【技术实现步骤摘要】
本申请涉及图像处理，具体涉及一种高端芯片散热器生产质量检测方法。
技术介绍
1、在现代电子产品中，芯片是不可或缺的核心组件之一，然而芯片的高度集成导致了单位功耗的增加，芯片在工作时会产生大量热量，如果不能有效地散热，可能会导致芯片性能下降甚至损坏。芯片散热器通过吸收热量并利用自身更大的表面积以及周围的流体实现冷却，以提高热量的散发效率，确保芯片的正常工作。因此，芯片散热器在应用过程中可能会面临高温环境和长时间工作的要求，如果芯片散热器存在质量问题，在极端情况下可能会导致设备故障、火灾等，通过对芯片散热器进行生产质量检测，可以提前发现芯片散热器潜在的问题，确保设备的安全性，提升用户满意度。
2、红外热成像无损检测技术根据红外辐射的基本原理，通过红外热像仪接收来自物体的辐射，从而测定物体表面的温度场分布，然后根据温度场的异常分布情况来识别物体内是否存在缺陷，实现对芯片散热器生产质量的检测。但是，热红外图像中普遍存在着目标边缘轮廓模糊，背景对比度差等缺点，导致对芯片散热器生产质量检测的准确性不高。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种高端芯片散热器生产质量检测方法，以解决现有的问题。
2、本专利技术的一种高端芯片散热器生产质量检测方法采用如下技术方案：
3、本专利技术一个实施例提供了一种高端芯片散热器生产质量检测方法，该方法包括以下步骤：
4、采集芯片散热器在每个时刻的散热器热像图；
5、根据散热器热像图中
6、根据芯片散热器的生产质量优良指数获得芯片散热器的生产质量等级。
7、进一步，所述根据散热器热像图中的像素点在各时刻的像素值获得像素点的热量传播系数，包括：
8、对于第t个时刻的散热器热像图中的各像素点，将像素点在第t个时刻的像素值与像素点在第t-1个时刻的像素值之间的差值绝对值作为像素点的前时刻差值；将像素点在第t个时刻的像素值与像素点在第t+1个时刻的像素值之间的差值绝对值作为像素点的后时刻差值；
9、计算像素点的前时刻差值与后时刻差值之和与两倍预设时间间隔的比值，将所述比值记为像素点在第t个时刻的热量传播特征指数；
10、将像素点在所有时刻的热量传播特征指数的平均值记为像素点的热量传播系数。
11、进一步，所述对散热器热像图中的各像素点构建邻域窗口，根据邻域窗口内所有像素点的像素值以及热量传播系数获得邻域窗口内像素点的散热缺陷特征值，包括：
12、对于第t个时刻的散热器热像图中的各像素点，以像素点为中心构建边长为预设数值的邻域窗口；
13、分别将像素点的邻域窗口中的各像素点记为像素点的邻域像素；计算第t个时刻的散热器热像图中所有像素点的像素值的均值，将邻域像素的像素值与所述均值之间的差值绝对值记为邻域像素的热量偏离值；将邻域像素的热量传播系数与第t个时刻的散热器热像图中所有像素点的热量传播系数的均值之间的差值绝对值记为邻域像素的热量传播偏离值；
14、将邻域像素的热量偏离值与热量传播偏离值之和记为邻域像素的散热缺陷特征值。
15、进一步，所述根据散热器热像图中的各像素点的邻域窗口内像素点的散热缺陷特征值获得各像素点的散热缺陷可能性，包括：
16、对于第t个时刻的散热器热像图中的各像素点，计算像素点的邻域窗口中所有邻域像素的散热缺陷特征值的均值，将所述均值记为像素点在第t个时刻的散热缺陷置信度；
17、将像素点在所有时刻的散热缺陷置信度的均值的归一化值作为像素点的散热缺陷可能性。
18、进一步，所述根据各像素点的散热缺陷可能性获得散热缺陷二值图像，包括：
19、将散热器热像图中各像素点的像素值替换为各像素点的散热缺陷可能性，获得散热缺陷图像；
20、使用canny边缘检测算子对散热缺陷图像进行边缘检测，得到散热缺陷二值图像。
21、进一步，所述获取散热缺陷二值图像中的散热缺陷区域，根据散热缺陷区域中像素点的散热缺陷可能性构建散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵，包括：
22、将散热缺陷二值图像中每个闭合边缘线的内部区域记为散热缺陷区域；
23、将散热缺陷区域内所有像素点的散热缺陷可能性的最小值与最大值所组成的区间平均划分为预设数量个子区间；
24、分别将每个子区间记为待分析子区间；
25、对于各散热缺陷区域，将散热缺陷可能性位于待分析子区间的像素点记为待分析区间像素；将待分析区间像素在所有预设方向上连续出现的个数的最大值作为待分析子区间的最大分布；所述预设方向为0度、45度、90度和135度方向；
26、以子区间的数量为行数，所有子区间的最大分布为列数构建散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵。
27、进一步，所述根据散热缺陷区域的延展区域的长度、宽度以及散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵计算散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数，表达式为：
28、
