【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅外延技术设备领域，尤其涉及一种降低外延片滑片程度的基座。
技术介绍
1、硅外延技术常指通过化学气相沉积方法(cvd)在衬底表面生长一层目标厚度和电阻率的单晶硅技术。在外延过程中，外延片与石墨盘的相对位置不仅仅会直接影响到外延后的质量，更会因为外延片与片坑相对位置偏小导致的重复取片困难等设备异常。这是因为当外延片与片坑相对位置发生偏心后，吸盘与外延片位置也会发生偏心，因此在取片过程中吸盘无法完全与外延片贴合，影响取片成功率，使得设备停工，不利于设备产能提升。
2、如图1至图3所示，1为现有技术中平板基座结构，2为装载外延片的片坑，底部为弧面，外延片与片坑弧底面最外一圈边缘接触，接触方式为环形的线接触。在外延片装载时，外延片在吸力作用下，被吸的呈现“凸”状，且由于片坑底部为弧面形状，外延片与平板基座之间始终存在一定的空间。空间缩小时，外延片与平板基座之间的气体需要流出，当外延片接触弧面2后，吸力释放的瞬间，外延片形变恢复，此时外延片与片坑之间的气体无法顺利排出，因此在气体的作用下，会导致外延片相对片坑之间出现相对滑动，且滑动程度和滑动方向无法控制，进而导致硅片位置无法控制，最终导致设备重复出现取片报警异常。
技术实现思路
1、专利技术目的：针对以上缺点，本技术提供一种降低外延片滑片程度的基座。
2、技术方案：为解决上述问题，本技术采用一种降低外延片滑片程度的基座，包括基座和开设于基座上的若干片坑，所述片坑底部为弧面，片坑底部的外圆周上设有若干等距离分
3、进一步的，所述片坑底部设有8个支点。
4、进一步的，所述支点横截面为长方形、梯形或圆弧形。
5、进一步的，所述支点所处高度高于片坑底面。
6、进一步的，所述支点与片坑侧缘连接端的宽度大于支点远离片坑侧缘一端的宽度。
7、进一步的，所述支点与片坑侧缘连接端和支点远离片坑侧缘一端通过圆弧段连接。
8、进一步的，所述片坑侧缘与基座上表面之间设有一圈环形平台，该环形平台低于基座上表面而高于片坑，所述支点的外侧与环形平台的内缘连接，支点的高度低于环形平台的高度。
9、有益效果：本技术相对于现有技术，其显著优点是(1)将外延片与片坑的接触方式由线接触改为近似点接触，减少外延片与平板基座的接触面积，有利于外延片与片坑间的气体排出，从而减少外延片的相对滑动现象；(2)将外延片与基座之间的传热方式由热传导改为热辐射，可以提升外延片受热均匀性，提升外延片的控制参数；(3)提高外延片外延过程的设备连续稳定运行能力，降低停工率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种降低外延片滑片程度的基座，包括基座和开设于基座上的若干片坑，所述片坑底部为弧面，其特征在于，所述片坑底部的外圆周上设有若干等距离分布的支点，用于支撑外延片。
2.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述片坑底部设有8个支点。
3.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述支点横截面为长方形、梯形或圆弧形。
4.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述支点所处高度高于片坑底面。
5.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述支点与片坑侧缘连接端的宽度大于支点远离片坑侧缘一端的宽度。
6.如权利要求5所述的基座，其特征在于，所述支点与片坑侧缘连接端和支点远离片坑侧缘一端通过圆弧段连接。
7.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述片坑侧缘与基座上表面之间设有一圈环形平台，该环形平台低于基座上表面而高于片坑，所述支点的外侧与环形平台的内缘连接，支点的高度低于环形平台的高度。
【技术特征摘要】
1.一种降低外延片滑片程度的基座，包括基座和开设于基座上的若干片坑，所述片坑底部为弧面，其特征在于，所述片坑底部的外圆周上设有若干等距离分布的支点，用于支撑外延片。
2.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述片坑底部设有8个支点。
3.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述支点横截面为长方形、梯形或圆弧形。
4.如权利要求1所述的基座，其特征在于，所述支点所处高度高于片坑底面。
...【专利技术属性】
技术研发人员：何文俊，冯永平，陈浩，孙铁成，
申请(专利权)人：南京国盛电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。