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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及声表面波器件,特别是一种宽带声表滤波器的制备方法。
技术介绍
1、针对超大带宽的声表面波滤波器,采用梯形阻抗元设计时,由于串联谐振器和并联谐振器的频率相差比较大,所以波长相差也比较大,为了抑制杂散信号,一般金属膜厚度和波长的比值为一个常数,如果偏离了这个常数会在通带内出现杂散信号,引起滤波器的带内波动变大,常规的做法是串联谐振器和并联谐振器分别制作在不同的晶片上,然后组合贴片到封装管座上,进行后续的焊引线和平行缝焊,直至完成器件的制作,但是焊引线连接容易引起其他杂散信号的产生。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种宽带声表滤波器的制备方法,以解决
技术介绍
中提出的问题。
2、本专利技术的技术解决方案是:一种宽带声表滤波器的制备方法,包括以下步骤,
3、一,制作掩膜版,包括两个曝光单元,其中一个曝光单元放置所有的串联谐振器,并为连接并联谐振器留有接口,另一个曝光单元放置所有的并联谐振器,并为连接串联谐振器留有接口;
4、二,在压电基板上通过光刻图形化沉积的金属膜完成串联谐振器的制作;
5、三,在步骤二的压电基板上通过光刻图形化沉积的金属膜完成并联谐振器的制作,其中,串联谐振器的图形和并联谐振器的图形重合。
6、进一步的,步骤二中,采用剥离工艺方法制备,在压电基板上通过旋涂均匀的涂上一层满足金属膜厚度2-4倍的光刻胶,通过光刻、显影把掩膜版上串联谐振器的图形转换到压电基板上,使得需要金属的地方的压电基板的表
7、进一步的,在步骤二中完成光刻的压电基板上沉积一层满足厚度要求的金属膜,采用电子束蒸发的方式把金属膜沉积到带有光刻胶的压电基板表面。
8、进一步的,采用剥离法去除步骤二中压电基板表面的光刻胶以及上面所覆盖的金属膜,通过剥离液和超声振动的方式把附在压电基板表面的光刻胶及金属膜去除干净,留下满足设计要求的金属化图形。
9、进一步的,通过旋涂均匀的涂上一层满足金属膜厚度2-4倍的光刻胶,通过光刻、显影把掩膜版上并联谐振器的图形转换到压电基板上,使得需要金属的地方的压电基板的表面裸露出来,不需要金属的地方被光刻胶所覆盖,光刻时需要对准压电基板上已金属化的对位标记,使得步骤三中光刻的并联谐振器图形和步骤二总的串联谐振器图形能重合在一起。
10、进一步的,在步骤三中完成光刻的压电基板上沉积一层满足厚度要求的金属膜,采用电子束蒸发的方式把金属膜沉积到带有光刻胶的压电基板表面。
11、进一步的,采用剥离法去除步骤三中压电基板表面的光刻胶以及上面所覆盖的金属膜,通过剥离液和超声振动的方式把附在压电基板表面的光刻胶及金属膜去除干净,留下满足设计要求的金属化图形。
12、本专利技术有益效果是:
13、与现有技术相比,本专利技术通过设计和工艺的优化改进,实现在同一晶片上制作不同金属膜厚度谐振器的方法,同时也避免了由于串、并联谐振器通过焊引线连接引起的其他杂散信号的产生。
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1.一种宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,
2.根据权利要求1所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:步骤二中,采用剥离工艺方法制备,在压电基板上通过旋涂均匀的涂上一层满足金属膜厚度2-4倍的光刻胶,通过光刻、显影把掩膜版上串联谐振器的图形转换到压电基板上,使得需要金属的地方的压电基板的表面裸露出来,不需要金属的地方被光刻胶所覆盖,同时在晶片上光刻出套刻对位标记。
3.根据权利要求2所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:在步骤二中完成光刻的压电基板上沉积一层满足厚度要求的金属膜,采用电子束蒸发的方式把金属膜沉积到带有光刻胶的压电基板表面。
4.根据权利要求3所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:采用剥离法去除步骤二中压电基板表面的光刻胶以及上面所覆盖的金属膜,通过剥离液和超声振动的方式把附在压电基板表面的光刻胶及金属膜去除干净,留下满足设计要求的金属化图形。
5.根据权利要求1所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:通过旋涂均匀的涂上一层满足金属膜厚度2-4倍的光刻胶,通过光刻、显影把掩膜版上并
6.根据权利要求5所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:在步骤三中完成光刻的压电基板上沉积一层满足厚度要求的金属膜,采用电子束蒸发的方式把金属膜沉积到带有光刻胶的压电基板表面。
7.根据权利要求6所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:采用剥离法去除步骤三中压电基板表面的光刻胶以及上面所覆盖的金属膜,通过剥离液和超声振动的方式把附在压电基板表面的光刻胶及金属膜去除干净,留下满足设计要求的金属化图形。
...【技术特征摘要】
1.一种宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:包括以下步骤,
2.根据权利要求1所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:步骤二中,采用剥离工艺方法制备,在压电基板上通过旋涂均匀的涂上一层满足金属膜厚度2-4倍的光刻胶,通过光刻、显影把掩膜版上串联谐振器的图形转换到压电基板上,使得需要金属的地方的压电基板的表面裸露出来,不需要金属的地方被光刻胶所覆盖,同时在晶片上光刻出套刻对位标记。
3.根据权利要求2所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:在步骤二中完成光刻的压电基板上沉积一层满足厚度要求的金属膜,采用电子束蒸发的方式把金属膜沉积到带有光刻胶的压电基板表面。
4.根据权利要求3所述的宽带声表滤波器的制备方法,其特征在于:采用剥离法去除步骤二中压电基板表面的光刻胶以及上面所覆盖的金属膜,通过剥离液和超声振动的方式把附在压电基板表面的光刻胶及金属膜去除干净,留下满足设计要求的金...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋燕港,董谦,沈燮乾,冯炜煜,
申请(专利权)人:浙江华远微电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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