【技术实现步骤摘要】
本技术涉及长晶炉，具体为一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置。
技术介绍
1、碳化硅长晶炉是用于生产半导体材料的关键设备之一。在长晶炉内，通过对硅原料进行热解，可以生长出高质量的单晶硅棒，用于制造半导体器件。
2、在碳化硅长晶炉的早期发展阶段，供气装置一般采用单通道供气的方式，即将气体通过单一的进气口引入炉膛。然而，由于炉膛内空间较大且形状复杂，单通道供气存在气体分布不均匀的问题，导致硅棒生长中的温度和成分不均匀。随着技术的进步，多通道均匀供气装置逐渐应用于碳化硅长晶炉中。这种装置通过在炉膛内设置多个气体进气口，并采用特殊的设计和控制方式，实现了气体在炉膛内的均匀分布。多通道均匀供气装置不仅提高了硅棒的生长质量，还提高了生产效率和稳定性。
3、当前的大部分长晶炉供气装置需要在坩埚的顶盖上加上冷却环，以确保蒸发的蒸汽向上运动，并且遇冷凝结成晶体，该结构耗能多并且对于晶体附近的气体无法直接降温，降温效果不明显，其次传统的长晶炉多为单通道供气，无法实现对长晶炉内部的均匀供气。
技术实现思路
1、（一）解决的技术问题：针对现有技术的不足，本技术提供了一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，具备耗能小，降温效果明显，更有利于排除其他气体杂质，提高结晶稳定性以及双通道均匀供气的优点，解决了传统的长晶炉耗能多并且对于晶体附近的气体无法直接降温，降温效果不明显以及单通道供气，无法实现对长晶炉内部均匀供气的问题。
2、（二）技术方案：为实现上述耗能小，降温效果明显，更有
3、优选的，所述上进气管、上吸气管、下进气管为石英管。
4、优选的，所述上进气管为滑动装配在埚盖上，所述上进气管的下管口始终对准晶籽底端。
5、优选的，所述上进气管充入的惰性气体为降温处理后的冷气体。
6、优选的，所述下进气管充入的惰性气体为升温处理后的热气体。
7、优选的，所述通孔内装配有膨胀石墨环，所述上进气管、上吸气管、下进气管固定安装在膨胀石墨环内。
8、（三）有益效果：与现有技术相比，本技术提供了一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，具备以下有益效果：
9、1、该一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，通过上进气管、下进气管的配合使用，上进气管充入的惰性气体是降温处理之后的冷气体，可以直接将晶籽周围的温度降低，实现碳化硅的冷却结晶，并且该气体冲入方式使得晶籽周围的惰性气体浓度较高，分布均匀，有利于排除结晶时的杂质，提高结晶时的稳定性。
10、2、该一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，通过坩埚、埚盖、上进气管、上吸气管、下进气管、球阀的配合使用，上进气管和下进气管分别向坩埚里冲入冷惰性气体和热惰性气体，更容易使得下方的碳化硅蒸汽向上运动至晶籽处，最后冷却结晶，其次配合上吸气管的吸出惰性气体，使得坩埚内部的惰性气体呈现螺旋式上升，更容易使内部的惰性气体均匀分布在坩埚的内部，最后配合球阀的使用，可以控制进气量以及吸气量，始终保持坩埚内部气压的稳定和实时排除气体的状态。
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1.一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，包括坩埚（1）、埚盖（2）、电磁感应线圈（6）、上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5），其特征在于：所述坩埚（1）放置与电磁感应线圈（6）的正中间位置，所述埚盖（2）装配在坩埚（1）上，所述埚盖（2）底部加工有安装晶籽（11）的凸台（10），所述埚盖（2）上加工有三个通孔（7），所述通孔（7）中分别装配有上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5），所述上进气管（3）的下管口正对晶籽（11），所述上吸气管（4）的下管口正对晶籽（11），所述下进气管（5）的下管口与上进气管（3）的下管口相互垂直，所述下进气管（5）的底部靠近碳化硅粉料表面，所述上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5）的上部分别安装有球阀（9）。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，其特征在于：所述上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5）为石英管。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，其特征在于：所述上进气管（3）为滑动装配在埚盖（2）上，所述上进气管（3）的下管口始终对准晶籽（11）
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，其特征在于：所述上进气管（3）充入的惰性气体为降温处理后的冷气体。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，其特征在于：所述下进气管（5）充入的惰性气体为升温处理后的热气体。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，其特征在于：所述通孔（7）内装配有膨胀石墨环（8），所述上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5）固定安装在膨胀石墨环（8）内。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置，包括坩埚（1）、埚盖（2）、电磁感应线圈（6）、上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5），其特征在于：所述坩埚（1）放置与电磁感应线圈（6）的正中间位置，所述埚盖（2）装配在坩埚（1）上，所述埚盖（2）底部加工有安装晶籽（11）的凸台（10），所述埚盖（2）上加工有三个通孔（7），所述通孔（7）中分别装配有上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5），所述上进气管（3）的下管口正对晶籽（11），所述上吸气管（4）的下管口正对晶籽（11），所述下进气管（5）的下管口与上进气管（3）的下管口相互垂直，所述下进气管（5）的底部靠近碳化硅粉料表面，所述上进气管（3）、上吸气管（4）、下进气管（5）的上部分别安装有球阀（9）。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅长晶炉多通道均匀供气装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：许俊，尹宝堂，张德远，冯慧，王宇飞，
申请(专利权)人：常州能量方舟新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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