【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体领域，具体涉及一种半导体封装结构的制备方法。
技术介绍
1、引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，其是电子信息产业中重要的基础材料。
2、然而目前引线框架和键和材料的搭配使用无法满足大功率器件的使用需求。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体封装结构的制备方法，应用该方法制备的半导体封装结构可以满足大功率器件的使用需求。
2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：本申请提供一种半导体封装结构的制备方法，其包括：提供引线框架和封装芯片，封装芯片包括封装结构和芯片，封装结构覆盖芯片除功能面以外的区域，芯片的功能面上具有连接部；将芯片与引线框架贴装，芯片的功能面朝向引线框架，引线框架通过连接部与芯片的功能面上的焊盘连接。
3、其中，提供封装芯片的步骤，包括：在芯片的功能面的焊盘区域形成金属胶柱；固化金属胶柱，得到连接部。
4、其中，固化金属胶柱，得到连接部的步骤，包括：将引线框架压合在芯片的功能面上，压合的同时进行加热，金属胶柱固化形成连接引线框架与芯片的连接部。
5、其中，将引线框架压合在芯片的功能面上之前包括：在封装芯片上形成支撑垫，支撑垫的高度小于金属胶柱，以使压合时支撑垫支撑引线框架。
6、其中，固化金属
7、优选地，金属胶柱包括纳米铜胶柱，连接部包括铜柱。
8、其中，利用填充材料填充引线框架的间隙、芯片的功能面与引线框架之间的空隙、以及封装结构与引线框架之间的空隙。
9、其中，提供封装芯片包括：提供临时载板，将芯片的功能面贴合在临时载板上；形成封装结构，封装结构覆盖所述芯片的背面和侧面；剥离临时载板。
10、其中，在芯片的背面形成散热结构，封装结构不覆盖散热结构。
11、其中，在芯片的背面形成第二导热结构；在第二导热结构背离芯片的一侧形成散热结构。
12、其中，第二导热结构包括导热胶和/或导热金属。
13、本申请的有益效果是：通过在引线框架的承载区上方设计连接部和芯片，连接部连接引线框架和焊盘，使得大功率电流可以通过连接部在芯片和引线框架间传输，并使得该半导体封装结构可以适用于大功率器件，具有集成度高的优势，应用范围广。
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1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述固化所述金属胶柱，得到所述连接部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述将所述引线框架压合在所述芯片的功能面上之前包括：
5.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述固化所述金属胶柱，得到所述连接部包括：
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求1-5任一项所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述固化所述金属胶柱，得到所述连接部包括：
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于，所述将所述引线框架压合在所述芯片的功能面上之前包括：
5.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制备方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜茂华，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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