【技术实现步骤摘要】
本申请涉及放大器电路，尤其涉及一种共源共栅放大器电路及电路版图。
技术介绍
1、现有技术中，基于化合物半导体工艺的放大器广泛应用在各个领域。放大器的常见架构包括共源放大器，共栅放大器，共源共栅放大器等。其中，共源共栅放大器能够提供更大的增益，耐受更高的电源电压，被经常采用。
2、共源共栅架构由一个共源晶体管和一个共栅晶体管级联组成，信号经共源晶体管的栅极输入，从其漏极输出后再输入到共栅管的源级，最后经共栅管的漏极输出。对于gaasphemt（gallium arsenide pseudomorphic high electron mobility transistor，砷化镓率电晶体）工艺而言，其晶体管模型已根据其版图结构确定了漏极、栅极和源级的接口定义。同时，在gaas phemt等化合物半导体工艺设计规则中，要求同一晶圆上晶体管的栅极方向一致，使得晶体管不能随意旋转。因此，现有共源共栅架构在版图布局的时候由于共源晶体管的漏极和共栅晶体管的源级需要相连接，但是晶体管栅极方向需保持一致（如同为水平方向），因此在现有的共源共栅放大器电路的实现版图中，共源晶体管的漏极和共栅晶体管的源级之间需要一根额外的拐角金属走线（约长100um）连接，同时共栅晶体管的栅极旁路电容往往也不能就近共栅晶体管的栅极放置，共栅晶体管的栅极和其栅极旁路电容之间也需要一定长度的金属走线（约长40um）连接。
3、这就导致现有的共源共栅电路的实现版图在水平和竖直方向上均占用面积大，不利于版图紧凑设计，且金属走线会降低共源共栅电路高频段的
技术实现思路
1、为至少在一定程度上克服相关技术中的共源共栅电路的实现版图在水平和竖直方向上均占用面积大，不利于版图紧凑设计，且金属走线会降低共源共栅电路高频段的增益和稳定性的问题，本申请提供一种共源共栅放大器电路及电路版图。
2、本申请的方案如下：
3、根据本申请实施例的第一方面，提供一种共源共栅放大器电路，包括：
4、共源场效应晶体管、共栅场效应晶体管和栅极旁路电容；
5、所述共源场效应晶体管的栅极连接信号输入端，漏极连接共栅场效应晶体管的漏极，源极接地；
6、所述共栅场效应晶体管的源极连接信号输出端，栅极通过所述栅极旁路电容接地。
7、优选地，所述共源场效应晶体管包括两个源极；
8、所述共源场效应晶体管的一个源极进行接地，或两个源极均进行接地。
9、优选地，所述共栅场效应晶体管包括两个源极；
10、所述共栅场效应晶体管的一个源极连接信号输出端，或两个源极均连接信号输出端。
11、优选地，所述共源场效应晶体管的漏极和所述共栅场效应晶体管的漏极进行引脚直连。
12、优选地，所述共栅场效应晶体管的栅极与所述栅极旁路电容进行引脚直连。
13、根据本申请实施例的第二方面，提供一种共源共栅放大器电路版图，由如以上任一项所述的共源共栅放大器电路实现，包括：
14、共源场效应晶体管、共栅场效应晶体管和栅极旁路电容；
15、所述共源场效应晶体管、共栅场效应晶体管和栅极旁路电容在同一方向上依次排列；
16、所述共源场效应晶体管和所述共栅场效应晶体管为方形结构；
17、所述共源场效应晶体管的栅极、漏极和源极设置在方形结构的不同侧面，且所述共源场效应晶体管的栅极和漏极设置在方形结构的相对侧面；
18、所述共栅场效应晶体管的栅极、漏极和源极设置在方形结构的不同侧面，且所述共栅场效应晶体管的栅极和漏极设置在方形结构的相对侧面；
19、所述共源场效应晶体管的漏极和所述共栅场效应晶体管的漏极贴合设置；
20、所述共栅场效应晶体管的栅极和所述栅极旁路电容贴合设置。
21、优选地，所述共源场效应晶体管的两个源极设置在方形结构的相对侧面。
22、优选地，所述共栅场效应晶体管的两个源极设置在方形结构的相对侧面。
23、本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：本申请中的共源共栅放大器电路，包括：共源场效应晶体管、共栅场效应晶体管和栅极旁路电容；共源场效应晶体管的栅极连接信号输入端，漏极连接共栅场效应晶体管的漏极，源极接地；共栅场效应晶体管的源极连接信号输出端，栅极通过栅极旁路电容接地。本申请中的技术方案利用了场效应晶体管的漏极和源极可以互换的原理，采用了和现有共源共栅放大器电路不同的设计方法，本申请中将共源场效应晶体管的漏极连接共栅场效应晶体管的漏极，同样实现了共源共栅架构。通过本申请中的共源共栅放大器电路实现的版图，共源场效应晶体管的漏极和共栅场效应晶体管的漏极可以引脚直连，避免了现有共源共栅放大器电路设计中，共源晶体管的漏极和共栅晶体管的源级之间的拐角金属走线。同时本申请中的共源共栅放大器电路实现的版图，共栅晶体管的栅极和其栅极旁路电容之间也可以进行引脚直连，避免了现有共源共栅放大器电路设计中，共栅晶体管的栅极和其栅极旁路电容之间的金属走线连接。通过本申请中的共源共栅放大器电路实现的版图不仅设计更为紧凑，同时也能提高共源共栅放大器电路在高频段的增益和稳定性，改善共源共栅放大器电路的射频性能。
24、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种共源共栅放大器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共源场效应晶体管包括两个源极；
3.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共栅场效应晶体管包括两个源极；
4.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共源场效应晶体管的漏极和所述共栅场效应晶体管的漏极进行引脚直连。
5.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共栅场效应晶体管的栅极与所述栅极旁路电容进行引脚直连。
6.一种共源共栅放大器电路版图，由权利要求1-5任一项所述的共源共栅放大器电路实现，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的共源共栅放大器电路版图，其特征在于，所述共源场效应晶体管的两个源极设置在方形结构的相对侧面。
8.根据权利要求6所述的共源共栅放大器电路版图，其特征在于，所述共栅场效应晶体管的两个源极设置在方形结构的相对侧面。
【技术特征摘要】
1.一种共源共栅放大器电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共源场效应晶体管包括两个源极；
3.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共栅场效应晶体管包括两个源极；
4.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路，其特征在于，所述共源场效应晶体管的漏极和所述共栅场效应晶体管的漏极进行引脚直连。
5.根据权利要求1所述的共源共栅放大器电路...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，
申请(专利权)人：成都天成电科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。