【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置。
技术介绍
1、近年来，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管结合在同一个像素电路的ltpo(low temperature polycrystalline oxide，低温多晶氧化物)技术逐步兴起，基于ltpo技术的阵列基板即为ltpo基板。由于ltpo基板同时包含低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，它结合了低温多晶硅薄膜晶体管功耗较低和氧化物薄膜晶体管漏电流较低的优点，能够实现低功耗且高品质的显示。
2、然而，目前的ltpo基板中的膜层较多，制程较为复杂，导致工艺成本较高，并且不利于实现显示装置的轻薄化。因此，目前的ltpo基板的膜层结构有待优化。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置，可以简化其膜层设置，节约工艺制程。
2、本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
3、衬底；
4、第一薄膜晶体管，设置于所述衬底上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；以及
5、第二薄膜晶体管，设置于所述衬底上且与所述第一薄膜晶体管相邻，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极以及第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极位于所述第二栅极靠近所述衬底的一侧；
6、其中，所述第二源极、所述第二漏极与所述第一栅极同层设置，所述第二栅极与所述第一源极
7、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一漏极包括第一漏极延伸部，所述第二源极包括第二源极延伸部，所述第二源极延伸部在所述第一漏极延伸部所在平面上的正投影与所述第一漏极延伸部重叠，所述第二源极延伸部与所述第一漏极延伸部通过二者正对的部分连接。
8、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括同层设置的除静电层与第一有源层，所述第一有源层设置于所述第一栅极与所述衬底之间，所述第二源极延伸部在所述除静电层所在平面上的正投影与所述除静电层重叠，所述第一漏极延伸部与所述第二源极延伸部之间开设有第一过孔，所述第一漏极延伸部延伸入所述第一过孔中与所述第二源极延伸部连接，所述第二源极延伸部与所述除静电层之间开设有第二过孔，所述第二源极延伸部延伸入所述第二过孔中与所述除静电层连接。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括同层设置的除静电层与第二有源层，所述第二有源层设置于所述第二栅极与所述第二源极和所述第二漏极之间，所述第一漏极延伸部在所述除静电层所在平面上的正投影与所述除静电层重叠，所述第一漏极延伸部与所述除静电层之间开设有第一过孔，所述第一漏极延伸部延伸入所述第一过孔中与所述除静电层连接，所述第二源极延伸部与所述除静电层之间开设有第二过孔，所述除静电层延伸入所述第二过孔中与所述第二源极延伸部连接。
10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一过孔与所述第二过孔为一套孔。
11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第一栅极远离所述衬底的一侧或者靠近所述衬底的一侧。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括电容介质层，所述电容介质层设置于所述第一栅极与所述第三栅极之间，所述电容介质层的材料包括氧化铝、氧化铬或氧化钛中的一种或多种。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层的材料包括多晶硅；所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层，所述第二有源层的材料包括金属氧化物半导体。
14、相应的，本申请实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
15、提供一衬底；
16、在所述衬底一侧形成第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极以及第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一栅极远离所述衬底的一侧；
17、在所述衬底一侧形成第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管相邻，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极以及第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极位于所述第二栅极靠近所述衬底的一侧；
18、其中，所述第二源极、所述第二漏极与所述第一栅极同层设置，所述第二栅极与所述第一源极和所述第一漏极同层设置。
19、相应的，本申请实施例还提供一种显示装置，包括以上实施例所述的阵列基板。
20、本申请实施例提供的阵列基板、阵列基板的制备方法及显示装置，通过将第二薄膜晶体管的源漏极与第一薄膜晶体管的第一栅极同层设置，第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的源漏极同层设置，由此减少了阵列基板当中一层金属层的设置，节省了一道光罩，并相应地减少了一层绝缘层的设置，从而简化了阵列基板的膜层结构，节约了工艺制程。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一漏极包括第一漏极延伸部，所述第二源极包括第二源极延伸部，所述第二源极延伸部在所述第一漏极延伸部所在平面上的正投影与所述第一漏极延伸部重叠，所述第二源极延伸部与所述第一漏极延伸部通过二者正对的部分连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括同层设置的除静电层与第一有源层，所述第一有源层设置于所述第一栅极与所述衬底之间，所述第二源极延伸部在所述除静电层所在平面上的正投影与所述除静电层重叠，所述第一漏极延伸部与所述第二源极延伸部之间开设有第一过孔，所述第一漏极延伸部延伸入所述第一过孔中与所述第二源极延伸部连接，所述第二源极延伸部与所述除静电层之间开设有第二过孔，所述第二源极延伸部延伸入所述第二过孔中与所述除静电层连接。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括同层设置的除静电层与第二有源层，所述第二有源层设置于所述第二栅极与所述第二源极和所述第二漏极之间，所述第一漏极延伸部在所述除静电层所在平面上的正投影与所述除静
5.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔与所述第二过孔为一套孔。
6.如权利要求1至4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第三栅极，所述第三栅极位于所述第一栅极远离所述衬底的一侧或者靠近所述衬底的一侧。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括电容介质层，所述电容介质层设置于所述第一栅极与所述第三栅极之间，所述电容介质层的材料包括氧化铝、氧化铬或氧化钛中的一种或多种。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一有源层，所述第一有源层的材料包括多晶硅；所述第二薄膜晶体管还包括第二有源层，所述第二有源层的材料包括金属氧化物半导体。
9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一漏极包括第一漏极延伸部，所述第二源极包括第二源极延伸部，所述第二源极延伸部在所述第一漏极延伸部所在平面上的正投影与所述第一漏极延伸部重叠，所述第二源极延伸部与所述第一漏极延伸部通过二者正对的部分连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括同层设置的除静电层与第一有源层，所述第一有源层设置于所述第一栅极与所述衬底之间，所述第二源极延伸部在所述除静电层所在平面上的正投影与所述除静电层重叠，所述第一漏极延伸部与所述第二源极延伸部之间开设有第一过孔，所述第一漏极延伸部延伸入所述第一过孔中与所述第二源极延伸部连接，所述第二源极延伸部与所述除静电层之间开设有第二过孔，所述第二源极延伸部延伸入所述第二过孔中与所述除静电层连接。
4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括同层设置的除静电层与第二有源层，所述第二有源层设置于所述第二栅极与所述第二源极和所述第二漏极之间，所述第一漏极延伸部在所述除静电层所在平面上的正投影与所述除静电层重叠，所述第一漏极延伸部与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：马倩，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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