System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法技术_技高网

一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法技术

技术编号:40187815 阅读:28 留言:0更新日期:2024-01-26 23:51
本发明专利技术公开了一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,包括如下步骤:S1、制备电子产品后盖的盖体;S2、将胶片粘合在盖体上;S3、在胶片上镀覆隔热膜;其中,通过处于粘合在盖体上的状态的胶片镀覆隔热膜,避免先对胶片镀覆隔热膜再粘合盖体的工序造成胶片的卷起和膜裂;S4、在隔热膜上形成盖底油墨层。本发明专利技术还公开了另外一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,包括如下步骤:T1、制备电子产品后盖的盖体;T2、在盖体上制作一层缓冲保护层;T3、在缓冲保护层上镀覆隔热膜;T4、将胶片粘合在隔热膜上;其中,通过将隔热膜镀覆在盖体的缓冲保护层上,避免先对胶片镀覆隔热膜再粘合盖体的工序造成胶片的卷起和膜裂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子产品加工领域,特别是涉及一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法


技术介绍

1、现有的玻璃电池盖纹理工艺主要是:①在胶片上做纹理拉丝;②对胶片做电镀颜色处理;③胶片丝印盖底油墨;④胶片镭切小片待贴合;⑤玻璃表面做ag(anti—glare,抗反射)效果蚀刻;⑥玻璃做加硬强化;⑦将小片胶片与玻璃做贴合工艺。玻璃工艺的工艺流程为:玻璃来料、ag蚀沙、加硬、贴合胶片和脱泡;单层胶片工艺的工艺流程为:胶片拉丝、电镀、丝印油墨、镭切小片和待贴合玻璃。

2、原先工艺为在胶片上做胶印、纹理转印、电镀,之后再贴合玻璃,会存在胶片镀膜厚度较厚,较大的应力导致贴合3d玻璃后造成的膜裂不良现象。常规贴合3d玻璃胶片镀膜厚度在500nm以上就易产生膜裂外观不良。

3、镀膜厚度越厚,镀膜所需时间会更长,胶片镀膜后因胶片的pet膜和离型膜收缩率不一样,会造成胶片起卷,对后工序的作业造成很大影响,更有甚者就是无法正常做后续的作业。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于解决胶片镀膜后厚度较厚,贴合3d玻璃后造成膜裂,以及胶片起卷的技术问题,提出一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法。

2、本专利技术的技术问题通过以下的技术方案予以解决:

3、一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,包括如下步骤:

4、s1、制备电子产品后盖的盖体;

5、s2、将胶片粘合在所述盖体上;

6、s3、在所述胶片上镀覆隔热膜;其中,通过处于粘合在所述盖体上的状态的所述胶片镀覆隔热膜,避免先对所述胶片镀覆隔热膜再粘合所述盖体的工序造成所述胶片的卷起和膜裂;

7、s4、在所述隔热膜上形成盖底油墨层。

8、在一些实施例中,所述盖体为3d玻璃盖体;优选地,步骤s1中采用数控机床cnc加工制备所述3d玻璃盖体。

9、在一些实施例中,所述胶片的材料采用oca胶。

10、在一些实施例中,步骤s2中,将所述胶片粘合在所述盖体上之前,先在所述胶片上完成纹理转印。

11、在一些实施例中,步骤s2中,将所述胶片粘合在所述盖体上之后,进行加热加压脱泡工艺以排除所述盖体与所述胶片之间的气泡。

12、在一些实施例中,步骤s3中,所述镀覆隔热膜采用磁控溅射镀膜工艺。

13、在一些实施例中,所述磁控溅射镀膜工艺包括:以硅靶或铌靶为靶材,控制靶材功率3000~6000w,ar气量在100~300sccm,沉积速率在0.05~0.2nm/s,沉积时间在100~300min,镀膜厚度在1000~1500nm。

