【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种鳍的形成方法。
技术介绍
1、随着半导体集成电路制造技术的不断进步，性能不断提升的同时也伴随着器件小型化、微型化的进程。在越来越先进的制程中，要求在尽可能小的区域内实现尽可能多的器件。
2、在先进工艺节点中，鳍式晶体管通常通过采用自对准多重图形化工艺的方式，形成关键尺寸更小和均一性更好的鳍和栅极等结构，以实现器件面积的缩小以及可靠性的提高。在鳍的产生方法中通常有两种产生方式：一种通过形成均匀节距的鳍，然后通过去除多余鳍的方法形成器件；另外一种是通过非均匀排布的鳍，同时避免产生多余的鳍。前一种方法产生的鳍的尺寸更加均一，后一种方法产生的鳍在器件的面积上更加节省。
3、然而，现有的鳍的形成方法仍然有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种鳍的形成方法，以形成非均匀性排布设计自由度高的鳍部，同时，提高半导体结构的性能和可靠性。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种鳍的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有第一牺牲材料层；在第一牺牲材料层上形成第一图形化层；根据第一图形化层在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构；形成若干第二掩膜结构之后，在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二图形化结构，所述第二图形化结构位于相邻第二掩膜结构之间；以若干第二掩膜结构和第二图形化结构为掩膜刻蚀第一牺牲材料层，直至暴露出待刻蚀层的表面，形成若干相互分立的第一牺牲结构、以及若干相互分立
3、可选的，所述第二图形化结构的宽度与所述第二掩膜结构的宽度不同。
4、可选的，还包括：形成第一图形化层之前，在第一牺牲材料层表面形成第二牺牲材料层；并且，根据第一图形化层在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构的方法包括：以所述第一图形化层为掩膜刻蚀第二牺牲材料层，直至暴露出第一牺牲材料层的表面，形成若干第三牺牲结构；在若干第三牺牲结构的侧壁面形成若干第三侧墙；在形成若干第三侧墙之后，去除若干第三牺牲结构，并将若干第三侧墙作为若干第二掩膜结构。
5、可选的，在若干第三牺牲结构的侧壁面形成若干第三侧墙的方法包括：在第一牺牲材料层表面、以及若干第三牺牲结构表面，形成第一侧墙材料膜；采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙材料膜，直至暴露出若干第三牺牲结构顶面和第一牺牲材料层表面。
6、可选的，还包括：形成第二牺牲材料层之前，在第一牺牲材料层表面形成第一保护层。
7、可选的，所述第三牺牲结构的材料包括硅，所述第三侧墙的材料包括氮化硅，所述第一保护层的材料包括氧化硅。
8、可选的，在若干第一牺牲结构的侧壁面形成若干第一侧墙，并且，在若干第二牺牲结构的侧壁面形成若干第二侧墙的方法包括：在待刻蚀层表面、若干第一牺牲结构表面、以及若干第二牺牲结构表面形成第二侧墙材料膜；采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述第二侧墙材料膜，直至暴露出待刻蚀层表面、若干第一牺牲结构顶面、以及若干第二牺牲结构顶面。
9、可选的，所述待刻蚀层包括：初始基底、位于所述初始基底表面的第二保护层。
10、可选的，所述第二保护层为堆叠的复合层，所述第二保护层的材料包括氮化硅和氧化硅。
11、可选的，去除若干第二伪鳍的方法包括：在所述基底表面形成第三图形化层，所述第三图形化层覆盖若干第一鳍且暴露出若干第二伪鳍；在形成所述第三图形化层之后，刻蚀暴露的若干第二伪鳍。
12、可选的，所述第一牺牲材料层、第一牺牲结构、以及第二牺牲结构的材料包括硅，所述第一侧墙和第二侧墙的材料包括氮化硅。
13、与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
14、本专利技术的技术方案提供的鳍的形成方法中，根据第一图形化层在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构；形成若干第二掩膜结构之后，在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二图形化结构，所述第二图形化结构位于相邻第二掩膜结构之间；以若干第二掩膜结构和第二图形化结构为掩膜刻蚀第一牺牲材料层，直至暴露出初始基底的表面，形成若干相互分立的第一牺牲结构、以及若干相互分立的第二牺牲结构，所述第二牺牲结构位于相邻第一牺牲结构之间；在若干第一牺牲结构的侧壁面形成若干第一侧墙，并且，在若干第二牺牲结构的侧壁面形成若干第二侧墙。其中，一方面，通过所述第一图形化层的图形可方便地在自对准多重图形化工艺中控制相邻第一牺牲结构之间的间距，因此，可自由定义位于不同第一牺牲结构侧壁面的第一侧墙之间的间距。另一方面，通过形成所述第二图形化结构，可在不影响第一牺牲结构的位置分布的同时，进行用于形成若干第二伪鳍的自对准双重图形化工艺。由此，以若干第一侧墙和若干第二侧墙为掩膜刻蚀初始基底，形成基底、以及位于基底上且相互分立的若干第一鳍和若干第二伪鳍时，一方面，若干第一鳍的位置分布受若干第二伪鳍的位置分布的影响小，易于形成符合设计要求的非均匀分布的若干第一鳍，另一方面，在非均匀分布处通过若干第二侧墙增加了掩膜结构(包括若干第一侧墙和若干第二侧墙)的均匀性，因此，形成若干第一鳍时的刻蚀负载小，且可形成形貌好的第一鳍。综上，可在形成非均匀性排布设计自由度高的若干第一鳍的同时，使刻蚀负载小并形成形貌好的第一鳍，以提高半导体结构的性能和可靠性。