29、其中，为第个散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数，为第个散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵中第行第列的元素值，为每个散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵的行数，为第个散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵的列数，为第个散热缺陷区域的延展区域的长度，为第个散热缺陷区域的延展区域的宽度。
30、进一步，所述根据散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数以及散热缺陷区域中像素点的散热缺陷可能性计算芯片散热器的缺陷多样系数，包括：
31、对于各散热缺陷区域，将散热缺陷区域内所有像素点的散热缺陷可能性的平均值记为散热缺陷区域的散热缺陷均值；
32、将任意两个散热缺陷区域记为一个组合，将两个散热缺陷区域的散热缺陷均值的差值绝对值记为组合的散热差异；将两个散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数的差值绝对值记为组合的延展差异；
33、将所有组合的散热差异与延展差异之和的平均值作为芯片散热器的缺陷多样系数。
34、进一步，所述根据芯片散热器的缺陷多样系数以及所有散热缺陷区域的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据散热器热像图中的像素点在各时刻的像素值获得像素点的热量传播系数，包括：
3.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述对散热器热像图中的各像素点构建邻域窗口，根据邻域窗口内所有像素点的像素值以及热量传播系数获得邻域窗口内像素点的散热缺陷特征值，包括：
4.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据散热器热像图中的各像素点的邻域窗口内像素点的散热缺陷特征值获得各像素点的散热缺陷可能性，包括：
5.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据各像素点的散热缺陷可能性获得散热缺陷二值图像，包括：
6.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述获取散热缺陷二值图像中的散热缺陷区域，根据散热缺陷区域中像素点的散热缺陷可能性构建散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵，包括：>
7.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据散热缺陷区域的延展区域的长度、宽度以及散热缺陷区域的缺陷延伸矩阵计算散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数，表达式为：
8.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数以及散热缺陷区域中像素点的散热缺陷可能性计算芯片散热器的缺陷多样系数，包括：
9.如权利要求8所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据芯片散热器的缺陷多样系数以及所有散热缺陷区域的缺陷痕迹延展指数计算芯片散热器的生产质量优良指数，包括：
10.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据芯片散热器的生产质量优良指数获得芯片散热器的生产质量等级，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据散热器热像图中的像素点在各时刻的像素值获得像素点的热量传播系数，包括：
3.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述对散热器热像图中的各像素点构建邻域窗口，根据邻域窗口内所有像素点的像素值以及热量传播系数获得邻域窗口内像素点的散热缺陷特征值，包括：
4.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据散热器热像图中的各像素点的邻域窗口内像素点的散热缺陷特征值获得各像素点的散热缺陷可能性，包括：
5.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所述根据各像素点的散热缺陷可能性获得散热缺陷二值图像，包括：
6.如权利要求1所述的一种高端芯片散热器生产质量检测方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：周宏，邓桥，李绍宇，田秀春，熊攀，
申请(专利权)人：东莞市富其扬电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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