【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，更具体地涉及一种半导体清洗液供给系统和半导体设备。
技术介绍
1、在半导体制备过程中，几乎在每个工艺加工之后，都要进行清洗，而在清洗过程中通常采用湿法清洗。在湿法清洗过程中，需要给清洗装置提供清洗液，且从清洗液储存罐中放出的清洗液往往先经过加热器加热到一定温度之后，再提供给清洗装置使用。防止未经加热的清洗液直接使用时，在清洗过程中，由于清洗液温度过低引起的热冷效应，导致晶圆表面的微电路结构或晶圆内部出现裂纹形成损伤，从而影响整体良率。参考图1，目前清洗液的供给系统存在热能浪费问题，且对加热器的可靠性依赖过大。
技术实现思路
1、为了解决上述问题中的至少一个而提出了本技术。根据本申请第一方面，提供了一种半导体清洗液供给系统，所述半导体清洗液供给系统包括：第一管路、加热器和第二管路；其中，所述第一管路设置于半导体工艺装置内，所述第一管路用于输入清洗液，且所述第一管路能够与所述半导体工艺装置的液体进行热交换；所述加热器与所述第一管路连通，所述加热器用于加热所述第一管路输入的清洗液；所述第二管路连通在所述加热器与半导体清洗装置之间，所述第二管路用于将所述加热器加热的清洗液供给给所述半导体清洗装置。
2、在本申请的一个实施例中，所述第一管路为所述半导体工艺装置内的第一冷却管路，所述第一冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的工艺区进行冷却。
3、在本申请的一个实施例中，所述第一管路为所述半导体工艺装置内的第二冷却管路，所述第二冷却管路用于给所述半导体
4、在本申请的一个实施例中，所述第一管路包括第一冷却管路和第二冷却管路；其中，所述第一冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的工艺区进行冷却，所述第二冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的废液进行冷却。
5、在本申请的一个实施例中，所述第二冷却管路与所述清洗液供给口连通，所述第一冷却管路连通在所述第二冷却管路与所述加热器之间。
6、在本申请的一个实施例中，所述清洗液为半导体用超纯水。
7、在本申请的一个实施例中，所述第一管路用于输入温度为第一设定温度范围的清洗液；所述半导体工艺装置的液体温度为第二设定温度范围；其中，所述第一设定温度范围的最大值小于所述第二设定温度范围的最小值。
8、在本申请的一个实施例中，所述加热器用于将所述第一管路输入的清洗液加热到第三设定温度范围；其中，所述第三设定温度范围的最小值大于所述第一设定温度范围的最大值，所述第三设定温度范围的最大值小于所述第二设定温度范围的最小值。
9、在本申请的一个实施例中，所述半导体清洗装置为h-qdr装置。
10、在本申请的一个实施例中，所述半导体工艺装置为spm工艺装置、cr工艺装置或hpo工艺装置。
11、根据本申请第二方面，还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括：半导体工艺装置、半导体清洗装置、以及上述任意一种半导体清洗液供给系统。
12、在本申请的一个实施例中，所述半导体设备为湿法清洗设备、光刻胶去除设备或氮化物去除设备。
13、根据本申请实施例提供的半导体清洗液供给系统和半导体设备，通过将第一管路设置于半导体工艺装置内，且第一管路能够与半导体工艺装置内温度较高的液体进行热交换，之后由加热器将第一管路输入的清洗液加热后通过第二管路给半导体清洗装置供给清洗液。相比现有直接将清洗液储存罐中的清洗液输入给加热器进行加热相比，本申请中的清洗液先流入到半导体工艺装置内，被半导体工艺装置内温度较高的液体通过热交换进行加热，之后再流入加热器内，从而能够充分利用半导体工艺装置内无法利用的热能，减缓热能浪费问题；且在加热器紧急停机时，依然能够通过半导体工艺装置内的热交换对清洗液进行加热，能有效的降低实际给清洗装置供给清洗液的温度和目标温度的温差，减少对于半导体产品因清洗液温度过低而导致的产品损伤，减小对加热器可靠性的依赖程度，提高产品良率。
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1.一种半导体清洗液供给系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路为所述半导体工艺装置内的第一冷却管路，所述第一冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的工艺区进行冷却。
3.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路为所述半导体工艺装置内的第二冷却管路，所述第二冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的废液进行冷却。
4.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路包括第一冷却管路和第二冷却管路；
5.如权利要求4所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第二冷却管路与所述清洗液供给口连通，所述第一冷却管路连通在所述第二冷却管路与所述加热器之间。
6.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路用于输入温度为第一设定温度范围的清洗液；所述半导体工艺装置的液体温度为第二设定温度范围；其中，所述第一设定温度范围的最大值小于所述第二设定温度范围的最小值。
7.如权利要求6所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，
8.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述半导体清洗装置为H-QDR装置。
9.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述半导体工艺装置为SPM工艺装置、CR工艺装置或HPO工艺装置。
10.一种半导体设备，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备为湿法清洗设备、光刻胶去除设备或氮化物去除设备。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体清洗液供给系统，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路为所述半导体工艺装置内的第一冷却管路，所述第一冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的工艺区进行冷却。
3.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路为所述半导体工艺装置内的第二冷却管路，所述第二冷却管路用于给所述半导体工艺装置内的废液进行冷却。
4.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第一管路包括第一冷却管路和第二冷却管路；
5.如权利要求4所述的半导体清洗液供给系统，其特征在于，所述第二冷却管路与所述清洗液供给口连通，所述第一冷却管路连通在所述第二冷却管路与所述加热器之间。
6.如权利要求1所述的半导体清洗液供给系...
【专利技术属性】
技术研发人员：屈文晶，沈雪松，
申请(专利权)人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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