【技术实现步骤摘要】
本申请涉及射频，尤其涉及一种选择性封装方法、应用该选择性封装方法得到的封装结构以及包括该封装结构的射频模组。
技术介绍
1、射频模组是一种将滤波器、射频开关、低噪声放大器、功率放大器、双工器和多工器中的两种或者两种以上分立器件集成在同一个模组中的解决方案，可以提高射频芯片的集成度，使射频芯片进一步小型化。
2、目前的市场环境中，手机射频模组化的趋势十分明显。虽然在3g和4g早期时代，因为手机需要覆盖的频段范围并不大，射频前端常常采用分立设计方案，但到了多频多模时代，尤其是5g逐步商用化推广和普及后，手机需要非常多的器件才能满足全球频段的支持需求，射频前端变得更加复杂，而由于手机主板设计空间有限，模组化、集成化、小型化的趋势开始自然出现。这种持续增加的射频前端器件数量和pcb板可用面积之间日趋紧张的矛盾，促使高集成度的射频前端模组产品逐步发展。
3、射频模组产品的封装是其工艺中重要的一环，其可以将射频模组芯片封装在保护材料中，免受外界环境的影响，同时提供更好的电磁兼容性、热管理和机械保护。射频芯片在操作过程中，容易受到静电击穿、机械振动和湿度等的影响，封装提供的物理屏障可以增加芯片的稳定性和可靠性；同时电磁屏蔽和隔离也能够吸收外界电磁干扰，降低内部的电磁耦合与干扰，并且为芯片提供散热途径和抗物理振动及冲击等保护。
4、对于射频模组产品而言，封装过程中有一项重要的技术——对于倒装芯片来说，部分芯片(例如射频开关等)需要进行底部填充以提供更好的保护与稳定性，而部分芯片(例如声表面波滤波器saw等)不
5、如何提供一种安全可靠的选择性封装方案，以对需要进行底部填充的射频器件和不能进行底部填充的射频器件同时封装，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种选择性封装方法、应用该选择性封装方法得到的封装结构以及包括该封装结构的射频模组，以提供一种安全可靠的选择性封装方案，对需要进行底部填充的射频器件和不能进行底部填充的射频器件同时封装。
2、为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：
3、一种选择性封装方法，包括：
4、提供一基板，所述基板表面包括第一区域、第二区域和至少部分围绕所述第一区域的第三区域，所述第一区域设置有预和第一射频器件焊接的第一焊盘，所述第二区域设置有预和第二射频器件焊接的第二焊盘；
5、在所述第三区域上形成凸起结构，所述凸起结构背离所述基板的表面具有尖端；
6、在所述第一焊盘上焊接所述第一射频器件，并在所述第二焊盘上焊接所述第二射频器件，所述第二射频器件的功能区和所述基板表面之间具有空腔；
7、贴附隔离膜层，所述隔离膜层覆盖所述第一射频器件、所述第二射频器件、所述凸起结构以及所述基板表面，且所述隔离膜层在所述凸起结构的所述尖端处破开，形成孔洞间隙；
8、填充塑封材料，所述塑封材料覆盖所述隔离膜层，且所述塑封材料通过所述孔洞间隙填充于所述第一射频器件和所述基板表面之间，并被所述隔离膜层隔离在所述第二射频器件之外。
9、可选的，所述凸起结构的形成过程包括：
10、在所述第三区域上放置金属焊接材料；
11、通过焊接设备对所述金属焊接材料进行按压，所述焊接设备具有贯穿的通孔，且所述通孔靠近所述基板的一端呈梯形开口，在按压过程前和/或在按压过程中对所述金属焊接材料进行软化，使所述金属焊接材料在按压过程中进入所述通孔中，从而在所述第三区域上形成梯形凸台，且所述梯形凸台上具有连续的金属焊接材料；
12、将所述焊接设备向远离所述基板的方向抬高，暴露出所述梯形凸台上的部分金属焊接材料；
13、利用所述焊接设备将所述梯形凸台上暴露的金属焊接材料与所述焊接设备的所述通孔中的金属焊接材料断开，从而在所述第三区域上形成凸起结构，所述凸起结构包括所述梯形凸台和位于所述梯形凸台上的金属柱，且所述金属柱背离所述基板的表面具有尖端。
14、可选的，所述凸起结构的形成过程包括：
15、在所述第三区域上放置金属焊接材料；
16、通过焊接设备对所述金属焊接材料进行按压，所述焊接设备具有贯穿的通孔，且所述通孔靠近所述基板的一端呈梯形开口，在按压过程前和/或在按压过程中对所述金属焊接材料进行软化，使所述金属焊接材料在按压过程中进入所述通孔中，从而在所述第三区域上形成梯形凸台，且所述梯形凸台上具有连续的金属焊接材料；
17、将所述焊接设备向远离所述基板的方向抬高，并将所述焊接设备向所述梯形凸台的侧边移动，使所述梯形凸台上的金属焊接材料和所述焊接设备的所述通孔中的金属焊接材料断开，从而在所述第三区域上形成凸起结构，所述凸起结构包括所述梯形凸台和位于所述梯形凸台上的金属块，且所述金属块背离所述基板的表面具有尖端。
18、可选的，所述金属焊接材料包括au、ag、pt、al、sn和cu中的至少一种。
19、可选的，所述基板表面的第三区域设置有第三焊盘，在所述第三区域上形成凸起结构包括：
20、在所述第三区域的所述第三焊盘上形成凸起结构。