14、在一些实施例中,步骤s4中,在所述隔热膜上丝印盖底油墨层,然后将所述电子产品后盖进行烘烤,固化所述盖底油墨层。

15、在一些实施例中,步骤s2中,将胶片粘合在所述盖体上时所述盖体的边缘处存在无胶片贴合区域;步骤s4中,在所述隔热膜上形成盖底油墨层后,还在所述盖体的无胶片贴合区域进一步形成补边油墨层,所述补边油墨层经过配置,以使覆盖在所述盖体的无胶片贴合区域的油墨层所显示出来的颜色与覆盖在所述隔热膜上的盖底油墨层所显示出来的颜色相同。

16、本专利技术还提出了一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,包括如下步骤:

17、t1、制备电子产品后盖的盖体;

18、t2、在所述盖体上制作一层缓冲保护层;

19、t3、在所述缓冲保护层上镀覆隔热膜;

20、t4、将胶片粘合在所述隔热膜上;其中,通过将隔热膜镀覆在所述盖体的缓冲保护层上,避免先对所述胶片镀覆隔热膜再粘合所述盖体的工序造成所述胶片的卷起和膜裂。

21、本专利技术与现有技术对比的有益效果包括:

22、本专利技术提出的一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,通过处于粘合在盖体上的状态的胶片镀覆隔热膜,避免传统工艺先对胶片镀覆隔热膜再粘合盖体的工序造成胶片的卷起和膜裂。本专利技术的另一方面,通过将隔热膜镀覆在盖体的缓冲保护层上,避免传统工艺先对所述胶片镀覆隔热膜再粘合所述盖体的工序造成所述胶片的卷起和膜裂。

23、本专利技术实施例中的其他有益效果将在下文中进一步述及。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,所述盖体为3D玻璃盖体;优选地,步骤S1中采用数控机床CNC加工制备所述3D玻璃盖体。

3.如权利要求1或2所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,所述胶片的材料采用OCA胶。

4.如权利要求1至3任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤S2中,将所述胶片粘合在所述盖体上之前,先在所述胶片上完成纹理转印。

5.如权利要求1至4任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤S2中,将所述胶片粘合在所述盖体上之后,进行加热加压脱泡工艺以排除所述盖体与所述胶片之间的气泡。

6.如权利要求1至5任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤S3中,所述镀覆隔热膜采用磁控溅射镀膜工艺。

7.如权利要求6所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,所述磁控溅射镀膜工艺包括:以硅靶或铌靶为靶材,控制靶材功率3000~6000W,Ar气量在100~300sccm,沉积速率在0.05~0.2nm/s,沉积时间在100~300min,镀膜厚度在1000~1500nm。

8.如权利要求1至7任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤S4中,在所述隔热膜上丝印盖底油墨层,然后将所述电子产品后盖进行烘烤,固化所述盖底油墨层。

9.如权利要求1至8任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤S2中,将胶片粘合在所述盖体上时所述盖体的边缘处存在无胶片贴合区域;步骤S4中,在所述隔热膜上形成盖底油墨层后,还在所述盖体的无胶片贴合区域进一步形成补边油墨层,所述补边油墨层经过配置,以使覆盖在所述盖体的无胶片贴合区域的油墨层所显示出来的颜色与覆盖在所述隔热膜上的盖底油墨层所显示出来的颜色相同。

10.一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

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【技术特征摘要】

1.一种在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,所述盖体为3d玻璃盖体;优选地,步骤s1中采用数控机床cnc加工制备所述3d玻璃盖体。

3.如权利要求1或2所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,所述胶片的材料采用oca胶。

4.如权利要求1至3任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤s2中,将所述胶片粘合在所述盖体上之前,先在所述胶片上完成纹理转印。

5.如权利要求1至4任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤s2中,将所述胶片粘合在所述盖体上之后,进行加热加压脱泡工艺以排除所述盖体与所述胶片之间的气泡。

6.如权利要求1至5任一项所述的在电子产品后盖上镀隔热膜的方法,其特征在于,步骤s3中,所述镀覆隔热膜采用磁控溅射镀膜工艺。

7.如权利要求6所述的在电子产品后盖上镀隔热膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:李春辉梁崇楚竹清
申请(专利权)人:伯恩高新科技惠州有限公司
类型:发明
国别省市:

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