【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及于一种电阻电容元件，且特别是指一种薄膜晶片电阻电容及其制作方法。
技术介绍
1、常见的电阻电容元件为利用电阻与电容做串联或并联设计或者通过低温陶瓷共烧工艺形成电阻电容耦合电器而达成。在现有电阻电容元件的设计上，为了达到电路的小型化，通常电阻与电容的尺寸设计空间会大幅受到限制，导致难以达到高阻值与高容值，且也会因为尺寸过小而导致可耐功率与散热效果降低。另一方面，低温陶瓷共烧工艺容易受到共烧时各自元件的热物理性质的影像而导致生产品质不佳。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种薄膜晶片电阻电容及其制作方法，其通过在电阻层或基材的上方制作额外的薄膜电容层，并通过端电极耦接电阻层和薄膜电容层而形成电阻电容元件，可在不牺牲电阻值和电容值的前提下，同时达成晶片薄化与微型化等效果。
2、本专利技术的一方面是指一种薄膜晶片电阻电容，其包含基材、电阻层、第一介质层、第一薄膜电容层、第一端电极和第二端电极。电阻层设置于基材上。第一介质层设置于电阻层上。第一薄膜电容层设置于该第一介质层上，其包含互为实体分离的第一电容电极和第二电容电极。第一端电极设置于基材的第一侧边上且耦接电阻层和第一电容电极。第二端电极设置于基材的相对于第一侧边的第二侧边上且耦接电阻层和第二电容电极。
3、依据本专利技术的一或多个实施例，上述第一电容电极和上述第二电容电极为梳状电极，且上述第一电容电极的电极分支和上述第二电容电极的电极分支为交替设置。
4、依据本专利技术的一或多个实施例，
5、依据本专利技术的一或多个实施例，上述薄膜晶片电阻电容还包含第二薄膜电容层，其设置于上述基材的相对于上述电阻层的另一侧上，且其包含互为实体分离且分别耦接上述第一端电极和上述第二端电极的第三电容电极和第四电容电极。
6、依据本专利技术的一或多个实施例，上述第三电容电极和上述第四电容电极为梳状电极，且上述第三电容电极的电极分支和上述第四电容电极的电极分支为交替设置。
7、依据本专利技术的一或多个实施例，上述薄膜晶片电阻电容还包含第三介质层，其设置于上述第二薄膜电容层上且覆盖上述第三电容电极的电极分支和上述第四电容电极的电极分支。
8、本专利技术另一方面是指一种制作薄膜晶片电阻电容的方法，其包含：提供基材；在基材上形成电阻层；在电阻层上形成第一介质层；在第一介质层上形成第一薄膜电容层，此第一薄膜电容层包含互为实体分离的第一电容电极和第二电容电极；在基材的第一侧边上形成耦接电阻层和第一电容电极的第一端电极；以及在基材的相对于第一侧边的第二侧边上形成耦接电阻层和第二电容电极的第二端电极。
9、依据本专利技术的一或多个实施例，上述方法还包含在上述第一薄膜电容层上形成第二介质层，此第二介质层覆盖上述第一电容电极的电极分支和上述第二电容电极的电极分支。
10、依据本专利技术的一或多个实施例，上述方法还包含在上述基材的相对于上述电阻层的另一侧上形成第二薄膜电容层，此第二薄膜电容层包含互为实体分离且分别耦接上述第一端电极和上述第二端电极的第三电容电极和第四电容电极。
11、依据本专利技术的一或多个实施例，上述方法还包含在上述第二薄膜电容层上形成第三介质层，此第三介质层覆盖上述第三电容电极的电极分支和上述第四电容电极的电极分支。
12、本专利技术的有益效果至少在于，本专利技术所提出的薄膜晶片电阻电容及其制作方法，可在不牺牲电阻值和电容值的前提下，同时达成晶片薄化与微型化等效果。
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1.一种薄膜晶片电阻电容，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，该第一电容电极和该第二电容电极为梳状电极，且该第一电容电极的电极分支和该第二电容电极的电极分支为交替设置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，还包含：
4.根据权利要求1所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，还包含：
5.根据权利要求4所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，该第三电容电极和该第四电容电极为梳状电极，且该第三电容电极的电极分支和该第四电容电极的电极分支为交替设置。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，还包含：
7.一种制作薄膜晶片电阻电容的方法，其特征在于，包含：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包含：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包含：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包含：
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶片电阻电容，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，该第一电容电极和该第二电容电极为梳状电极，且该第一电容电极的电极分支和该第二电容电极的电极分支为交替设置。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，还包含：
4.根据权利要求1所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，还包含：
5.根据权利要求4所述的薄膜晶片电阻电容，其特征在于，该第...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧胜利，林广成，施伯勋，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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