21、可选的，在所述第三区域上形成凸起结构时，该选择性封装方法还包括：
22、在所述第一焊盘上形成第一焊接结构；
23、在所述第一焊盘上焊接所述第一射频器件包括：
24、通过所述第一焊接结构将所述第一射频器件焊接在所述第一焊盘上。
25、一种封装结构，包括：
26、基板，所述基板表面包括第一区域、第二区域和至少部分围绕所述第一区域的第三区域，所述第一区域设置有预和第一射频器件焊接的第一焊盘，所述第二区域设置有预和第二射频器件焊接的第二焊盘；
27、位于所述第三区域上的凸起结构，所述凸起结构背离所述基板的表面具有尖端；
28、与所述第一焊盘焊接的第一射频器件、与所述第二焊盘焊接的第二射频器件，所述第二射频器件的功能区和所述基板表面之间具有空腔；
29、覆盖所述第一射频器件、所述第二射频器件、所述凸起结构以及所述基板表面的隔离膜层，且所述隔离膜层在所述凸起结构的所述尖端处破开，构成孔洞间隙；
30、覆盖所述隔离膜层的塑封材料，且所述塑封材料通过所述孔洞间隙填充于所述第一射频器件和所述基板表面之间，并被所述隔离膜层隔离在所述第二射频器件之外。
31、可选的，所述凸起结构位于所述第一射频器件的一侧、多侧或者四周。
32、可选的，所述凸起结构包括所述梯形凸台和位于所述梯形凸台上的金属柱，且所述金属柱背离所述基板的表面具有尖端。
33、可选的，所述凸起结构位于所述第一射频器件的四周，且沿远离所述基板表面的方向，所述金属柱的高度不低于所述第一射频器件的功能区的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种选择性封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，所述凸起结构的形成过程包括：
3.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，所述凸起结构的形成过程包括：
4.根据权利要求2或3所述的选择性封装方法，其特征在于，所述金属焊接材料包括Au、Ag、Pt、Al、Sn和Cu中的至少一种。
5.根据权利要求1-3任一项所述的选择性封装方法，其特征在于，所述基板表面的第三区域设置有第三焊盘，在所述第三区域上形成凸起结构包括：
6.根据权利要求1-3任一项所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述第三区域上形成凸起结构时，该选择性封装方法还包括：
7.一种封装结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述凸起结构位于所述第一射频器件的一侧、多侧或者四周。
9.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述凸起结构包括所述梯形凸台和位于所述梯形凸台上的金属柱，且所述金属柱背离所述基板的表面具有尖端。
10.根据
11.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述凸起结构包括所述梯形凸台和位于所述梯形凸台上的金属块，且所述金属块背离所述基板的表面具有尖端。
12.根据权利要求7-11任一项所述的封装结构，其特征在于，所述基板表面的第三区域设置有第三焊盘，所述凸起结构位于所述第三区域的所述第三焊盘上。
13.一种射频模组，其特征在于，包括采用权利要求1-6任一项所述的选择性封装方法得到的封装结构，或包括权利要求7-12任一项所述的封装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种选择性封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，所述凸起结构的形成过程包括：
3.根据权利要求1所述的选择性封装方法，其特征在于，所述凸起结构的形成过程包括：
4.根据权利要求2或3所述的选择性封装方法，其特征在于，所述金属焊接材料包括au、ag、pt、al、sn和cu中的至少一种。
5.根据权利要求1-3任一项所述的选择性封装方法，其特征在于，所述基板表面的第三区域设置有第三焊盘，在所述第三区域上形成凸起结构包括：
6.根据权利要求1-3任一项所述的选择性封装方法，其特征在于，在所述第三区域上形成凸起结构时，该选择性封装方法还包括：
7.一种封装结构，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述凸起结构位于所述第一射频器件的一侧、多侧或者四周。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜伟，高安明，郑磊，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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