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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料领域,具体涉及一种硅凝胶材料内部电树枝的无损检测方法。
技术介绍
1、随着第五代通信技术和能源革命的推进,电子设备经历了持续的小型化,并大大增加了其功率密度。然而,封装材料的性能已成为电子技术发展的瓶颈。
2、硅凝胶是一种广泛用于大功率宽带隙半导体器件的封装绝缘材料,由于其分子结构式中,不仅有c-c键,还有作为主链的键能更高的si-o键,使得硅凝胶材料能够拥有着更加稳定的电气绝缘性能以及耐受高低温的性能,在目前受到广泛使用。器件运行过程中不可避免地要承受强脉冲电场和高密度热流,从而导致电介质中局部缺陷的快速演化,从而导致材料中电树枝的发展对设备造成不可逆转的损坏,甚至可能导致其过早失效。
3、揭示电树枝的损伤动态发展过程是理解电树枝损伤机理的首要前提,也是绝缘材料研究中关注的问题。主流技术是使用光学显微镜和ccd相机直接观察电树枝。这些方法可以获得二维(2d)尺度的通道宏观信息,例如电树枝的长度和形态特征。然而,电树枝由通过球形点连接3d气隙通道组成。上述方法只能观察到电树枝长度在2d平面上的投影,无法呈现其实际的3d形状。
4、图像处理算法是部署测量数据以获得电树枝3d形状的有用手段,但它们不能精确表示电树枝的形状,主要用于检测传统聚合物,如xlpe,聚丙烯、环氧树脂。作为一种弹性体,硅凝胶是一种具有饱和3d网络的分散材料,光学测量无法直接聚焦其中的损伤区域。因此,在硅凝胶中获得电树枝的3d微观形态是一项突出的挑战。
技术实现思路
...【技术保护点】
1.一种基于自激成像的硅凝胶材料内部电树枝的三维无损检测方法,其特征在于它包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于它还包括步骤:S4、对3D重建图的电树枝进行几何参数分析,具体包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于步骤②中,几何参数的计算与分析具体包括:
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤S2中,所述反演计算通过软件OxfordinstrumentsImaris9.8实现。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤S3中,自动路径回归方法对电树枝的三维形态进行重构,具体步骤为:
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述光学成像平台为激光共聚焦显微镜。
【技术特征摘要】
1.一种基于自激成像的硅凝胶材料内部电树枝的三维无损检测方法,其特征在于它包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于它还包括步骤:s4、对3d重建图的电树枝进行几何参数分析,具体包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于步骤②中,几何参数的计算与分析具体包括:
4.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:司马文霞,孙魄韬,袁涛,杨鸣,唐昕宇,杨浩瀹,王河飞,
申请(专利权)人:重庆大学,
类型:发明
国别省市:
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