【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及图像传感器、半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、在各种消费电子和工业电子中都可以发现图像传感器。例如，数码相机、数字视频系统和诸如复印机、扫描仪等的其它图像捕获器件使用图像传感器捕获场景并且将该场景转换为图像。图像捕获器件中常用的一种图像传感器是固态图像传感器，诸如互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器。当固态图像传感器的像素阵列暴露于光时，像素阵列的光敏传感器将光转换成电压。随后测量由各个光敏传感器生成的电压，并且将该电压用于生成或重建图像。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施例提供了一种图像传感器，包括：光敏传感器；浮置扩散节点；复位晶体管，包括耦合至所述浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极；源极跟随器晶体管，包括耦合至所述浮置扩散节点的栅极和耦合至所述复位晶体管的所述第二源极/漏极的第一源极/漏极；以及第一细长接触件，接触所述复位晶体管的第二源极/漏极和所述源极跟随器晶体管的第一源极/漏极，其中：所述第一细长接触件在水平截面中具有第一尺寸，并且在所述水平截面中具有第二尺寸，所述第二尺寸垂直于所述第一尺寸，以及所述第二尺寸小于所述第一尺寸。
2、本专利技术的另一实施例提供了一种半导体器件，包括：第一栅极；第一侧壁间隔件，与所述第一栅极相邻；第一源极/漏极，其中，所述第一侧壁间隔件位于所述第一栅极和所述第一源极/漏极之间；第二栅极；第二侧壁间隔件，位于所述第一源极/漏极和所述第二栅极之间；以及第一接触件，接触
3、本专利技术的又一实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一栅极；形成与所述第一栅极相邻的第一侧壁间隔件；形成第一源极/漏极；在所述第一栅极、所述第一侧壁间隔件和所述第一源极/漏极上方形成介电层；蚀刻所述介电层以限定暴露所述第一侧壁间隔件和所述第一源极/漏极的接触凹槽；蚀刻通过所述接触凹槽暴露的所述第一侧壁间隔件；以及在所述接触凹槽中形成接触所述第一侧壁间隔件和所述第一源极/漏极的第一接触件。
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一细长接触件覆盖并接触所述第一侧壁间隔件或所述第二侧壁间隔件中的至少一个，并且所述至少一个具有第一表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：栅极覆盖层，位于所述复位晶体管的栅极上方。
5.一种半导体器件，包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一尺寸和所述第二尺寸之间的比率在1.2和10之间。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，
8.一种形成半导体器件的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一尺寸和所述第二尺寸之间的比率在1.2和10之间。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述介电层的材料成分不同于所述第一侧壁间隔件的材料成分。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一细长接触件覆盖并接触所述第一侧壁间隔件或所述第二侧壁间隔件中的至少一个，并且所述至少一个具有第一表面。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，还包括：栅极覆盖层，位于所述复位晶体管的栅极上方。
5.一种半导体器件，包括：
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：郑允玮，贾钧伟，周俊豪，李国政，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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