【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及开关电源的，尤其涉及一种半桥驱动电路。
技术介绍
1、在全桥电路中，当输入电压高于输出电压时，需要电路工作在降压模式；电路在降压模式工作时，需要电路的左半桥工作在正常脉冲宽度调制状态，右半桥的上管单元工作在导通状态，右半桥的下管单元工作在关闭状态。当输入电压小于输出电压时，需要电路工作在升压模式；电路在升压模式工作时，需要电路的右半桥工作在正常脉冲宽带调制状态，左半桥的上管单元工作在导通状态，左半桥的下管单元工作在关闭状态。但是，现有的全桥电路工作在降压模式或升压模式时，存在一个问题，若下管单元长期处于关闭状态，则上管单元无法长时间工作在导通状态。
2、为了解决上述问题，现有技术中通过设计充电模块，在下管单元的关闭时长超出预设时长后，周期性的为自举电容充电，直至下管单元导通。但是现有的充电电路只能通过被动充电的方式对自举电容充电，存在自举电容充电速度慢的问题。
3、因此，我们需要一种既能在下管单元长时间关断状态下，保证上管单元长时间导通，又能缩短自举电容的充电时间的半桥驱动电路。
技术实现思路
1、本专利技术提供的一种半桥驱动电路，既能在半桥驱动电路的下管单元长时间关断的状态下，保证上管单元的长时间导通，又能缩短自举电容的充电时间。
2、为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术提供一种半桥驱动电路，该电路包括：半桥电路模块、自举电路模块以及充电控制模块；
4、所述半桥电路模块包括上管单元、
5、所述自举电路模块包括电感l1、第一二极管d1、第一电容c1以及第二电容c6；所述电感l1的一端与电源连接，另一端与所述第一二极管d1的正极连接，所述第一二极管d1的负极与所述第一电容c1的正极和所述第二电容c6的正极连接，所述第一电容c1的负极与所述上管控制端连接；
6、所述充电控制模块包括第一控制单元与第二控制单元，所述第一控制单元与所述第一二极管d1的正极、所述第二电容c6的负极以及所述输出端电连接，所述第二控制单元与所述第二电容c6的负极连接；
7、所述第一控制单元与所述第二控制单元交替工作，在所述第一控制单元工作时，所述电源为所述电感l1充电，所述第二电容c6并联在所述第一电容c1的两端，通过所述第一电容c1和所述第二电容c6共同为所述上管单元提供工作电源；在所述第二控制单元工作时，所述电感l1为所述第二电容c6充电，所述第一电容c1为所述上管单元提供工作电源。
8、在一种可能的实现方式中，所述第一控制单元包括第一三极管q3、第一光耦u2以及第二三极管q5；
9、所述第一三极管q3的发射极接地，所述第一三极管q3集电极与所述第一二极管d1的正极连接；
10、所述第二三极管q5的发射极接地，所述第二三极管q5的集电极与所述第一光耦u2的正极连接，所述第一光耦u2的负极与电源连接，所述第一光耦u2的发射极与所述输出端连接，所述第一光耦u2的集电极与所述第二电容c6的负极连接；
11、在所述第一控制单元工作时，所述第一三极管q3和所述第二三极管q5的基极均输入高电平信号。
12、在一种可能的实现方式中，所述第二控制单元包括第二光耦u1以及第三三极管q4；
13、所述第三三极管q4的发射极接地，所述第三三极管q4的集电极与所述第二光耦u1的负极连接，所述第二光耦u1的正极与电源连接，所述第二光耦u1的发射极接地，所述第二光耦u1的集电极与所述第二电容c6的负极连接；
14、在所述第二控制单元工作时，所述第三三极管q4的基极输入高电平信号。
15、在一种可能的实现方式中，所述半桥驱动电路还包括脉宽调制控制器；
16、所述脉宽调制控制器与所述第一三极管q3、所述第二三极管q5和所述第三三极管q4的基极连接，用于生成pwm信号以控制所述第一三极管q3、所述第二三极管q5和所述第三三极管q4的导通或关闭。
17、在一种可能的实现方式中，所述第一控制单元还包括第一电阻r1；
18、所述第一光耦u2的负极通过所述第一电阻r1与电源连接。
19、在一种可能的实现方式中，所述第二控制单元还包括第二电阻r2和第三电阻r3；
20、所述第二光耦u1的正极通过所述第二电阻r2与电源连接；
21、所述第二光耦u1的集电极通过所述第三电阻r3与所述第二电容c6的负极连接。
22、在一种可能的实现方式中，所述半桥驱动电路还包括驱动模块；
23、所述驱动模块与所述上管控制端、所述下管控制端和所述输出端电连接，用于驱动所述上管单元和所述下管单元交替产生方波信号。
24、在一种可能的实现方式中，所述驱动模块为半桥驱动芯片；
25、所述半桥驱动芯片包括高侧门极驱动输出端、高压侧浮动射极输出端以及低侧门极驱动输出端；
26、所述高侧门极驱动输出端与所述上管控制端连接，所述高压侧浮动射极输出端与所述输出端连接，所述低侧门极驱动输出端与所述下管控制端连接。
27、在一种可能的实现方式中，所述半桥驱动电路还包括第二二极管d4和第四电阻r6；
28、所述第二二极管d4的正极接地，负极与所述输出端连接；
29、所述第四电阻r6的一端与所述高压侧浮动射极输出端和所述第二二极管d4的负极连接，所述第四电阻r6的另一端与所述输出端和所述第一光耦u2的发射极连接。
30、本专利技术实施例提供的半桥驱动电路在实际应用中，通过控制第一控制单元工作，令电源为电感l1充电，同时使第二电容c6并联在第一电容c1的两端，通过第一电容c1和第二电容c6共同为上管单元提供工作电源，以使上管单元保持导通状态；通过控制第二控制单元工作，令电感l1为第二电容c6充电，仅通过第一电容c1为上管单元提供工作电源，以使上管单元继续保持导通状态；通过交替控制第一控制单元和第二控制单元导通，以使第一电容c1和第二电容c6上的电压始终保持在一个较高的电压值，从而实现在半桥驱动电路的下管单元长时间关断的状态下，保证上管单元的长时间导通；本专利技术还通过电感升压的方式实现主动充电，有效地缩短了第一电容c1和第二电容c6两个自举电容的充电时间。
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1.一种半桥驱动电路，其特征在于，包括：半桥电路模块、自举电路模块以及充电控制模块；
2.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第一控制单元包括第一三极管Q3、第一光耦U2以及第二三极管Q5；
3.根据权利要求2所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第二控制单元包括第二光耦U1以及第三三极管Q4；
4.根据权利要求3所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路还包括脉宽调制控制器；
5.根据权利要求2所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第一控制单元还包括第一电阻R1；
6.根据权利要求3所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第二控制单元还包括第二电阻R2和第三电阻R3；
7.根据权利要求2所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路还包括驱动模块；
8.根据权利要求7所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述驱动模块为半桥驱动芯片；
9.根据权利要求8所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路还包括第二二极管D4和第四电阻R6；
【技术特征摘要】
1.一种半桥驱动电路，其特征在于，包括：半桥电路模块、自举电路模块以及充电控制模块；
2.根据权利要求1所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第一控制单元包括第一三极管q3、第一光耦u2以及第二三极管q5；
3.根据权利要求2所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述第二控制单元包括第二光耦u1以及第三三极管q4；
4.根据权利要求3所述的半桥驱动电路，其特征在于，所述半桥驱动电路还包括脉宽调制控制器；
5.根据权利要求2所述的半桥...
【专利技术属性】
技术研发人员：任文军，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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