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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种测量设备,该测量设备用于对试件的表面、尤其是光学元件的光学表面的形状进行干涉测量,该测量设备具有:照明装置,该照明装置具有用于产生照明波的照明源,以及干涉仪装置,该干涉仪装置具有分割元件,以便将照明波分割成朝向表面的测试波、以及参考波,以及检测装置,该检测装置用于:在与待检测表面相互作用之后将返回的测试波与参考波汇合;检测干涉图案并且对干涉图案进行分析,以确定待测量的表面的形状与目标形状的偏差,以及控制装置,该控制装置被配置成用于将待测量的表面分成多个待测量的单个表面,以及定位装置,该定位装置被配置成用于将测试波以这样的方式定位到待测量的表面上,即,使得相应的单个表面被照明,其中检测装置被配置成用于,借助单个表面的数据来确定待测量的表面的至少一部分的形状与目标形状的偏差。本专利技术还涉及一种方法,该方法用于对试件的表面、尤其是光学元件的光学表面的形状进行干涉测量,根据该方法,借助于分割元件将照明波分割成朝向表面的测试波、以及参考波;据此,在与待测量的表面相互作用之后,将返回的测试波与参考波汇合并产生干涉图案;据此,对干涉图案进行分析,以确定待测量的表面的形状与目标形状的偏差;据此,将待测量的表面分成多个依次待测量的单个表面;据此,将测试波以这样的方式定位到待测量的表面上,即,使得相应的单个表面至少近似垂直地被照明。本专利技术还涉及一种处理方法,该处理方法用于对试件、尤其是光学元件进行处理,该光学元件尤其用于光刻系统、尤其是用于半导体光刻的投影曝光系统,根据该处理方法对试件的表面、尤其是光学元件的光学表面的形状进行处理,使得表面的形状至
技术介绍
1、从现有技术已知用于在投影曝光系统中对辐射进行引导和成形的光学元件。在已知的光学元件中,光学元件的表面通常对入射到光学元件上的光波进行引导和成形。因此,对表面形状的精确控制对于形成具有所需特性的精确波前是特别有利的。
2、从现有技术已知这样的光刻系统,其使用紫外线辐射、尤其是duv(深紫外,deepultra violet)光和/或euv(极紫外,extreme ultra violet)光,以形成高精度的微光刻结构。在这种情况下,辐射源的光藉由多个反射镜被引导到要曝光的晶圆上。在这种情况下,反射镜的表面形状的精确形成对于曝光品质具有决定性作用。
3、由于对光刻系统的光学元件、尤其是对反射镜表面的精度要求例如可达几分之一纳米,因此从现有技术已知的是,为了检查光刻系统的光学元件的品质而使用干涉测量方法及干涉测量设备。
4、从现有技术已知的是,使用干涉仪来检查反射镜的光学表面,其中干涉仪的测试光波相应地仅扫描反射镜的部分区域。根据现有技术,在该部分区域中与反射镜的目标形状的偏差借助于干涉法来确定。
5、从现有技术已知的设备和方法的缺点在于:为了能够以期望的可靠性和精度确定表面的形状,基于部分区域的光学表面扫描需要大量的时间成本。
技术实现思路
1、本专利技术的基本目的在于,提供一种用于对试件的表面的形状进行干涉测量的测量设备,该测量设备避免了现有技术的缺点,尤其可以实现节省时间且精确地获取表面的形状。
2、根据本专利技术,该目的通过具有下文所述特征的测量设备来实现。
3、本专利技术的基本目的还在于,提供一种用于对试件的表面的形状进行干涉测量的方法,该方法避免了现有技术的缺点,尤其可以实现节省时间且精确地获取表面的形状。
4、根据本专利技术,该目的通过具有下文所述特征的方法来实现。
5、本专利技术的基本目的还在于,提供一种用于对试件进行处理的处理方法,该处理方法避免了现有技术的缺点,尤其可以实现节省时间且精确地处理表面。
6、根据本专利技术,该目的通过具有下文所述特征的处理方法来实现。
7、本专利技术的基本目的还在于,提供一种光学元件,该光学元件避免了现有技术的缺点且尤其具有精确处理的表面。
8、根据本专利技术,该目的通过具有下文所述特征的光学元件来实现。
