System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 非易失性存储器装置制造方法及图纸_技高网

非易失性存储器装置制造方法及图纸

技术编号:40202013 阅读:14 留言:0更新日期:2024-02-02 22:15
一种非易失性存储器装置包括:基板;栅极结构,其包括在垂直方向上交替地层叠在基板上的多个栅电极层和多个层间绝缘层,该栅极结构包括孔图案;数据存储层,其设置在孔图案内;以及沟道层,其设置在孔图案内的数据存储层上。沟道层设置在通过多个层间绝缘层在垂直方向上彼此隔离的各个不同的高度处。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及非易失性存储器装置,更具体地,涉及一种三维非易失性存储器装置。


技术介绍

1、根据设计规则减少和集成度增加的趋势,一直在对能够保证结构稳定性和信号存储操作的可靠性的非易失性存储器装置结构进行研究。即,已研究了用于通过减小存储器单元面积来增加存储器单元的集成度的技术和用于通过防止相邻存储器单元之间的信号干扰来改进所存储的信息的可靠性的技术。


技术实现思路

1、根据本公开的实施方式,可提供一种非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置包括:基板;栅极结构,其包括在垂直方向上交替地层叠在基板上方的多个栅电极层和多个层间绝缘层,该栅极结构包括孔图案;数据存储层,其设置在孔图案内;以及沟道层,其设置在孔图案内的数据存储层上,其中,沟道层设置在通过多个层间绝缘层在垂直方向上彼此隔离的各个不同高度处。

2、根据本公开的实施方式,可提供一种非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置包括:栅极结构,其包括在垂直方向上交替地层叠在基板上方的多个栅电极层和多个层间绝缘层;沟道层,其设置在基板上,该沟道层与栅极结构的多个栅电极层中的每一个相邻设置;数据存储层,其设置在多个栅电极层中的每一个与沟道层之间;以及第一源极/漏极柱和第二源极/漏极柱,其穿透栅极结构,其中,数据存储层和沟道层中的每一个在垂直方向上不连续,数据存储层和沟道层中的每一个形成在多个栅电极层中的每一个形成的高度处。

【技术保护点】

1.一种非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层和所述沟道层中的每一个在所述垂直方向上不连续,所述数据存储层和所述沟道层中的每一个形成在所述多个栅电极层中的每一个形成在的高度处。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,在所述栅极结构中,与所述栅电极层相比,所述多个层间绝缘层向所述孔图案中突出更远。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层沿着所述孔图案的侧表面设置,

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层包括铁电体。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括:

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括位于所述第一源极/漏极柱和所述第二源极/漏极柱之间的第二绝缘柱。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,所述第一源极/漏极柱和所述第二源极/漏极柱穿透所述沟道层的一部分。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括设置在所述数据存储层和所述沟道层之间的介电层和金属层中的至少一个。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层包括铁电体,并且

11.一种非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置包括:

12.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置,其中,所述沟道层和所述数据存储层设置在所述多个层间绝缘层之间。

13.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层包括铁电体。

14.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括:

15.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置,其中,所述第一源极/漏极柱和所述第二源极/漏极柱穿透所述沟道层的一部分。

16.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置,其中,所述多个层间绝缘层包括在所述垂直方向上彼此相邻的第一层间绝缘层和第二层间绝缘层,并且

17.根据权利要求11所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括设置在所述数据存储层和所述沟道层之间的介电层和金属层中的至少一个。

18.根据权利要求17所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层包括铁电体,并且

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【技术特征摘要】

1.一种非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置包括:

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层和所述沟道层中的每一个在所述垂直方向上不连续,所述数据存储层和所述沟道层中的每一个形成在所述多个栅电极层中的每一个形成在的高度处。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,在所述栅极结构中,与所述栅电极层相比,所述多个层间绝缘层向所述孔图案中突出更远。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层沿着所述孔图案的侧表面设置,

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,其中,所述数据存储层包括铁电体。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括:

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括位于所述第一源极/漏极柱和所述第二源极/漏极柱之间的第二绝缘柱。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置,其中,所述第一源极/漏极柱和所述第二源极/漏极柱穿透所述沟道层的一部分。

9.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置,该非易失性存储器装置还包括设置在所述数据...

【专利技术属性】
技术研发人员:李雨哲林米尔
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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