【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及泛半导体制作，特别涉及一种掩膜板制备方法及掩膜板。
技术介绍
1、oled显示器相较于lcd显示器具有很多优势，例如色彩再现好、响应时间短、低温特性好，且厚度可以做到更薄、重量更轻、柔性好，因此oled显示器以其优异的性能正在取代已打下巨大市场的lcd显示器。
2、oled显示屏制造用蒸镀机中，为将rgb发光层有机材料分别蒸镀到基板的rgb像素点上，设置有发光层蒸镀室，蒸镀室内设置有蒸镀时遮蔽其它像素的精密掩膜板(fmm)。由于有机材料蒸气的一部分蒸镀至基板时，有一定的蒸发入射角，这些蒸发入射角导致有机膜的填充均匀度下降。为使基板像素内均匀充填有机膜，往往将掩膜片制作得很薄，以降低蒸发入射角的影响。通常像素分辨率越高，需要的掩膜片越薄，但是，掩膜片越薄，其强度则越弱。然而，强度弱的掩膜片容易起皱或破裂，给搬送、绑定和蒸镀带来难解之题。因此，如何获得厚度薄、强度高的精密掩膜板是现有技术亟待解决的问题。
3、申请号为201710261890.5的中国专利技术专利公开了一种电铸掩膜板的脱模方法，通过该脱模方法，可获得厚度较薄的掩膜片。但是该方法仅制备得到掩膜片，当将掩膜片用于制备掩膜板时，需通过焊接将其绑定于掩膜框上，然而，厚度较薄的掩膜片容易在焊接时中部向下凹陷，特别是掩膜片较大时，凹陷越明显，这会导致焊接完成后，掩膜框中的掩膜片的中部依然处于下凹的部分，不但不利于后续蒸镀时与基板对位，并且在反复蒸镀时，由于磁性盖板的磁吸作用，会使掩膜片反复出现紧贴基板或与基板分离后下凹，如此一来，容易使掩膜片
4、可见，现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
1、鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供一种掩膜板制备方法及掩膜板，旨在解决现有掩膜板制备方法无法制备得厚度较薄且不易皱褶、破裂的掩膜片的缺陷。
2、为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：
3、一种掩膜板制备方法，其中，所述方法包括以下步骤：
4、步骤s1、在透明载板上形成导电膜或/和半导体膜；
5、步骤s2、在导电膜或半导体膜形成光阻膜；
6、步骤s3、在光阻膜上光刻掩膜片图案；
7、步骤s4、在光阻膜上电铸掩膜片，得到掩膜片组件；
8、步骤s5、将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，得到掩膜框组件；
9、步骤s6、通过脱模处理，将掩膜框组件中的载板、导电膜或半导体膜、光阻膜与掩膜片及掩膜框分离，得到掩膜板。
10、所述的掩膜板制备方法中，在所述步骤s5前，还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。
11、所述的掩膜板制备方法中，所述步骤s1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。
12、所述的掩膜板制备方法中，沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。
13、所述的掩膜板制备方法中，所述步骤s1中，所述半导体膜的电阻率为1x10-3～105ω·m。
14、所述的掩膜板制备方法中，所述步骤s5中，通过焊接将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定。
15、所述的掩膜板制备方法中，所述步骤s6中，所述脱模处理的方法包括辐照法、机械剥离法或超声剥离法。
16、一种掩膜板，采用如上所述的方法制备得到，其中，所述掩膜板包括掩膜框和固定于掩膜框上的掩膜片，所述掩膜片的厚度为0.5～30μm。
17、所述的掩膜板中，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板和第二掩膜板设有一个或多个的支撑梁，所述第一掩膜板和第二掩膜板的蒸镀区互补。
18、所述的掩膜板中，所述掩膜片设有焊脚，所述掩膜框在对应焊脚的位置设有用于焊接的凹槽。
19、有益效果：
20、本专利技术提供了一种掩膜板制备方法及掩膜板，所述制备方法通过在脱模处理前先将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定，通过透明载板的固定作用，可使掩膜片保持水平状态，并且在贴合绑定时不易破裂，进而大大提高掩膜板的成品率和良品率。制备得到的掩膜板，不但厚度较薄，具有较高的像素分辨率，并且其掩膜片的中部区域不会下沉凹陷，不但可提高蒸镀效果，并且在使用过程中，即便在磁性盖板的反复磁吸作用下，掩膜片也不会出现变形和皱褶的现象，可大大提高蒸镀的效果。
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1.一种掩膜板制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，在所述步骤S5前，还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。
3.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。
4.根据权利要求3所述的掩膜板制备方法，其特征在于，沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。
5.根据权利要求4所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述半导体膜的电阻率为1x10-3～105Ω·m。
6.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S5中，通过焊接将掩膜片组件与掩膜框贴合绑定。
7.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤S6中，所述脱模处理的方法包括辐照法、机械剥离法或超声剥离法。
8.一种掩膜板，采用如权利要求1-7任一项
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板和第二掩膜板设有一个或多个的支撑梁，所述第一掩膜板和第二掩膜板的蒸镀区互补。
10.根据权利要求8所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜片设有焊脚，所述掩膜框在对应焊脚的位置设有用于焊接的凹槽。
...【技术特征摘要】
1.一种掩膜板制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，在所述步骤s5前，还包括将掩膜框冷却收缩的步骤。
3.根据权利要求1所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤s1、在透明载板上形成导电膜或半导体膜包括通过物理气相沉积法或化学气相沉积法在透明载板上沉积导电膜或半导体膜。
4.根据权利要求3所述的掩膜板制备方法，其特征在于，沉积所述半导体膜所采用的氧化物包括氧化钼、氧化钛、氧化铜、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铁、氧化锌、氧化铝中的一种或多种的混合物。
5.根据权利要求4所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，所述半导体膜的电阻率为1x10-3～105ω·m。
6.根据权利要...
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