一种溅射靶材制造技术

本技术提供了一种溅射靶材，所述溅射靶材的溅射面上以中心为基准，由内至外依次设置有凹区、凸台、第一平台和第二平台；所述第一平台的厚度＞凹区的厚度；所述第二平台的厚度＜凹区的厚度。本技术提供的溅射靶材通过对溅射面的形状设计，使靶材材料的利用率提高，使靶材寿命增加，且溅射后期靶材表面平整，使溅射参数保持稳定；并且，通过将位于弱磁场区域的表面设计为喷砂面，预防长寿命情况下表面的颗粒物剥落，可使靶材溅射寿命增加30％以上。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体，涉及一种靶材，具体涉及一种溅射靶材。

技术介绍

1、超大规模集成电路制造过程中需要反复使用溅射工艺，这是一种物理气相沉积技术，是制备电子薄膜材料的主要技术之一。溅射工艺是利用离子源产生的离子，在高真空中经过加速聚集而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体即为溅射靶材。实际生产工艺中，溅射过程控制及靶材质量和寿命等因素都影响了电子薄膜材料的质量及生产成本。

2、提高溅射靶材的寿命可以直接降低生产成本。提高靶材寿命一般采用增加靶材厚度的方法，但该方法会导致溅射后期的溅射速度和均匀度降低，杂质颗粒度超常，极大影响了薄膜质量。

3、cn212357372u公开了一种长寿命溅射靶材组件，该组件选用环状背板和阶梯状靶材，在靶材组件整体厚度不变的基础上增加了靶材厚度，提升了靶材的使用寿命，并保证背板的冷却效果，结构简单，便于加工。该种靶材组件仅在厚度上进行了提升，仍不能解决溅射后期存在的问题。

4、cn218621017u公开了一种靶材，该靶材在溅射面上设置了多个凹区，通过多个凹区深度和面积的搭配实现均匀溅射。该种靶材针对应用环境的不同磁场，无法适用。

5、因此，针对现有技术不足，需要提供一种溅射靶材。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种溅射靶材，提高靶材材料的利用率，增加其寿命，并使溅射后靶材表面平整。

2、为达到此技术目的，本技术采用以下技术方案：

3、本技术提供了一种溅射靶材，所述溅射靶材的溅射面上以中心为基准，由内至外依次设置有凹区、凸台、第一平台和第二平台；

4、所述第一平台的厚度＞凹区的厚度；

5、所述第二平台的厚度＜凹区的厚度。

6、本技术提供的溅射靶材对靶材溅射面根据溅射时的磁场强度进行优化设计，增加靶材的溅射寿命，并且使得溅射后期靶材表面能够更加平整，从而使得溅射参数保持稳定。

7、作为本技术优选的技术方案，所述凹区的面积为溅射面面积的15-30％，例如可以是15％、18％、20％、22％、25％、28％或30％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

8、作为本技术优选的技术方案，所述凸台的面积为溅射面面积的15-30％，例如可以是15％、18％、20％、22％、25％、28％或30％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

9、作为本技术优选的技术方案，所述第一平台的面积为溅射面面积的20-30％，例如可以是20％、22％、24％、25％、26％、28％或30％，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

10、作为本技术优选的技术方案，所述凹区相对于凸台的深度为5-8mm，例如可以是5mm、6mm、7mm或8mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

11、作为本技术优选的技术方案，所述凸台相对于第一平台的高度为3-5mm，例如可以是3mm、3.5mm、4mm、4.5mm或5mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

12、作为本技术优选的技术方案，所述第一平台相对于第二平台的高度为8-10mm，例如可以是8mm、8.5mm、9mm、9.5mm或10mm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

13、作为本技术优选的技术方案，所述凹区与凸台、凸台与第一平台的过渡区均为斜面。

14、作为本技术优选的技术方案，所述斜面的倾斜角为10-15°，例如可以是10°、11°、12°、13°、14°或15°，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

15、作为本技术优选的技术方案，所述第一平台表面为喷砂面。

16、作为本技术优选的技术方案，所述喷砂面的表面粗糙度为5-20μm，例如可以是5μm、10μm、15μm或20μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。

17、作为本技术优选的技术方案，所述靶材包括方形靶材。

18、作为本技术优选的技术方案，所述靶材的材质包括铬。

19、相对于现有技术，本技术具有以下有益效果：

20、本技术提供的溅射靶材通过对溅射面的形状设计，使靶材材料的利用率提高，使靶材寿命增加，且溅射后期靶材表面平整，使溅射参数保持稳定；并且，通过将位于弱磁场区域的表面设计为喷砂面，预防长寿命情况下表面的颗粒物剥落，可使靶材溅射寿命增加30％以上。

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【技术保护点】

1.一种溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材的溅射面上以中心为基准，由内至外依次设置有凹区、凸台、第一平台和第二平台；

2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凹区的面积为溅射面面积的15-30％；

3.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凹区相对于凸台的深度为5-8mm。

4.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凸台相对于第一平台的高度为3-5mm。

5.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述第一平台相对于第二平台的高度为8-10mm。

6.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凹区与凸台、凸台与第一平台的过渡区均为斜面。

7.根据权利要求6所述的溅射靶材，其特征在于，所述斜面的倾斜角为10-15°。

8.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述第一平台表面为喷砂面。

9.根据权利要求8所述的溅射靶材，其特征在于，所述喷砂面的表面粗糙度为5-20μm。

10.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述靶材包括方形靶材。

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【技术特征摘要】

1.一种溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材的溅射面上以中心为基准，由内至外依次设置有凹区、凸台、第一平台和第二平台；

2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凹区的面积为溅射面面积的15-30％；

3.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凹区相对于凸台的深度为5-8mm。

4.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述凸台相对于第一平台的高度为3-5mm。

5.根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述第一平台相对于第...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，苏阳能，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：新型
国别省市：