【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于溅射靶材制备，具体涉及一种易氧化靶材真空热矫平方法。
技术介绍
1、半导体芯片的生产工艺中最关键的一步是物理气相沉积，物理气相沉积通常使用的磁控溅射设备最关键的消耗品之一是金属靶材，金属靶材中纯钽铌靶材是使用量非常大的靶材。靶材在加工过程中平面度超差较大，需要矫平。靶材冷矫平时材料应力较大，难矫平，需要加热矫平。
2、专利cn110218981a公开了一种铜镓靶材的制备方法，所述制备方法包括：a)将高纯铜和高纯镓混合，得到混合物料；b)在真空的条件下，将所述混合物料熔化后，进行精炼和浇铸，冷却后，得到铸锭；c)将所述铸锭进行热轧：将所述铸锭加热至700～850℃，并保温1～3h后，按照每道次减少0.25～1mm，轧制1～4道后，重新加热10～15min，得到板坯；d)将步骤c)中的板坯进行矫平，冷却后，得到的板坯经机加工后，得到铜镓靶材。该专利是将700～850℃热轧后的板坯进行矫平。
3、专利cn106947926a公开了一种大尺寸高纯铝靶材的制备方法，1)将高纯铝铸锭进行表面铣削去除表面的氧化层；2)将铸锭放入加热至230～400℃；3)在热粗轧机上进行轧制；保证单道次压下量在20～60mm，将板坯厚度轧制至40～80mm，将板坯剪切为宽幅靶材所需的长度，如700mm长，自然冷却；4)将冷却后的板坯再次加热，加热温度200～350℃，保温时间1h；5)在可逆式轧机上进行横向轧制，进行1道次轧至成品厚度；6)对板材进行200～350℃，保温时间1～2h的退火；7)板材矫平后铣削加工，获得晶
4、然而上述加热矫平方法一般适用于不易氧化的金属靶材，而对于易氧化的金属靶材，如钽靶材等，其在200℃下会在空气中氧化，无法热矫平。因此，需要探索一种易氧化靶材的热矫平方法。
技术实现思路
1、针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本专利技术的目的在于提供一种易氧化靶材真空热矫平方法。
2、本专利技术目的通过以下技术方案实现：
3、一种易氧化靶材真空热矫平方法，包括如下步骤：
4、(1)将易氧化靶材及矫平钢板放入退火包套内，矫平钢板放置在易氧化靶材上表面，将退火包套密封后抽真空处理；
5、(2)将步骤(1)的退火包套放入加热炉内，升温至退火温度进行退火处理；
6、(3)将步骤(2)处理后的退火包套从加热炉内取出，然后立即放入液压机矫平；
7、(4)将步骤(3)处理后的靶材冷却至室温，然后拆除退火包套，取出靶材。
8、进一步地，步骤(1)中所述易氧化靶材是指钽靶材。
9、进一步优选地，所述钽靶材的厚度为9～30mm，直径为240～540mm。
10、进一步地，所述矫平钢板的厚度＞2mm，直径＞易氧化靶材直径。
11、进一步地，所述退火包套采用普通钢材；退火包套由上盖板、下底座和包套外圈经焊接制成，包套外圈焊接钢材质脱气管。
12、进一步地，所述退火包套直径比易氧化靶材直径大5～10mm；包套上盖板与包套下底座间隔为11～40mm。
13、进一步地，所述易氧化靶材及矫平钢板放入退火包套内后，退火包套上盖板与下底座之间还留有1～2mm的热膨胀间隙。
14、进一步地，步骤(1)中所述抽真空处理是指抽真空至＜0.01pa。
15、进一步地，步骤(2)中所述退火温度为800～1200℃，退火处理的时间为1～3h。
16、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
17、本专利技术方法采用特定的包套真空热矫平方案处理易氧化靶材，在普通加热炉中加热后采用液压机矫平，解决了易氧化靶材在常温下难矫平，加热矫平易氧化的难题；减少靶材厚度平面度超差，减少材料损耗，降低材料生产成本。
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1.一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，步骤(1)中所述易氧化靶材是指钽靶材。
3.根据权利要求2所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述钽靶材的厚度为9～30mm，直径为240～540mm。
4.根据权利要求1所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述矫平钢板的厚度＞2mm，直径＞易氧化靶材直径。
5.根据权利要求1所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述退火包套采用普通钢材；退火包套由上盖板、下底座和包套外圈经焊接制成，包套外圈焊接钢材质脱气管。
6.根据权利要求5所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述退火包套直径比易氧化靶材直径大5～10mm；包套上盖板与包套下底座间隔为11～40mm。
7.根据权利要求5所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述易氧化靶材及矫平钢板放入退火包套内后，退火包套上盖板与下底座之间还留有1～2mm的热膨胀间隙。
8.根
9.根据权利要求2所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，步骤(2)中所述退火温度为800～1200℃，退火处理的时间为1～3h。
...【技术特征摘要】
1.一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，步骤(1)中所述易氧化靶材是指钽靶材。
3.根据权利要求2所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述钽靶材的厚度为9～30mm，直径为240～540mm。
4.根据权利要求1所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述矫平钢板的厚度＞2mm，直径＞易氧化靶材直径。
5.根据权利要求1所述的一种易氧化靶材真空热矫平方法，其特征在于，所述退火包套采用普通钢材；退火包套由上盖板、下底座和包套外圈经焊接制成，包套外圈焊接钢材质脱气管。
【专利技术属性】
技术研发人员：黄弘斌，岳晓聪，黄娟，黄宇彬，童培云，陆娟，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：
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