【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及天线，尤其涉及一种新型透明天线及其制作方法。
技术介绍
1、天线是无线通信系统中最为重要的部件之一，用于发射和接收电磁波。随着5g无线通讯技术的快速发展，其应用场景越来越丰富，从而使得对天线性能的要求也越来越多样化。对于一些需要高透光率的安装场景来说，比如玻璃或者一些透明电子设备等，则需要天线具备一定的隐身性，而传统的天线则已经无法满足基本要求。
2、透明天线主要由透明介质基体和透明导电材料构成，对可见光具有高透过性，为了防止天线线路的损伤，现有技术一般会对透明天线对天线线路层进行保护，现有常用的方式是使用有机高分子材料进行保护，有机高分子材料虽然具有很好的保护作用，但是比较容易受环境影响而使得性能产生变化。
3、因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种新型透明天线及其制作方法，旨在解决现有技术新型透明天线所存在的上述
技术介绍
部分中所提到的技术问题。
2、本专利技术的内容如下：
3、本专利技术第一方面提供了一种新型透明天线，所述新型透明天线包括透明基材层，设置在所述透明基材层之上的天线线路层，以及设置在所述天线线路层之上的上保护膜层；所述上保护膜层为无机物复合膜层，所述无机物复合膜层包括依次层叠设置的五氧化三钛层和二氧化硅层，所述五氧化三钛层设置在所述天线线路层之上。
4、在本专利技术第一方面一种可选的实施方式中，所述二氧化硅层之上还设置有无机氟化物层，所述无机氟化物层包括氟
5、在本专利技术第一方面一种可选的实施方式中，所述透明基材层的底部还设置有下保护膜层，所述下保护膜层为有机薄膜层，所述有机薄膜层包括pet薄膜层和pe薄膜层。
6、在本专利技术第一方面一种可选的实施方式中，所述透明基材层的厚度为40-60μm，所述天线线路层的厚度为1-3μm，所述上保护膜层的厚度为0.3-0.5μm，所述下保护膜层的厚度为40-60μm。
7、在本专利技术第一方面一种可选的实施方式中，所述五氧化三钛层的厚度为100-150nm，所述二氧化硅层的厚度为150-200nm。
8、在本专利技术第一方面一种可选的实施方式中，所述天线线路层包括ito线路层、铜纳米线线路层和银纳米线线路层，所述透明基材层包括cop基材层和pet材料基材层。
9、本专利技术第二方面提供了一种新型透明天线的制作方法，包括：
10、提供透明基材层；
11、在所述透明基材层上制作天线线路层；
12、在所述天线线路层上制作上保护膜层，所述上保护膜层为无机物复合膜层，所述无机物复合膜层包括依次层叠设置的五氧化三钛层和二氧化硅层，所述五氧化三钛层设置在所述天线线路层之上。
13、在本专利技术第二方面一种可选的实施方式中，所述在所述天线线路层上制作上保护膜层还包括：
14、在所述二氧化硅层之上制作无机氟化物层，所述无机氟化物层包括氟化镁层和氟化铝层。
15、在本专利技术第二方面一种可选的实施方式中，所述在所述天线线路层上制作上保护膜层采用电子束蒸发镀膜的方式，背景真空度为6×10-4pa以下，基片加温温度为70-90℃，五氧化三钛的淀积速率0.1-0.3nm/s，二氧化硅的淀积速率0.2 -0.4nm/s，无机氟化物的淀积速率0.5-0.8nm/s。
16、在本专利技术第二方面一种可选的实施方式中，所述在所述透明基材层上制作天线线路层包括：
17、在所述透明基材层上制作天线基材；
18、利用掩膜工艺对所述天线基材进行曝光、显影和蚀刻，以制得所述天线线路层。
19、有益效果：本专利技术提供了一种新型透明天线及其制作方法，其中，所述新型透明天线包括透明基材层，设置在所述透明基材层之上的天线线路层，以及设置在所述天线线路层之上的上保护膜层；所述上保护膜层为无机物复合膜层，所述无机物复合膜层包括依次层叠设置的五氧化三钛层和二氧化硅层，所述五氧化三钛层设置在所述天线线路层之上。本专利技术使用了无机物膜层替代有机高分子膜层对天线线路层进行保护，并且无机物膜层为复合膜，保护作用更强且性能更加稳定，进一步延长了透明天线的使用寿命。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种新型透明天线，所述新型透明天线包括透明基材层，设置在所述透明基材层之上的天线线路层，以及设置在所述天线线路层之上的上保护膜层；其特征在于，所述上保护膜层为无机物复合膜层，所述无机物复合膜层包括依次层叠设置的五氧化三钛层和二氧化硅层，所述五氧化三钛层设置在所述天线线路层之上。
2.根据权利要求1所述的新型透明天线，其特征在于，所述二氧化硅层之上还设置有无机氟化物层，所述无机氟化物层包括氟化镁层和氟化铝层。
3.根据权利要求1或2所述的新型透明天线，其特征在于，所述透明基材层的底部还设置有下保护膜层，所述下保护膜层为有机薄膜层，所述有机薄膜层包括PET薄膜层和PE薄膜层。
4.根据权利要求3所述的新型透明天线，其特征在于，所述透明基材层的厚度为40-60μm，所述天线线路层的厚度为1-3μm，所述上保护膜层的厚度为0.3-0.5μm，所述下保护膜层的厚度为40-60μm。
5.根据权利要求3所述的新型透明天线，其特征在于，所述五氧化三钛层的厚度为100-150nm，所述二氧化硅层的厚度为150-200nm。
6.根据
7.一种新型透明天线的制作方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的新型透明天线的制作方法，其特征在于，所述在所述天线线路层上制作上保护膜层还包括：
9.根据权利要求8所述的新型透明天线的制作方法，其特征在于，所述在所述天线线路层上制作上保护膜层采用电子束蒸发镀膜的方式，背景真空度为6×10-4Pa以下，基片加温温度为70-90℃，五氧化三钛的淀积速率0.1-0.3nm/s，二氧化硅的淀积速率0.2-0.4nm/s，无机氟化物的淀积速率0.5-0.8nm/s。
10.根据权利要求7所述的新型透明天线的制作方法，其特征在于，所述在所述透明基材层上制作天线线路层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种新型透明天线，所述新型透明天线包括透明基材层，设置在所述透明基材层之上的天线线路层，以及设置在所述天线线路层之上的上保护膜层；其特征在于，所述上保护膜层为无机物复合膜层，所述无机物复合膜层包括依次层叠设置的五氧化三钛层和二氧化硅层，所述五氧化三钛层设置在所述天线线路层之上。
2.根据权利要求1所述的新型透明天线，其特征在于，所述二氧化硅层之上还设置有无机氟化物层，所述无机氟化物层包括氟化镁层和氟化铝层。
3.根据权利要求1或2所述的新型透明天线，其特征在于，所述透明基材层的底部还设置有下保护膜层，所述下保护膜层为有机薄膜层，所述有机薄膜层包括pet薄膜层和pe薄膜层。
4.根据权利要求3所述的新型透明天线，其特征在于，所述透明基材层的厚度为40-60μm，所述天线线路层的厚度为1-3μm，所述上保护膜层的厚度为0.3-0.5μm，所述下保护膜层的厚度为40-60μm。
5.根据权利要求3所述的新型透明天线，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭世豪，
申请(专利权)人：深圳市信维通信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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