【技术实现步骤摘要】
本技术涉及镀膜设备，尤其涉及一种陶瓷溅射炉。
技术介绍
1、磁控溅射沉积薄膜原理为在阳极和阴极溅射靶材之间加上一定的电压，形成足够强度的静电场，然后再在真空室内通入较易离子化的惰性气体，在静电场的作用下产生气体离子化辉光放电，惰性气体电离并生产高能的惰性气体阳离子和二次电子，高能的惰性气体阳离子由于电场的作用会加速飞向阴极溅射靶表面，并以高能量轰击靶表面，使靶材表面溅射作用，被溅射出的靶原子沉积在基片上形成薄膜。
2、磁控溅射镀膜机在工作过程中，控溅射靶的温度不断升高，当磁控溅射靶温度过高的话，产生的辐射热容易导致基膜变形，影响镀膜，现有的磁控溅射镀膜机冷却效果较差。
技术实现思路
1、有鉴于此，有必要提供一种陶瓷溅射炉，用以解决现有技术中冷却效果较差的技术问题。
2、本技术提供一种陶瓷溅射炉，该陶瓷溅射炉包括：
3、壳体，所述壳体设有真空腔室；
4、磁控溅射靶组件，包括磁控溅射靶和冷却管道，所述磁控溅射靶设于所述真空腔室内，所述磁控溅射靶设有一侧开口的安装腔，所述开口设于所述磁控溅射靶的一端的端面，所述冷却管道设于所述安装腔内，所述冷却管道包括第一管道和第二管道，所述第一管道围绕所述第二管道呈螺旋状延伸设置且与所述安装腔相适配，所述第一管道的一端与所述第二管道的一端连通，所述第一管道的另一端设有进液口，所述第二管道的另一端设有出液口，所述进液口和所述出液口均自所述开口伸出至所述安装腔外；
5、冷却介质源，分别与所述进液口
6、可选地，所述磁控溅射靶包括安装座和靶材，所述安装座安装于所述真空腔室内，所述安装座中空设置以构成所述安装腔，所述靶材呈筒状设置，所述靶材套设于所述安装座的外周。
7、可选地，所述磁控溅射靶还包括封堵盖，所述封堵盖盖设于所述开口处，所述封堵盖用于封堵所述安装腔，所述封堵盖对应所述第一管道和所述第二管道设有两个避让孔，两个所述避让孔分别与所述第一管道和所述第二管道相适配。
8、可选地，所述壳体设有连通所述真空腔室的安装孔，所述安装座的上端自所述安装孔伸出至所述真空腔室外，所述安装座的上端的圆周设有螺纹；
9、所述磁控溅射靶还包括锁紧螺母，所述锁紧螺母与所述安装座螺纹配合，以固定所述安装座。
10、可选地，所述磁控溅射靶还包括密封件，所述密封件设于所述安装孔内，且与所述安装座的外周密封配合，所述密封件用于密封所述安装孔。
11、可选地，所述冷却管道还包括连接管道，所述连接管道沿水平方向延伸设置，所述连接管道的两端分别与所述第一管道和所述第二管道连接。
12、可选地，所述陶瓷溅射炉还包括连接件，所述连接件设于所述安装腔的底部，所述连接件与所述连接管道连接，用于固定所述冷却管道。
13、可选地，所述连接件包括相互配合的磁性件和吸附件，所述磁性件设于所述安装腔的底部，所述吸附件设于所述连接管道，所述磁性件与所述吸附件磁吸配合，以将所述连接管道固定于所述安装腔的底部。
14、可选地，所述磁控溅射靶组件设有多个，多个所述磁控溅射靶组件间隔设于所述真空腔室内。
15、可选地，所述壳体设有连通所述真空腔室的出口；
16、所述陶瓷溅射炉还包括门体，所述门体转动安装于所述壳体，且对应所述出口设置，所述门体用于开闭所述出口。
17、与现有技术相比，本技术提供的陶瓷溅射炉中，磁控溅射靶设于真空腔室内，且磁控溅射靶设有安装腔，冷却管道设于安装腔内，冷却管道包括第一管道和第二管道，第一管道围绕第二管道呈螺旋状延伸设置且与安装腔相适配，第一管道的一端与第二管道的一端连通，第一管道的另一端设有进液口，第二管道的另一端设有出液口，具体使用时，冷却介质源自所述进液口向所述冷却管道内输入冷却介质，冷却介质在所述冷却管道内流动时，与磁控溅射靶进行热交换，使得磁控溅射靶的温度降低，最后冷却介质自所述出液口排出冷却管道，如此设置，每个溅射靶的内部均设置冷却管道，通过往冷却管道内通入冷却介质，带走磁控溅射靶的热量，达到对磁控溅射靶进行散热降温的目的，显著提高对磁控溅射靶的散热降温效果，并且第一管道呈螺旋延伸设置，大大增加了第一管的长度，进而增大了第一管与磁控溅射靶的换热面积，进一步提高了换热效果。
18、上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如下。本技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