9、本专利技术的基本目的还在于,提供一种光刻系统,该光刻系统避免了现有技术的缺点且具有尤其以高精度成形的波前,用于对晶圆进行曝光。
10、根据本专利技术,该目的通过具有下文所述特征的光刻系统来实现。
11、根据本专利技术的测量设备用于对试件的表面、尤其是光学元件的光学表面的形状进行干涉测量,该测量设备至少具有以下项:
12、-照明装置,该照明装置具有用于产生照明波的照明源;以及
13、-干涉仪装置,该干涉仪装置具有分割元件,以便将照明波分割成朝向表面的测试波、以及参考波;以及
14、-检测装置,该检测装置用于:在与待检测表面相互作用之后将返回的测试波与参考波汇合;检测干涉图案并且对干涉图案进行分析,以确定待测量的表面的形状与目标形状的偏差;以及
15、-控制装置,该控制装置被配置成用于将待测量的表面分成多个待测量的单个表面;以及
16、-定位装置,该定位装置被配置成用于将测试波以这样的方式定位到待测量的表面上,即,使得相应的单个表面被照明,
17、其中检测装置被配置成用于,借助单个表面的数据来确定待测量的表面的至少一部分的形状与目标形状的偏差。
18、根据本专利技术提出,照明装置具有可设定的至少一个遮光装置,该遮光装置被配置成用于限定干涉仪装置的子孔径并且使其与相应待测量的单个表面相适配。
19、根据本专利技术的测量设备具有如下优点:子孔径能够优选以动态的方式与相应待测量的单个表面相适配。由此,可以以特别节省时间的方式进行对表面的测量,因为子孔径的尺寸可以与单个表面的相应预期的表面形状相适配。
20、可以提出,控制装置被配置成用于将待测量的表面以这样的方式分成多个待测量的单个表面,即,使得在相应待测量的单个表面的区域中,待测量的单个表面的尺寸和/或形状与待测量的表面的预期形状的干涉测量性相适配。尤其可以提出,在待测量的表面的可高精度干涉测量的区域中,待测量的单个表面的平面延伸范围大于待测量的光学表面的难以测量的区段。
21、通过这样使单个表面与待测量的表面的相应分区(优选以动态的方式)相适配、以及随后使子孔径与以此方式选择的单个表面相适配,可以以节省时间或时间优化的方式测量表面。换言之,根据本专利技术的测量设备可以收集基于对相应单个表面中测量精度的相应要求而优化的数据量,其中在待测量的表面的各个分区中收集的数据量不超过如下数据量,即用于实现关于待测量的表面的形状的有效性而所需的数据量。
22、在本专利技术测量设备的一个有利的改进方案中可以提出,分割元件被配置成用于形成测试波的非球面波前。
23、此外,由于分割元件被配置成用于形成测试波的非球面波前,因此对于非球面的待测本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种测量设备(1),所述测量设备用于对试件(3)的表面(2)、尤其是光学元件(116,118,119,120,121,122,Mi,207)的光学表面(2)的形状进行干涉测量,所述测量设备具有:
2.根据权利要求1所述的测量设备(1),
3.根据权利要求1或2所述的测量设备(1),
4.根据权利要求1至3之一所述的测量设备(1),
5.根据权利要求1至4之一所述的测量设备(1),
6.根据权利要求5所述的测量设备(1),
7.根据权利要求5或6所述的测量设备(1),
8.根据权利要求5至7之一所述的测量设备(1),
9.根据权利要求8所述的测量设备(1),
10.根据权利要求1至9之一所述的测量设备(1),
11.根据权利要求1至10之一所述的测量设备(1),
12.根据权利要求1至11之一所述的测量设备(1),
13.根据权利要求1至12之一所述的测量设备(1),
14.根据权利要求13所述的测量设备(1),
16.根据权利要求1至15之一所述的测量设备(1),
17.根据权利要求1至16之一所述的测量设备(1),
18.根据权利要求1至17之一所述的测量设备(1),其特征在于,
19.一种方法,所述方法用于对试件(3)的表面(2)、尤其是光学元件(116,118,119,120,121,122,Mi,207)的光学表面(2)的形状进行干涉测量,根据所述方法,
20.根据权利要求19所述的方法,
21.根据权利要求19或20所述的方法,