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1.一种鳍的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述第二图形化结构的宽度与所述第二掩膜结构的宽度不同。
3.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一图形化层之前，在第一牺牲材料层表面形成第二牺牲材料层；并且，根据第一图形化层在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构的方法包括：以所述第一图形化层为掩膜刻蚀第二牺牲材料层，直至暴露出第一牺牲材料层的表面，形成若干第三牺牲结构；在若干第三牺牲结构的侧壁面形成若干第三侧墙；在形成若干第三侧墙之后，去除若干第三牺牲结构，并将若干第三侧墙作为若干第二掩膜结构。
4.如权利要求3所述的鳍的形成方法，其特征在于，在若干第三牺牲结构的侧壁面形成若干第三侧墙的方法包括：在第一牺牲材料层表面、以及若干第三牺牲结构表面，形成第一侧墙材料膜；采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙材料膜，直至暴露出若干第三牺牲结构顶面和第一牺牲材料层表面。
5.如权利要求3所述的鳍的形成方法，其特征在于，还包括：形成第二牺牲材料层之前，在第一牺牲材料层表面形
6.如权利要求5所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述第三牺牲结构的材料包括硅，所述第三侧墙的材料包括氮化硅，所述第一保护层的材料包括氧化硅。
7.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，在若干第一牺牲结构的侧壁面形成若干第一侧墙，并且，在若干第二牺牲结构的侧壁面形成若干第二侧墙的方法包括：在待刻蚀层表面、若干第一牺牲结构表面、以及若干第二牺牲结构表面形成第二侧墙材料膜；采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述第二侧墙材料膜，直至暴露出待刻蚀层表面、若干第一牺牲结构顶面、以及若干第二牺牲结构顶面。
8.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括：初始基底、位于所述初始基底表面的第二保护层。
9.如权利要求8所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述第二保护层为堆叠的复合层，所述第二保护层的材料包括氮化硅和氧化硅。
10.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，去除若干第二伪鳍的方法包括：在所述基底表面形成第三图形化层，所述第三图形化层覆盖若干第一鳍且暴露出若干第二伪鳍；在形成所述第三图形化层之后，刻蚀暴露的若干第二伪鳍。
11.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲材料层、第一牺牲结构、以及第二牺牲结构的材料包括硅，所述第一侧墙和第二侧墙的材料包括氮化硅。
...【技术特征摘要】
1.一种鳍的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述第二图形化结构的宽度与所述第二掩膜结构的宽度不同。
3.如权利要求1所述的鳍的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一图形化层之前，在第一牺牲材料层表面形成第二牺牲材料层；并且，根据第一图形化层在第一牺牲材料层上形成若干相互分立的第二掩膜结构的方法包括：以所述第一图形化层为掩膜刻蚀第二牺牲材料层，直至暴露出第一牺牲材料层的表面，形成若干第三牺牲结构；在若干第三牺牲结构的侧壁面形成若干第三侧墙；在形成若干第三侧墙之后，去除若干第三牺牲结构，并将若干第三侧墙作为若干第二掩膜结构。
4.如权利要求3所述的鳍的形成方法，其特征在于，在若干第三牺牲结构的侧壁面形成若干第三侧墙的方法包括：在第一牺牲材料层表面、以及若干第三牺牲结构表面，形成第一侧墙材料膜；采用各向异性的刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙材料膜，直至暴露出若干第三牺牲结构顶面和第一牺牲材料层表面。
5.如权利要求3所述的鳍的形成方法，其特征在于，还包括：形成第二牺牲材料层之前，在第一牺牲材料层表面形成第一保护层。
6.如权利要求5所述的鳍的形成方法，其特征在于，所述第三牺牲结构的材...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜长城，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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