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1.一种陶瓷溅射炉，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶包括安装座和靶材，所述安装座安装于所述真空腔室内，所述安装座中空设置以构成所述安装腔，所述靶材呈筒状设置，所述靶材套设于所述安装座的外周。
3.根据权利要求2所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶还包括封堵盖，所述封堵盖盖设于所述开口处，所述封堵盖用于封堵所述安装腔，所述封堵盖对应所述第一管道和所述第二管道设有两个避让孔，两个所述避让孔分别与所述第一管道和所述第二管道相适配。
4.根据权利要求3所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述壳体设有连通所述真空腔室的安装孔，所述安装座的上端自所述安装孔伸出至所述真空腔室外，所述安装座的上端的圆周设有螺纹；
5.根据权利要求4所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶还包括密封件，所述密封件设于所述安装孔内，且与所述安装座的外周密封配合，所述密封件用于密封所述安装孔。
6.根据权利要求1所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述冷却管道还包括连接管道，所述连接管道沿水平方向延伸设置，
7.根据权利要求6所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述陶瓷溅射炉还包括连接件，所述连接件设于所述安装腔的底部，所述连接件与所述连接管道连接，用于固定所述冷却管道。
8.根据权利要求7所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述连接件包括相互配合的磁性件和吸附件，所述磁性件设于所述安装腔的底部，所述吸附件设于所述连接管道，所述磁性件与所述吸附件磁吸配合，以将所述连接管道固定于所述安装腔的底部。
9.根据权利要求1所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶组件设有多个，多个所述磁控溅射靶组件间隔设于所述真空腔室内。
10.根据权利要求1所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述壳体设有连通所述真空腔室的出口；
...【技术特征摘要】
1.一种陶瓷溅射炉，其特征在于，其包括：
2.根据权利要求1所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶包括安装座和靶材，所述安装座安装于所述真空腔室内，所述安装座中空设置以构成所述安装腔，所述靶材呈筒状设置，所述靶材套设于所述安装座的外周。
3.根据权利要求2所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶还包括封堵盖，所述封堵盖盖设于所述开口处，所述封堵盖用于封堵所述安装腔，所述封堵盖对应所述第一管道和所述第二管道设有两个避让孔，两个所述避让孔分别与所述第一管道和所述第二管道相适配。
4.根据权利要求3所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述壳体设有连通所述真空腔室的安装孔，所述安装座的上端自所述安装孔伸出至所述真空腔室外，所述安装座的上端的圆周设有螺纹；
5.根据权利要求4所述的陶瓷溅射炉，其特征在于，所述磁控溅射靶还包括密封件，所述密封件设于所述安装孔内，且与所述安装座的外周密封配合，所述密...
【专利技术属性】
技术研发人员：褚玉能，刘志明，周慧斌，褚凌天，
申请(专利权)人：应城和天电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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