【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
1、tft(薄膜晶体管)是显示面板的重要器件。为了避免外部光线照射到tft的有源层，现有技术在tft有源层下方设置金属遮光层，以保证tft的工作性能。另一方面，为提高分辨率，会降低源漏极金属走线的线幅，为提高刷新率，会将金属走线厚度增加。同时为降低源漏极金属走线与遮光层之间形成的寄生电容，两者之间的绝缘介质层厚度也需要增加。
2、如图1所示，随着遮光层ls厚度和绝缘介质层ild厚度增加的情况下，在遮光层ls的爬坡位置，绝缘介质层ild会形成凸起结构a，凸起结构a的侧壁会出现角度较大或者凹陷的情况；源漏极金属走线sd的刻蚀方式采用湿式刻蚀和干式刻蚀的情况下，凸起结构上容易出现金属b残留，如图2所示，残留的金属b会导致源漏极金属走线sd通过残留的金属b发生短路。
技术实现思路
1、基于上述现有技术中的不足，本专利技术的目的是提供一种阵列基板及显示面板，可以避免源漏极走线之间发生短路。
2、为实现上述目的，本专利技术首先提供一种阵列基板，包括：
3、基板；
4、遮光层，位于基板上；
5、绝缘介质层，包括第一介质层和第二介质层，第一介质层覆盖遮光层和基板，第二介质层位于第一介质层上，第一介质层在覆盖遮光层处形成有凸起结构；
6、金属走线层，位于第二介质层上，形成有源漏极走线，凸起结构位于相邻的源漏极走线之间；
7、薄膜晶体管层，与源漏极走线连接
8、在形成金属走线层的过程中，凸起结构上残留有金属走线层的金属走线材料，在形成第二介质层的过程中，凸起结构上的金属走线材料被清除。
9、可选地，金属走线层包括第一导电材料层和第二导电材料层，第一导电材料层位于第二介质层上，第二导电材料层位于第一导电材料层上。
10、可选地，第二介质层的尺寸大于第一导电材料层的尺寸。
11、可选地，第二介质层的尺寸比第一导电材料层的尺寸大1um至3um。
12、可选地，第一导电材料层的尺寸大于第二导电材料层的尺寸。
13、可选地，第一导电材料层的尺寸比第二导电材料层的尺寸大0.4um至1um。
14、可选地，第一导电材料层包括钛金属层，第二导电材料层包括铜金属层。
15、可选地，第一介质层包括氧化硅层和氮化硅层，氧化硅层的厚度为至氮化硅层的厚度为至
16、可选地，第二介质层的材料包括氧化铝，第二介质层的厚度为至
17、本专利技术同时提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
18、与现有技术相比，本专利技术的有益效果包括：本专利技术的阵列基板包括基板、遮光层、绝缘介质层、金属走线层和薄膜晶体管层；遮光层位于基板上；绝缘介质层包括第一介质层和第二介质层，第一介质层覆盖遮光层和基板，第二介质层位于第一介质层上，第一介质层在覆盖遮光层处形成有凸起结构；金属走线层位于第二介质层上，形成有源漏极走线，凸起结构位于相邻的源漏极走线之间；薄膜晶体管层，与源漏极走线连接；在形成金属走线层的过程中，凸起结构上残留有金属走线层的金属走线材料，在形成第二介质层的过程中，凸起结构上的金属走线材料被清除。本专利技术的阵列基板上，凸起结构没有残留金属走线材料，因此源漏极走线之间不会因为残留的金属走线材料而发生短路，保障了阵列基板的工作稳定性。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属走线层包括第一导电材料层和第二导电材料层，所述第一导电材料层位于所述第二介质层上，所述第二导电材料层位于所述第一导电材料层上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二介质层的尺寸大于所述第一导电材料层的尺寸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二介质层的尺寸比所述第一导电材料层的尺寸大1um至3um。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电材料层的尺寸大于所述第二导电材料层的尺寸。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电材料层的尺寸比所述第二导电材料层的尺寸大0.4um至1um。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电材料层包括钛金属层，所述第二导电材料层包括铜金属层。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一介质层包括氧化硅层和氮化硅层，所述氧化硅层的厚度为至所述氮化硅层的厚度为至
9.
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利和要求1至9任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属走线层包括第一导电材料层和第二导电材料层，所述第一导电材料层位于所述第二介质层上，所述第二导电材料层位于所述第一导电材料层上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二介质层的尺寸大于所述第一导电材料层的尺寸。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二介质层的尺寸比所述第一导电材料层的尺寸大1um至3um。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电材料层的尺寸大于所述第二导电材料层的尺寸。
【专利技术属性】
技术研发人员：郑帅，宋志伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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