位错密度。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法，本专利技术提供的位错腐蚀液能够腐蚀砷化镓多晶，并能够直接从显微镜中观察到砷化镓多晶的位错结构，解决由于砷化镓多晶晶片表面粗糙不能直接进行腐蚀的问题和测量砷化镓晶体中的epd密度的问题。
2、本专利技术提供了一种砷化镓多晶的位错腐蚀液，其包括浓硝酸、氢氟酸和水；所述浓硝酸的质量浓度为50wt％～68wt％；所述氢氟酸的质量浓度为28wt％～40wt％；所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为(1～3)：(1～5)：(2～10)。
3、本专利技术提供的位错腐蚀液由浓硝酸、氢氟酸和纯水混合得到。在本专利技术的某些实施例中，本专利技术提供的位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水；所述
4、本专利技术还提供了一种砷化镓多晶的位错腐蚀方法，其特征在于，包括用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀；所述位错腐蚀液和上述的砷化镓多晶的位错腐蚀液一样，不再赘述。
5、本专利技术用上述位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀的温度为83℃～100℃，腐蚀的时间为1min～5min。在一个实施例中，本专利技术用上述位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀的温度为83℃，腐蚀的时间为1min。
6、本专利技术用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀后，还包括对腐蚀后的砷化镓多晶置于naoh溶液中进行烧naoh。具体而言，本专利技术将腐蚀后的砷化镓多晶置于naoh溶液中，以80～100℃进行保温10～15min。在一个实施例中，本专利技术将腐蚀后的砷化镓多晶置于naoh溶液中，以100℃保温10min进行烧naoh。本专利技术所述naoh的质量浓度大于99.0wt％。
7、本专利技术针对的砷化镓多晶具体为没有锯纹的砷化镓多晶。具体而言，本专利技术在对所述砷化镓多晶进行腐蚀前，还包括将所述砷化镓多晶进行研磨至没有锯纹并冲洗干净，避免表面锯纹影响后续epd的形貌及读数。
8、具体而言，本专利技术在对所述砷化镓多晶进行腐蚀前，还包括将所述砷化镓多晶依次进行酸洗、镶样、打磨和抛光。在一个实施例中，所述酸洗具体为：用王水清洗砷化镓多晶表面的杂质，用清水冲洗晶片表面残留的溶液。在一个实施例中，所述镶样具体为：将酸洗后的砷化镓多晶置于模具中，将质量比为4：1的环氧树脂和固化剂混料在模具中进行固化后取出。
9、在一个实施例中，所述打磨依次包括第一打磨、第二打磨、第三打磨、第四打磨和第五打磨，所述第一打磨具体为选用180目的砂纸用水为润湿剂以100～150r/min的转速打磨5～8min；所述第二打磨具体为选用360目的砂纸用水为润湿剂以150～200r/min的转速打磨5～8min；所述第三打磨具体为选用500目的砂纸用水为润湿剂以200～250r/min的转速打磨6min，且所述第三打磨的打磨方向与所述第一打磨的划痕呈90°的夹角；所述第四打磨具体为选用1200目的砂纸用水为润湿剂以200～300r/min的转速打磨5～8min，且所述第四打磨的打磨方向与所述第一打磨的划痕呈90°的夹角；所述第五打磨具体为选用2500目的砂纸用水为润湿剂以200～300r/min的转速打磨10～15min。
10、在一个实施例中，所述抛光依次包括第一抛光、第二抛光和第三抛光，所述第一抛光具体为将打磨后的砷化镓多晶和15μm的抛光剂混合后选用15μm的抛光布以100r/min的转速进行精细抛光18～25分钟，每1分钟要喷一次研磨液；所述第二抛光具体为将第一抛光后的砷化镓多晶和6μm的抛光剂混合后选用6μm的抛光布以100r/min的转速进行精细抛光13～18分钟，每1分钟要喷一次研磨液；所述第三抛光具体为将第二抛光后的砷化镓多晶和0.25μm的抛光剂混合后选用0.25μm的抛光布以100r/min的转速进行精细抛光20～30分钟，每1分钟要喷一次研磨液。
11、本专利技术对砷化镓多晶进行酸洗、镶样、打磨和抛光后，样品表面光亮，呈现出明显镜面且无划痕，即可用清水冲洗，随后用酒精擦拭水洗后的样块，干燥，得到没有锯纹的砷化镓多晶。
12、本专利技术通过上述的位错腐蚀方法对砷化镓多晶进行腐蚀后，即可对砷化镓多晶的位错密度进行测定。具体而言，本专利技术对通过上述腐蚀方法腐蚀后的砷化镓多晶进行位错观察，根据位错观察结果得到所述砷化镓多晶的位错密度。本专利技术对所述位错观察的方式无特殊限制，为本领域技术人员熟知的位错观察的方式。本专利技术对根据位错观察结果得到所述砷化镓多晶的位错密度的方法无特殊限定，为本领域技术人员所熟知。
13、本专利技术提供了一种砷化镓多晶的位错腐蚀液及其位错腐蚀方法。本专利技术以浓硝酸、氢氟酸和水的混合溶液作为砷化镓多晶的位错腐蚀液，对砷化镓多晶进行加热腐蚀，腐蚀后的砷化镓多晶的形貌较好，能够直接从显微镜中观察到砷化镓多晶的位错结构，解决由于砷化镓多晶晶片表面粗糙不能直接进行腐蚀的问题和测量砷化镓晶体中的epd密度的问题，避免了不合格砷化镓多晶流向下道工序，将质量好的砷化镓多晶用于砷化镓单晶生长，降低了加工不合格品造成的成本浪费，提高了单晶的成晶率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种砷化镓多晶的位错腐蚀液，其特征在于，其包括：浓硝酸、氢氟酸和水；
2.根据权利要求1所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。
3.根据权利要求2所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为1：1：2或者3：5：10。
4.一种砷化镓多晶的位错腐蚀方法，其特征在于，包括：用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀；
5.根据权利要求4所述的位错腐蚀方法，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。
6.根据权利要求5所述的位错腐蚀方法，其特征在于，所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为1：1：2或者3：5：10。
7.根据权利要求4所述的位错腐蚀方法，其特征在于，用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀的温度为83℃～100℃。
8.根据权利要求7所述的位错腐蚀方法，其特征在于，用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀的时间为1min～5min。
9.根据权利要求4所述的位
10.根据权利要求9所述的位错腐蚀方法，其特征在于，所述烧NaOH的温度为80～100℃，所述烧NaOH的时间为10～15min。
...【技术特征摘要】
1.一种砷化镓多晶的位错腐蚀液，其特征在于，其包括：浓硝酸、氢氟酸和水；
2.根据权利要求1所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。
3.根据权利要求2所述的位错腐蚀液，其特征在于，所述浓硝酸、氢氟酸和水的体积比为1：1：2或者3：5：10。
4.一种砷化镓多晶的位错腐蚀方法，其特征在于，包括：用位错腐蚀液对砷化镓多晶进行腐蚀；
5.根据权利要求4所述的位错腐蚀方法，其特征在于，所述位错腐蚀液包括质量浓度为68wt％的浓硝酸、质量浓度为40wt％的氢氟酸和水。
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，易明辉，张汪阳，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。