【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属箔表面处理的，具体为一种金属铜箔表面水滴角提升工艺。
技术介绍
1、常规工艺如果需要提升金属铜箔表面的水滴角数据，采用的是表面pvd镀涂层工艺，或者喷涂涂层的工艺，其将原有箔层的水滴角小于80°的数据直接提升为水滴角大于100°，但是由于pvd镀涂和喷涂工艺，其成本高，在实际使用后，整体产品的造价高，为此，急需研发一款低成本的提升铜箔表面水滴角的工艺。
技术实现思路
1、针对上述问题，本专利技术提供了一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其利用覆膜工艺，结合硅胶保护膜会在金属表面存在硅转移的特性，大幅度提高材料表面的水滴角数据，材料表面水滴角数据均匀，其加工高效、且成本低。
2、一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：在铜箔表面覆合一层硅胶保护膜，所述硅胶保护膜通过高温烘烤后、硅涂层在金属表面存在硅转移，硅胶保护膜的基体层在铜箔组装到位后移除，其使得铜箔表面形成大于100°的水滴角。
3、其进一步特征在于：
4、用于复合的硅胶保护膜包括有基体层和硅涂层；
5、优选地，基体层的材质为pet；
6、高温烘烤的参数为：温度60℃～70℃、湿度88rh～92rh、烘烤时间3h～5h；
7、优选地，高温烘烤时温度为65℃；
8、湿度为90rh；
9、烘烤时间为4h；
10、经过高温烘烤后、揭除基体层后，静置后的铜箔表面的硅含量为0.15％～0.25％；
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12、其通过镀膜工艺后形成的铜箔表面的水滴角在铜箔表面的数据均匀。
13、采用上述技术方案后，在铜箔表面覆合一层硅胶保护膜，所述硅胶保护膜通过高温烘烤后、硅涂层在金属表面存在硅转移，硅胶保护膜的基体层在铜箔组装到位后移除，其使得铜箔表面形成大于100°的水滴角，基体层在未移除前用于保护铜箔表面，其利用覆膜工艺，结合硅胶保护膜会在金属表面存在硅转移的特性，大幅度提高材料表面的水滴角数据，材料表面水滴角数据均匀，其加工高效、且成本低。
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1.一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：在铜箔表面覆合一层硅胶保护膜，所述硅胶保护膜通过高温烘烤后、硅涂层在金属表面存在硅转移，硅胶保护膜的基体层在铜箔组装到位后移除，其使得铜箔表面形成大于100°的水滴角。
2.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：用于复合的硅胶保护膜包括有基体层和硅涂层。
3.如权利要求2所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：基体层的材质为PET。
4.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：高温烘烤的参数为温度60℃～70℃、湿度88RH～92RH、烘烤时间3h～5h。
5.如权利要求4所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：高温烘烤时温度为65℃。
6.如权利要求5所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：湿度为90RH。
7.如权利要求6所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：烘烤时间为4h。
8.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：经过高温烘烤后、揭
9.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：基体层在经过揭除后，铜箔表面经过静置2H以上时间后，铜箔表面形成大于100°的水滴角。
10.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：其通过镀膜工艺后形成的铜箔表面的水滴角在铜箔表面的数据均匀。
...【技术特征摘要】
1.一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：在铜箔表面覆合一层硅胶保护膜，所述硅胶保护膜通过高温烘烤后、硅涂层在金属表面存在硅转移，硅胶保护膜的基体层在铜箔组装到位后移除，其使得铜箔表面形成大于100°的水滴角。
2.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：用于复合的硅胶保护膜包括有基体层和硅涂层。
3.如权利要求2所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：基体层的材质为pet。
4.如权利要求1所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：高温烘烤的参数为温度60℃～70℃、湿度88rh～92rh、烘烤时间3h～5h。
5.如权利要求4所述的一种金属铜箔表面水滴角提升工艺，其特征在于：高...
【专利技术属性】
技术研发人员：王春生，王润生，张荣晋，
申请(专利权)人：苏州安洁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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