【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板和显示装置。
技术介绍
1、目前，现有的显示装置，需将制备有goa(gate driver on array，阵列基板的驱动电路)的第二金属层向下走做绑定，而显示区内竖向走线只有ls layer(light sheild，第一金属层，膜层可为金属铜)，为了让信号能传递下来，则需在基板的外侧区将从aa区里竖向延伸出来的ls与第二金属层转接。
2、如图1所示，现有的产品，包括基板201、第一金属层202、缓冲层203、中间绝缘层204、第二金属层205(m2 layer，膜层可为金属铜)以及钝化层206(pv layer，该膜层可为无机层氮化硅)，第一金属层202、缓冲层203、中间绝缘层204、第二金属层205以及钝化层206沿基板201厚度方向依次设置在基板201上，第一金属层202和第二金属层205通过设在缓冲层203及中间绝缘层204的孔电性连接。由于受到下层第一金属层202、第二金属层205的形貌影响，导致钝化层206在制作时爬坡段差大，存在裂纹，水汽则容易顺着裂缝进入腐蚀金属，影响产品良率。特别是在产品做可靠性测试时，由于测试条件中温度湿度较高，一般采用是60°温度和90％的湿度，在此条件状况下，产品内部有机膜会产生水汽，此时保护的无机层若发生裂缝，有机膜的水汽则会顺着裂缝进入腐蚀金属，造成goa区域烧伤，导致产品出现亮线等问题，严重影响了产品良率。
技术实现思路
1、本申请提供一种阵列基板和显示装置，以避免内部钝化层在爬坡处
2、一方面，本申请的实施例提供一种阵列基板，包括：
3、基板；
4、第一金属层，所述第一金属层位于所述基板上，所述第一金属层包括金属走线，所述金属走线包括间隔设置于所述基板上的至少两个子走线；
5、中间绝缘层，所述中间绝缘层位于所述基板上，所述中间绝缘层具有至少两个间隔设置的绝缘部，其中，所述子走线位于相邻两个所述绝缘部之间；
6、第二金属层，所述第二金属层位于所述中间绝缘层远离所述基板的一表面，所述第二金属层包括转接部和设置于所述转接部的相对两侧的两个壁部，所述转接部位于所述中间绝缘层上，且所述转接部与所述子走线接触，所述壁部与所述基板接触；以及
7、钝化层，所述钝化层位于所述第二金属层远离所述基板的一表面。
8、可选的，所述第二金属层的所述转接部包括至少两个间隔设置的下凹部分，所述下凹部分的位置与所述子走线的位置对应。
9、可选的，所述壁部包括设置于所述基板上的水平部分和从所述水平部分向上并朝向所述绝缘部的方向倾斜至所述转接部的侧壁部分。
10、可选的，所述绝缘部在所述基板的厚度方向的长度大于所述子走线在所述基板厚度方向的长度。
11、可选的，所述中间绝缘层远离所述基板的一表面与所述基板之间的间距在0.3微米至0.42微米之间。
12、可选的，相邻两个所述子走线之间的间距大于5微米。
13、可选的，所述子走线在所述基板的长度方向的长度大于5微米。
14、可选的，所述中间绝缘层的底部的外边缘与相邻的所述子走线的底部的外边缘之间的间距大于3微米。
15、可选的，所述阵列基板具有显示区和与所述显示区连接的外侧区；
16、所述第一金属层设置在所述显示区上，且所述第一金属层的金属走线从所述显示区延伸至所述外侧区内并与所述第二金属层的转接部连接。
17、另一方面，本申请还提供一种显示装置，所述显示在装置包括上述的阵列基板。
18、本申请提供的阵列基板包括基板、第一金属层、中间绝缘层、第二金属层以及钝化层；所述第一金属层位于所述基板上，所述第一金属层包括金属走线，所述金属走线包括间隔设置于所述基板上的至少两个子走线；所述中间绝缘层位于所述基板上，所述中间绝缘层具有至少两个间隔设置的绝缘部，其中，所述子走线位于相邻两个所述绝缘部之间；所述第二金属层位于所述中间绝缘层远离所述基板的一表面，所述第二金属层包括转接部和设置于所述转接部的相对两侧的两个壁部，所述转接部位于所述中间绝缘层上，且所述转接部与所述子走线接触，所述壁部与所述基板接触；所述钝化层位于所述第二金属层远离所述基板的一表面。这样，本申请提供的阵列基板增大了中间绝缘层的外边缘与子走线的边缘的距离，避免金属层的壁部与金属走线的子走线出现投影重叠，从而改善了钝化层制备时的爬坡段差，以解决钝化层爬坡处形成裂纹的问题。
19、本申请提供的显示装置，采用上述的阵列基板，能够避免钝化层爬坡处形成裂纹，从而避免钝化层爬坡处出现裂纹而导致产品出现亮线等问题，提高产品的良品率。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层的所述转接部包括至少两个间隔设置的下凹部分，所述下凹部分的位置与所述子走线的位置对应。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述壁部包括设置于所述基板上的水平部分和从所述水平部分向上并朝向所述绝缘部的方向倾斜至所述转接部的侧壁部分。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部在所述基板的厚度方向的长度大于所述子走线在所述基板厚度方向的长度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层远离所述基板的一表面与所述基板之间的间距在0.3微米至0.42微米之间。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻两个所述子走线之间的间距大于5微米。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述子走线在所述基板的长度方向的长度大于5微米。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层的底部的外边缘与相邻的所述子走线的底部的外边缘之间的间距大于3微米
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区和与所述显示区连接的外侧区；
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层的所述转接部包括至少两个间隔设置的下凹部分，所述下凹部分的位置与所述子走线的位置对应。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述壁部包括设置于所述基板上的水平部分和从所述水平部分向上并朝向所述绝缘部的方向倾斜至所述转接部的侧壁部分。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘部在所述基板的厚度方向的长度大于所述子走线在所述基板厚度方向的长度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述中间绝缘层远离所述基板的一表面与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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