22.根据权利要求19、20或21所述的方法,
23.根据权利要求19至22之一所述的方法,
24.根据权利要求19至23之一所述的方法,
25.根据权利要求24所述的方法,
26.根据权利要求24所述的方法,
27.根据权利要求19至26之一所述的方法,
28.根据权利要求23至27之一所述的方法,
29.根据权利要求19至28之一所述的方法,
30.根据权利要求19至29之一所述的方法,
31.根据权利要求19至30之一所述的方法,
32.根据权利要求19至31之一所述的方法,
33.根据权利要求19至32之一所述的方法,
34.根据权利要求19至33之一所述的方法,
35.根据权利要求19至34之一所述的方法,
36.根据权利要求35所述的方法,
37.根据权利要求35所述的方法,
38.一种处理方法,所述处理方法用于对试件(3)、尤其是光学元件(116,118,119,120,121,122,Mi,207)进行处理,所述光学元件尤其用于光刻系统、尤其是用于半导体光刻的投影曝光系统(100,200),根据所述处理方法对所述试件(3)的表面(2)、尤其是所述光学元件(116,118,119,120,121,122,Mi,207)的光学表面(2)的形状进行处理,使得所述表面(2)的形状至少接近目标形状,
39.根据权利要求38所述的处理方法,
40.根据权利要求38或39所述的处理方法,
41.根据权利要求38至40之一所述的处理方法,
42.一种光学元件(116,118,119,120,121,122,Mi,207),所述光学元件尤其用于光刻系统、尤其是用于半导体光刻的投影曝光系统(100,200),
43.一种光刻系统、尤其是用于半导体光刻的投影曝光系统(100,200),所述光刻系统具有带辐射源(102)的照明系统(101,201)以及光学器件(103,109,206),所述光学器件具有至少一个光学元件(116,118,119,120,121,122,Mi,207),
...【技术特征摘要】
1.一种测量设备(1),所述测量设备用于对试件(3)的表面(2)、尤其是光学元件(116,118,119,120,121,122,mi,207)的光学表面(2)的形状进行干涉测量,所述测量设备具有:
2.根据权利要求1所述的测量设备(1),
3.根据权利要求1或2所述的测量设备(1),
4.根据权利要求1至3之一所述的测量设备(1),
5.根据权利要求1至4之一所述的测量设备(1),
6.根据权利要求5所述的测量设备(1),
7.根据权利要求5或6所述的测量设备(1),
8.根据权利要求5至7之一所述的测量设备(1),
9.根据权利要求8所述的测量设备(1),
10.根据权利要求1至9之一所述的测量设备(1),
11.根据权利要求1至10之一所述的测量设备(1),
12.根据权利要求1至11之一所述的测量设备(1),
13.根据权利要求1至12之一所述的测量设备(1),
14.根据权利要求13所述的测量设备(1),
15.根据权利要求1至14之一所述的测量设备(1),
16.根据权利要求1至15之一所述的测量设备(1),
17.根据权利要求1至16之一所述的测量设备(1),
18.根据权利要求1至17之一所述的测量设备(1),其特征在于,
19.一种方法,所述方法用于对试件(3)的表面(2)、尤其是光学元件(116,118,119,120,121,122,mi,207)的光学表面(2)的形状进行干涉测量,根据所述方法,
20.根据权利要求19所述的方法,
21.根据权利要求19或20所述的方法,
22.根据权利要求19、20或21所述的方法,
23.根据权利要求19至22之一所述的方法,
24.根据权利要求19至23之一所述的方法,
25.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·舒尔特,V·布拉尼克,M·佩什卡,
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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