【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微电子测试与计量领域，更具体地，涉及一种片上电阻、制备方法、测试装置的校准设备及方法。
技术介绍
1、目前对集成电路片上电阻测试装置(简称测试装置)片上电阻参数的计量主要是有两种方式：(1)通过对测试装置用于测量片上电阻的仪表(如测试装置内置的数字多用表)进行校准来实现的，校准时将该仪表从测试装置上拆下，送至计量技术机构完成校准。该方法只能将仪表单独送至计量技术机构完成仪表级的计量，测试装置的其他组成部分，如电路板、开关、各种线缆、接口、软件等部分都会对测试装置片上电阻的测量结果造成影响，测试装置整体的技术指标无法由该仪表的技术指标直接得到。因此，测试装置整体的技术指标并不能得到全面、真实的反映。(2)使用“核查标准”进行性能验证或量值比对，“核查标准”一般为片上电阻值比较稳定的被测件，然而由于其并非为校准专门设计，存在稳定性不足、标称电阻范围不够等缺点，只能用于性能验证或量值比对，而不能用于校准。
技术实现思路
1、针对现有技术的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种片上电阻、制备方法、测试装置的校准设备及方法，旨在解决目前测试装置片上电阻量值没有专门的计量方法，只是将组成测试装置的仪表拆下单独送至计量技术机构完成仪表级的计量，测试装置整体的技术指标目前并没有在计量的过程中得到全面、真实反映等问题。
2、为实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种片上电阻，包括：绝缘基片和制备在绝缘基片上的至少一个多线电阻；所述多线电阻为厚膜电阻；每个多线电阻的电阻值被预
3、可以理解的是，通过设计片上电阻，并对其进行标定，可以实现对片上电阻测试装置的校准。
4、本领域技术人员可以理解的是，上述标定过程可以采用精度更高的电阻测量装置，保证电阻的标定结果可靠。
5、进一步地，厚膜电阻的工艺成本相对较低，可以实现片上电阻的产业化生成，便于短时间内收回成本。
6、在一个示例中，每个多线电阻在不同环境温度下的电阻值被预先标定。
7、在一个示例中，每个多线电阻的电阻值为1ω～100kω内的任意值。
8、在一个示例中，所述厚膜电阻的电阻误差不大于2％，温度系数不大于100ppm/℃。
9、在一个示例中，所述基片上多线电阻的电阻值包括：1ω、10ω、100ω、1kω、10kω以及100kω中的至少一种。
10、在一个示例中，所述绝缘基片上包括6个多线电阻，电阻值分别为1ω、10ω、100ω、1kω、10kω以及100kω。
11、在一个示例中，所述多线电阻为四线电阻。
12、第二方面，本专利技术提供了一种上述第一方面或第一方面中任意一个示例所描述片上电阻的制备方法，包括以下步骤：
13、在绝缘基片上采用厚膜电阻制备工艺制备至少一个多线电阻。
14、在一个示例中，采用钌系氧化物制备所述多线电阻。
15、第三方面，本专利技术提供了一种片上电阻测试装置的校准设备，包括上述第一方面或第一方面中任意一个示例所描述的片上电阻；
16、所述片上电阻的阻值被预先标定，以便将片上电阻测试装置测量所述片上电阻得到的阻值与标定的片上电阻的阻值对比，实现对片上电阻测试装置的校准。
17、第四方面，本专利技术提供了一种片上电阻测试装置的校准方法，包括以下步骤：
18、获取上述第一方面或第一方面中任意一个示例所描述的片上电阻；
19、对所述片上电阻中每一个多线电阻在不同环境温度下的阻值进行标定；
20、获取片上电阻测试装置在预设环境温度下测量所述片上电阻上至少一个多线电阻得到的阻值；
21、将预设环境温度下标定得到的多线电阻的阻值与片上电阻测试装置测量得到的阻值对比，根据对比的误差完成对片上电阻测试装置的校准。
22、总体而言，通过本专利技术所构思的以上技术方案与现有技术相比，具有以下有益效果：
23、本专利技术提供一种片上电阻、制备方法、测试装置的校准设备及方法，经过标定后的片上电阻标准，其标定值的误差可以达到1‰以下，满足校准需求，且由于厚膜电阻采用厚膜工艺，其成本低廉，单个片上电阻标准的制造成本可控制在1000元以下；通过本专利技术提供的片上电阻可以反映测试装置片上电阻参数真实的技术指标；本专利技术中片上电阻测试装置的校准过程与测试装置的测试过程一致，便于操作。
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1.一种片上电阻，其特征在于，包括：绝缘基片和制备在绝缘基片上的至少一个多线电阻；所述多线电阻为厚膜电阻；
2.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，每个多线电阻在不同环境温度下的电阻值被预先标定。
3.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，每个多线电阻的电阻值为1Ω～100kΩ内的任意值。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述厚膜电阻的电阻误差不大于2％，温度系数不大于100ppm/℃。
5.根据权利要求1至3任一项所述的片上电阻，其特征在于，所述绝缘基片上多线电阻的电阻值包括：1Ω、10Ω、100Ω、1kΩ、10kΩ以及100kΩ中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的片上电阻，其特征在于，所述多线电阻为四线电阻。
7.一种权利要求1至6任一项所述片上电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，采用钌系氧化物制备所述多线电阻。
9.一种片上电阻测试装置的校准设备，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的片上电阻；
10.一种片上电阻测试装置的校准方法，其特征在于，包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种片上电阻，其特征在于，包括：绝缘基片和制备在绝缘基片上的至少一个多线电阻；所述多线电阻为厚膜电阻；
2.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，每个多线电阻在不同环境温度下的电阻值被预先标定。
3.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，每个多线电阻的电阻值为1ω～100kω内的任意值。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述厚膜电阻的电阻误差不大于2％，温度系数不大于100ppm/℃。
5.根据权利要求1至3任一项所述的片上电阻，其特征在于，所述绝缘基片上多...
【专利技术属性】
技术研发人员：李轩冕，熊瑊，周厚平，
申请(专利权)人：中国船舶集团有限公司第七〇九研究所，
类型：发明
国别省市：
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